规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 5.7A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 900V 5.7A（Tc） 89W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP90R1K0C3XKSA1
仓库库存编号：
IPP90R1K0C3XKSA1-ND
别名：IPP90R1K0C3
IPP90R1K0C3-ND
SP000413744
SP000683094
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 13A 90W TO220AB
详细描述：IGBT NPT 600V 13A 90W Through Hole TO-220AB
型号：
IRGB6B60KPBF
仓库库存编号：
IRGB6B60KPBF-ND
别名：*IRGB6B60KPBF
SP001537610
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 7.6A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 560V 7.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI08N50C3XKSA1
仓库库存编号：
SPI08N50C3XKSA1-ND
别名：SP000680984
SPI08N50C3
SPI08N50C3-ND
SPI08N50C3IN
SPI08N50C3IN-ND
SPI08N50C3X
SPI08N50C3XK
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO-263
型号：
IPB60R280P6ATMA1
仓库库存编号：
IPB60R280P6ATMA1-ND
别名：SP001364468
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 600V 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI60R380C6XKSA1
仓库库存编号：
IPI60R380C6XKSA1-ND
别名：IPI60R380C6
IPI60R380C6-ND
SP000660630
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 9A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 560V 9A（Tc） 83W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP50R399CPHKSA1
仓库库存编号：
IPP50R399CPHKSA1-ND
别名：IPP50R399CP
IPP50R399CP-ND
SP000234985
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 9A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 500V 9A（Tc） 83W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI50R399CPXKSA2
仓库库存编号：
IPI50R399CPXKSA2-ND
别名：IPI50R399CP
IPI50R399CP-ND
SP001109552
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 8.7A（Tc） 31.2W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPA65R420CFDXKSA1
仓库库存编号：
IPA65R420CFDXKSA1-ND
别名：IPA65R420CFD
IPA65R420CFD-ND
SP000890322
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 650V 8.7A（Tc） 83.3W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI65R420CFDXKSA1
仓库库存编号：
IPI65R420CFDXKSA1-ND
别名：IPI65R420CFD
IPI65R420CFD-ND
SP000891702
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 8.7A（Tc） 83.3W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP65R420CFDXKSA1
仓库库存编号：
IPP65R420CFDXKSA1-ND
别名：IPP65R420CFD
IPP65R420CFD-ND
SP000876824
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6.2A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 6.2A（Tc） 32W（Tc） PG-TO220-FP
型号：
SPA06N60C3
仓库库存编号：
SPA06N60C3IN-ND
别名：SP000216301
SPA06N60C3IN
SPA06N60C3XK
SPA06N60C3XKSA1
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 12A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 550V 12A（Tc） 104W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB50R299CPATMA1
仓库库存编号：
IPB50R299CPATMA1TR-ND
别名：IPB50R299CP
IPB50R299CP-ND
SP000236094
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 9A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 9A（Tc） 83W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB60R385CP
仓库库存编号：
IPB60R385CPCT-ND
别名：IPB60R385CPCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 6.2A 62W TO263-3-2
详细描述：IGBT NPT 1200V 6.2A 62W Surface Mount PG-TO263-3-2
型号：
SKB02N120ATMA1
仓库库存编号：
SKB02N120ATMA1TR-ND
别名：SKB02N120
SKB02N120-ND
SP000012567
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 13A 90W TO220AB
详细描述：IGBT NPT 600V 13A 90W Through Hole TO-220AB
型号：
IRGB6B60KDPBF
仓库库存编号：
IRGB6B60KDPBF-ND
别名：*IRGB6B60KDPBF
SP001532684
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 10A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 550V 10A（Tc） 89W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP50R350CPXKSA1
仓库库存编号：
IPP50R350CPXKSA1-ND
别名：IPP50R350CP
IPP50R350CPIN
IPP50R350CPIN-ND
IPP50R350CPXK
SP000680940
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 10A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 500V 10A（Tc） 89W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP50R350CPHKSA1
仓库库存编号：
IPP50R350CPHKSA1-ND
别名：SP000236069
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP65R380C6XKSA1
仓库库存编号：
IPP65R380C6XKSA1-ND
别名：IPP65R380C6
IPP65R380C6-ND
SP000785082
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 10.6A（Tc） 31W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPA65R380C6XKSA1
仓库库存编号：
IPA65R380C6XKSA1-ND
别名：IPA65R380C6
IPA65R380C6-ND
SP000720896
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 6.9A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 900V 6.9A（Tc） 104W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI90R800C3XKSA1
仓库库存编号：
IPI90R800C3XKSA1-ND
别名：IPI90R800C3
IPI90R800C3-ND
SP000413730
SP000683086
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 16.8A 3TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 16.8A（Tc） 126W（Tc） PG-TO263-3
型号：
IPB60R230P6ATMA1
仓库库存编号：
IPB60R230P6ATMA1-ND
别名：SP001364466
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 11.6A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 560V 11.6A（Tc） 125W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB12N50C3
仓库库存编号：
SPB12N50C3INCT-ND
别名：SPB12N50C3INCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 650V 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI65R380C6XKSA1
仓库库存编号：
IPI65R380C6XKSA1-ND
别名：IPI65R380C6
IPI65R380C6-ND
SP000785080
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO263
型号：
IPB65R280E6ATMA1
仓库库存编号：
IPB65R280E6ATMA1-ND
别名：SP000795274
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 13A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 550V 13A（Tc） 114W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB50R250CPATMA1
仓库库存编号：
IPB50R250CPATMA1TR-ND
别名：IPB50R250CP
IPB50R250CP-ND
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规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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