规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 83W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP07N60C3XKSA1
仓库库存编号：
SPP07N60C3XKSA1-ND
别名：SP000681030
SPP07N60C3
SPP07N60C3IN
SPP07N60C3IN-ND
SPP07N60C3X
SPP07N60C3XK
SPP07N60C3XTIN
SPP07N60C3XTIN-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO263
型号：
IPB65R280C6ATMA1
仓库库存编号：
IPB65R280C6ATMA1CT-ND
别名：IPB65R280C6CT
IPB65R280C6CT-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 83W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI07N60C3XKSA1
仓库库存编号：
SPI07N60C3XKSA1-ND
别名：SP000680976
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 6.2A 62W TO220-3
详细描述：IGBT NPT 1200V 6.2A 62W Through Hole PG-TO220-3
型号：
SKP02N120XKSA1
仓库库存编号：
SKP02N120XKSA1-ND
别名：SKP02N120
SKP02N120-ND
SP000683134
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 12A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 550V 12A（Tc） 104W（Tc） PG-TO220-FP
型号：
IPA50R299CPXKSA1
仓库库存编号：
IPA50R299CPXKSA1-ND
别名：IPA50R299CP
IPA50R299CP-ND
SP000236079
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 550V 12A（Tc） 104W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP50R299CPHKSA1
仓库库存编号：
IPP50R299CPHKSA1-ND
别名：SP000236070
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 13A 90W D2PAK
详细描述：IGBT NPT 600V 13A 90W Surface Mount D2PAK
型号：
IRGS6B60KDTRLP
仓库库存编号：
IRGS6B60KDTRLPCT-ND
别名：IRGS6B60KDTRLPCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 13A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R180C7ATMA1
仓库库存编号：
IPD60R180C7ATMA1-ND
别名：SP001277630
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 9A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 650V 9A（Tc） 83W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI60R385CPXKSA1
仓库库存编号：
IPI60R385CPXKSA1-ND
别名：IPI60R385CP
IPI60R385CP-ND
IPI60R385CPAKSA1
IPI60R385CPX
IPI60R385CPXK
SP000103250
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 9A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 9A（Tc） 83W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP60R385CPXKSA1
仓库库存编号：
IPP60R385CPXKSA1-ND
别名：IPP60R385CP
IPP60R385CP-ND
IPP60R385CPAKSA1
IPP60R385CPX
IPP60R385CPXK
SP000082281
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 11A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 11A（Tc） 96W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB60R299CP
仓库库存编号：
IPB60R299CPCT-ND
别名：IPB60R299CPCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6.6A TO220-FP
详细描述：通孔 N 沟道 650V 6.6A（Tc） 32W（Tc） PG-TO220-FP
型号：
SPA07N60CFDXKSA1
仓库库存编号：
SPA07N60CFDXKSA1-ND
别名：SP000264431
SPA07N60CFD
SPA07N60CFD-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 11.4A（Tc） 32W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPA65R310CFDXKSA1
仓库库存编号：
IPA65R310CFDXKSA1-ND
别名：IPA65R310CFD
IPA65R310CFD-ND
SP000890320
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11.4A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 650V 11.4A（Tc） 104.2W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI65R310CFDXKSA1
仓库库存编号：
IPI65R310CFDXKSA1-ND
别名：IPI65R310CFD
IPI65R310CFD-ND
SP000891700
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP60R280C6XKSA1
仓库库存编号：
IPP60R280C6XKSA1-ND
别名：IPP60R280C6
IPP60R280C6-ND
SP000645028
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 13.8A（Tc） 32W（Tc） PG-TO-220-FP
型号：
IPA60R280E6XKSA1
仓库库存编号：
IPA60R280E6XKSA1-ND
别名：IPA60R280E6
IPA60R280E6-ND
SP000797292
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP60R280E6XKSA1
仓库库存编号：
IPP60R280E6XKSA1-ND
别名：IPP60R280E6
IPP60R280E6-ND
SP000797290
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 11.6A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 560V 11.6A（Tc） 33W（Tc） PG-TO220-FP
型号：
SPA12N50C3XKSA1
仓库库存编号：
SPA12N50C3XKSA1-ND
别名：SP000216322
SPA12N50C3
SPA12N50C3IN
SPA12N50C3IN-ND
SPA12N50C3X
SPA12N50C3XK
SPA12N50C3XTIN
SPA12N50C3XTIN-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 16A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 560V 16A（Tc） 160W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB16N50C3
仓库库存编号：
SPB16N50C3INCT-ND
别名：SPB16N50C3INCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 14A 49W TO262
详细描述：IGBT 600V 14A 49W Through Hole TO-262
型号：
IRG4BC15UD-LPBF
仓库库存编号：
IRG4BC15UD-LPBF-ND
别名：*IRG4BC15UD-LPBF
SP001535612
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 13A 90W TO262
详细描述：IGBT NPT 600V 13A 90W Through Hole TO-262
型号：
IRGSL6B60KDPBF
仓库库存编号：
IRGSL6B60KDPBF-ND
别名：*IRGSL6B60KDPBF
63-2008PBF
63-2008PBF-ND
SP001540950
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 32W（Tc） PG-TO220FP
型号：
SPA07N65C3XKSA1
仓库库存编号：
SPA07N65C3XKSA1-ND
别名：SP000216305
SPA07N65C3
SPA07N65C3IN
SPA07N65C3IN-ND
SPA07N65C3XK
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 14A 38W D2PAK
详细描述：IGBT 600V 14A 38W Surface Mount D2PAK
型号：
IRG4BC10SD-SPBF
仓库库存编号：
IRG4BC10SD-SPBF-ND
别名：*IRG4BC10SD-SPBF
SP001532504
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 13A（Tc） 68W（Tc） PG-TO263-3
型号：
IPB60R180C7ATMA1
仓库库存编号：
IPB60R180C7ATMA1-ND
别名：SP001296224
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 22A 156W TO220AB
详细描述：IGBT NPT 600V 22A 156W Through Hole TO-220AB
型号：
IRGB10B60KDPBF
仓库库存编号：
IRGB10B60KDPBF-ND
别名：*IRGB10B60KDPBF
SP001542270
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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