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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R600E6
仓库库存编号:
IPP60R600E6-ND
别名:IPP60R600E6XKSA1
SP000797630
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220-FP
详细描述:通孔 N 沟道 600V 7.3A(Tc) 28W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R600C6XKSA1
仓库库存编号:
IPA60R600C6XKSA1-ND
别名:IPA60R600C6
IPA60R600C6-ND
SP000660624
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 40V 14A 8-SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 14A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
AUIRF7484QTR
仓库库存编号:
AUIRF7484QTRTR-ND
别名:AUIRF7484QTRTR
SP001519200
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 25V 16A/31A TISON8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 11A, 31A 1W Surface Mount PG-TISON-8
型号:
BSC0910NDIATMA1
仓库库存编号:
BSC0910NDIATMA1-ND
别名:SP000998052
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 7.3A(Tc) 28W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA65R600C6XKSA1
仓库库存编号:
IPA65R600C6XKSA1-ND
别名:IPA65R600C6
IPA65R600C6-ND
SP000850502
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 650V 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI65R600C6XKSA1
仓库库存编号:
IPI65R600C6XKSA1-ND
别名:IPI65R600C6
IPI65R600C6-ND
SP000850504
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP65R600E6XKSA1
仓库库存编号:
IPP65R600E6XKSA1-ND
别名:IPP65R600E6
IPP65R600E6-ND
SP000850500
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP65R600C6XKSA1
仓库库存编号:
IPP65R600C6XKSA1-ND
别名:IPP65R600C6
IPP65R600C6-ND
SP000661310
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 9.4A(Ta),63A(Tc) 114W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC159N10LSF G
仓库库存编号:
BSC159N10LSFGATMA1CT-ND
别名:BSC159N10LSF GCT
BSC159N10LSF GCT-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 900V 5.1A(Tc) 83W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI90R1K2C3XKSA1
仓库库存编号:
IPI90R1K2C3XKSA1-ND
别名:IPI90R1K2C3
IPI90R1K2C3-ND
SP000413724
SP000683080
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 12A(Tc) 93W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB60R330P6ATMA1
仓库库存编号:
IPB60R330P6ATMA1-ND
别名:SP001364470
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 7.1A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 550V 7.1A(Tc) 66W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP50R520CPHKSA1
仓库库存编号:
IPP50R520CPHKSA1-ND
别名:IPP50R520CP
IPP50R520CP-ND
SP000236068
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 7.1A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 7.1A(Tc) 66W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP50R520CPXKSA1
仓库库存编号:
IPP50R520CPXKSA1-ND
别名:SP000680944
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 30V 13A 8-SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
AUIRF7805QTR
仓库库存编号:
AUIRF7805QTRTR-ND
别名:AUIRF7805QTRTR
SP001519422
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 120mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP135H6906XTSA1
仓库库存编号:
BSP135H6906XTSA1-ND
别名:SP001058594
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 8.1A(Tc) 66W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R520C6
仓库库存编号:
IPP60R520C6-ND
别名:IPP60R520C6XKSA1
SP000645068
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 8.1A(Tc) 66W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R520E6XKSA1
仓库库存编号:
IPP60R520E6XKSA1-ND
别名:IPP60R520E6
IPP60R520E6-ND
SP000797294
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 6A(Tc) 27.8W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA65R660CFDXKSA1
仓库库存编号:
IPA65R660CFDXKSA1-ND
别名:IPA65R660CFD
IPA65R660CFD-ND
SP000838284
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 650V 6A(Tc) 62.5W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI65R660CFDXKSA1
仓库库存编号:
IPI65R660CFDXKSA1-ND
别名:IPI65R660CFD
IPI65R660CFD-ND
SP000861696
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 6A(Tc) 62.5W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP65R660CFDXKSA1
仓库库存编号:
IPP65R660CFDXKSA1-ND
别名:IPP65R660CFD
IPP65R660CFD-ND
SP000745026
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 21A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 21A(Tc) 125W(Tc) PG-TO263-3
型号:
BUZ30AH3045AATMA1
仓库库存编号:
BUZ30AH3045AATMA1CT-ND
别名:BUZ30AH3045AINCT
BUZ30AH3045AINCT-ND
BUZ30AL3045AINCT
BUZ30AL3045AINCT-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB65R380C6ATMA1
仓库库存编号:
IPB65R380C6ATMA1CT-ND
别名:IPB65R380C6CT
IPB65R380C6CT-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 11A 60W D2PAK
详细描述:IGBT 1200V 11A 60W Surface Mount D2PAK
型号:
IRG4BH20K-STRLP
仓库库存编号:
IRG4BH20K-STRLP-ND
别名:SP001540346
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
IGBT 600V 13A 90W D2PAK
详细描述:IGBT NPT 600V 13A 90W Surface Mount D2PAK
型号:
IRGS6B60KTRLPBF
仓库库存编号:
IRGS6B60KTRLPBFCT-ND
别名:IRGS6B60KTRLPBFCT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 9.2A(Tc) 30W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R450E6XKSA1
仓库库存编号:
IPA60R450E6XKSA1-ND
别名:IPA60R450E6
IPA60R450E6-ND
SP000842484
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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