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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 5.7A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 900V 5.7A（Tc） 89W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW90R1K0C3FKSA1
仓库库存编号：
IPW90R1K0C3FKSA1-ND
别名：IPW90R1K0C3
IPW90R1K0C3-ND
SP000413752
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 600V 9A（Tc） 29W（Tc） PG-TO220-FP
型号：
IPA60R180C7XKSA1
仓库库存编号：
IPA60R180C7XKSA1-ND
别名：SP001296216
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 600V 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI60R190C6XKSA1
仓库库存编号：
IPI60R190C6XKSA1-ND
别名：IPI60R190C6
IPI60R190C6-ND
SP000660618
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 11A（Tc） 125W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP11N65C3XKSA1
仓库库存编号：
SPP11N65C3XKSA1-ND
别名：SP000681046
SPP11N65C3
SPP11N65C3-ND
SPP11N65C3BKSA1
SPP11N65C3IN
SPP11N65C3IN-ND
SPP11N65C3X
SPP11N65C3XK
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 650V 12A（Tc） 33W（Tc） PG-TO-220-FP
型号：
IPA60R250CPXKSA1
仓库库存编号：
IPA60R250CPXKSA1-ND
别名：IPA60R250CP
IPA60R250CP-ND
SP000310226
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 650V 11A（Tc） 125W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI11N60C3XKSA1
仓库库存编号：
SPI11N60C3XKSA1-ND
别名：SP000680986
SPI11N60C3
SPI11N60C3BKSA1
SPI11N60C3IN
SPI11N60C3IN-ND
SPI11N60C3X
SPI11N60C3X-ND
SPI11N60C3XK
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 650V 17.5A（Tc） 151W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI65R190CFDXKSA1
仓库库存编号：
IPI65R190CFDXKSA1-ND
别名：IPI65R190CFD
IPI65R190CFD-ND
SP000905386
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 11A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 900V 11A（Tc） 156W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI90R500C3XKSA1
仓库库存编号：
IPI90R500C3XKSA1-ND
别名：IPI90R500C3
IPI90R500C3-ND
SP000413728
SP000683084
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 600V 11A（Tc） 33W（Tc） PG-TO220-3
型号：
SPA11N60CFDXKSA1
仓库库存编号：
SPA11N60CFDXKSA1-ND
别名：SP000216317
SPA11N60CFD
SPA11N60CFD-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 20.2A（Tc） 34W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPA65R190C6XKSA1
仓库库存编号：
IPA65R190C6XKSA1-ND
别名：IPA65R190C6
IPA65R190C6-ND
SP000863892
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 20.2A（Tc） 34W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPA65R190E6XKSA1
仓库库存编号：
IPA65R190E6XKSA1-ND
别名：IPA65R190E6
IPA65R190E6-ND
SP000863904
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 650V 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI65R190C6XKSA1
仓库库存编号：
IPI65R190C6XKSA1-ND
别名：IPI65R190C6
IPI65R190C6-ND
SP000863900
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6.2A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 6.2A（Tc） 74W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP06N60C3HKSA1
仓库库存编号：
SPP06N60C3HKSA1-ND
别名：SP000014697
SPP06N60C3
SPP06N60C3-ND
SPP06N60C3IN
SPP06N60C3IN-ND
SPP06N60C3X
SPP06N60C3XK
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 550V 17A（Tc） 139W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP50R199CPHKSA1
仓库库存编号：
IPP50R199CPHKSA1-ND
别名：SP000236074
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 31A 208W D2PAK
详细描述：IGBT NPT 600V 31A 208W Surface Mount D2PAK
型号：
IRGS15B60KPBF
仓库库存编号：
IRGS15B60KPBF-ND
别名：SP001535722
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 23A 100W TO247AC
详细描述：IGBT 600V 23A 100W Through Hole TO-247AC
型号：
IRG4PC30UPBF
仓库库存编号：
IRG4PC30UPBF-ND
别名：*IRG4PC30UPBF
SP001536064
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 9A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 560V 9A（Tc） 83W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW50R399CPFKSA1
仓库库存编号：
IPW50R399CPFKSA1-ND
别名：IPW50R399CP
IPW50R399CP-ND
SP000259980
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 650V 8.7A（Tc） 83.3W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW65R420CFDFKSA1
仓库库存编号：
IPW65R420CFDFKSA1-ND
别名：IPW65R420CFD
IPW65R420CFD-ND
SP000890686
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 34A 100W D2PAK
详细描述：IGBT 600V 34A 100W Surface Mount D2PAK
型号：
AUIRG4BC30SSTRL
仓库库存编号：
AUIRG4BC30SSTRL-ND
别名：SP001511460
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 23A 100W D2PAK
详细描述：IGBT 600V 23A 100W Surface Mount D2PAK
型号：
AUIRG4BC30USTRL
仓库库存编号：
AUIRG4BC30USTRL-ND
别名：SP001512374
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 31A 100W TO247AC
详细描述：IGBT 600V 31A 100W Through Hole TO-247AC
型号：
IRG4PC30FPBF
仓库库存编号：
IRG4PC30FPBF-ND
别名：*IRG4PC30FPBF
SP001537154
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 34A 100W TO247AC
详细描述：IGBT 600V 34A 100W Through Hole TO-247AC
型号：
IRG4PC30SPBF
仓库库存编号：
IRG4PC30SPBF-ND
别名：*IRG4PC30SPBF
SP001544804
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 10A TO247-3
详细描述：通孔 N 沟道 550V 10A（Tc） 89W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW50R350CPFKSA1
仓库库存编号：
IPW50R350CPFKSA1-ND
别名：IPW50R350CP
IPW50R350CP-ND
SP000301164
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 31A 100W D2PAK
详细描述：IGBT 600V 31A 100W Surface Mount D2PAK
型号：
IRG4BC30FDSTRRP
仓库库存编号：
IRG4BC30FDSTRRP-ND
别名：SP001541970
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 13A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 800V 13A（Tc） 30W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPAN80R360P7XKSA1
仓库库存编号：
IPAN80R360P7XKSA1-ND
别名：SP001702158
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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