规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
IGBT 600V 40A 160W D2PAK
详细描述：IGBT 600V 40A 160W Surface Mount D2PAK
型号：
IRG4BC40W-STRRP
仓库库存编号：
IRG4BC40W-STRRP-ND
别名：SP001537010
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11.4A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 650V 11.4A（Tc） 104.2W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW65R310CFDFKSA1
仓库库存编号：
IPW65R310CFDFKSA1-ND
别名：IPW65R310CFD
IPW65R310CFD-ND
SP000890688
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 30A 160W TO247AC
详细描述：IGBT 1200V 30A 160W Through Hole TO-247AC
型号：
IRG4PH40KPBF
仓库库存编号：
IRG4PH40KPBF-ND
别名：*IRG4PH40KPBF
SP001549272
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 38A（Tc） 3.1W（Ta），170W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRF5210STRL
仓库库存编号：
AUIRF5210STRLTR-ND
别名：AUIRF5210STRLTR
SP001519458
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 16A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 600V 16A（Tc） 139W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI60R199CPXKSA1
仓库库存编号：
IPI60R199CPXKSA1-ND
别名：IPI60R199CP
IPI60R199CP-ND
IPI60R199CPX
IPI60R199CPXK
SP000103248
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 28A 100W TO247AC
详细描述：IGBT 600V 28A 100W Through Hole TO-247AC
型号：
IRG4PC30KPBF
仓库库存编号：
IRG4PC30KPBF-ND
别名：*IRG4PC30KPBF
SP001537224
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 650V 22.4A（Tc） 195.3W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
IPI65R150CFDXKSA1
仓库库存编号：
IPI65R150CFDXKSA1-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 600V 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW60R280E6
仓库库存编号：
IPW60R280E6-ND
别名：IPW60R280E6FKSA1
SP000797382
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 22A 156W TO220-3
详细描述：IGBT NPT 600V 22A 156W Through Hole TO-262
型号：
IRGSL10B60KDPBF
仓库库存编号：
IRGSL10B60KDPBF-ND
别名：SP001545220
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 12A TO247-3
详细描述：通孔 N 沟道 550V 12A（Tc） 104W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW50R299CPFKSA1
仓库库存编号：
IPW50R299CPFKSA1-ND
别名：IPW50R299CP
IPW50R299CP-ND
SP000301163
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 15A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 650V 15A（Tc） 34W（Tc） PG-TO220-3
型号：
SPA15N65C3XKSA1
仓库库存编号：
SPA15N65C3XKSA1-ND
别名：SP000293730
SPA15N65C3
SPA15N65C3-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 15A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 650V 15A（Tc） 156W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI15N65C3XKSA1
仓库库存编号：
SPI15N65C3XKSA1-ND
别名：SP000681002
SPI15N65C3
SPI15N65C3-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 25V 25A 24PQFN
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 25A 25W, 28W Surface Mount Dual PQFN (5x4)
型号：
IRFH4257DTRPBF
仓库库存编号：
IRFH4257DTRPBFCT-ND
别名：IRFH4257DTRPBFCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 21A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 560V 21A（Tc） 34.5W（Tc） PG-TO220-FP
型号：
SPA21N50C3
仓库库存编号：
SPA21N50C3IN-ND
别名：SP000216364
SPA21N50C3IN
SPA21N50C3X
SPA21N50C3XK
SPA21N50C3XKSA1
SPA21N50C3XTIN
SPA21N50C3XTIN-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 650V 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW65R280C6FKSA1
仓库库存编号：
IPW65R280C6FKSA1-ND
别名：IPW65R280C6
IPW65R280C6-ND
SP000785060
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 21A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 560V 21A（Tc） 208W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI21N50C3XKSA1
仓库库存编号：
SPI21N50C3XKSA1-ND
别名：SP000681012
SPI21N50C3
SPI21N50C3-ND
SPI21N50C3X
SPI21N50C3XK
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 31A 208W TO262
详细描述：IGBT NPT 600V 31A 208W Through Hole PG-TO262-3
型号：
IRGSL15B60KDPBF
仓库库存编号：
IRGSL15B60KDPBF-ND
别名：SP001546378
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 30A 198W TO263-3
详细描述：IGBT NPT 1200V 30A 198W Surface Mount PG-TO263-3
型号：
SGB15N120ATMA1
仓库库存编号：
SGB15N120ATMA1TR-ND
别名：SGB15N120
SGB15N120-ND
SP000012560
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 13.4A TO220-FP
详细描述：通孔 N 沟道 650V 13.4A（Tc） 34W（Tc） PG-TO220-FP
型号：
SPA15N60CFDXKSA1
仓库库存编号：
SPA15N60CFDXKSA1-ND
别名：SP000264432
SPA15N60CFD
SPA15N60CFD-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 74A TO-262
详细描述：通孔 P 沟道 55V 42A（Tc） 200W（Tc） TO-262
型号：
AUIRF4905L
仓库库存编号：
AUIRF4905L-ND
别名：SP001521094
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 13A 60W D2PAK
详细描述：IGBT 600V 13A 60W Surface Mount D2PAK
型号：
IRG4BC20UDSTRRP
仓库库存编号：
IRG4BC20UDSTRRP-ND
别名：SP001535602
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 19A（Tc） 92W（Tc） PG-TO263-3
型号：
IPB60R120C7ATMA1
仓库库存编号：
IPB60R120C7ATMA1-ND
别名：SP001385048
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 18A（Ta） 101W（Tc） PG-TO263
型号：
IPB65R125C7ATMA1
仓库库存编号：
IPB65R125C7ATMA1-ND
别名：SP001080134
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 21A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 600V 21A（Tc） 34W（Tc） PG-TO-220-FP
型号：
IPA60R165CPXKSA1
仓库库存编号：
IPA60R165CPXKSA1-ND
别名：IPA60R165CP
IPA60R165CP-ND
SP000096437
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 21A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 650V 21A（Tc） 192W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI60R165CPAKSA1
仓库库存编号：
IPI60R165CPAKSA1-ND
别名：IPI60R165CP
IPI60R165CP-ND
SP000276736
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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