以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 7A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：AUIRF7478QTR
  仓库库存编号：AUIRF7478QTR-ND
  别名：SP001522778
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 600V 14A 38W DPAK
  详细描述：IGBT 600V 14A 38W Surface Mount D-Pak
  
  型号：IRG4RC10SDTRPBF
  仓库库存编号：IRG4RC10SDTRPBFCT-ND
  别名：IRG4RC10SDTRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD65R380E6BTMA1
  仓库库存编号：IPD65R380E6BTMA1CT-ND
  别名：IPD65R380E6BTMA1CT
  IPD65R380E6CT
  IPD65R380E6CT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD65R380E6ATMA1
  仓库库存编号：IPD65R380E6ATMA1-ND
  别名：SP001117736
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 5.7A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 5.7A（Tc） 48W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R750E6XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R750E6XKSA1-ND
  别名：IPP60R750E6
  IPP60R750E6-ND
  SP000842482
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 600V 9A 38W DPAK
  详细描述：IGBT 600V 9A 38W Surface Mount D-Pak
  
  型号：IRG4RC10KDTRPBF
  仓库库存编号：IRG4RC10KDTRPBFCT-ND
  别名：IRG4RC10KDTRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 8.7A（Tc） 83.3W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD65R420CFDBTMA1
  仓库库存编号：IPD65R420CFDBTMA1CT-ND
  别名：IPD65R420CFDCT
  IPD65R420CFDCT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 8.7A（Tc） 83.3W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD65R420CFDATMA1
  仓库库存编号：IPD65R420CFDATMA1-ND
  别名：SP001117738
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.2A（Tc） 74W（Tc） PG-TO252-3-1
  
  型号：SPD06N60C3ATMA1
  仓库库存编号：SPD06N60C3ATMA1-ND
  别名：SP001117770
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 35A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 35A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC0500NSIATMA1
  仓库库存编号：BSC0500NSIATMA1-ND
  别名：SP001288136
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 31A 8TSDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 31A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
  
  型号：BSZ014NE2LS5IFATMA1
  仓库库存编号：BSZ014NE2LS5IFATMA1-ND
  别名：SP001258924
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
  
  型号：BSZ0500NSIATMA1
  仓库库存编号：BSZ0500NSIATMA1-ND
  别名：SP001288150
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：AUIRF7316QTR
  仓库库存编号：AUIRF7316QTR-ND
  别名：SP001518472
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 6.5A, 4.9A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：AUIRF7319QTR
  仓库库存编号：AUIRF7319QTR-ND
  别名：SP001520168
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 600V 13A 60W TO220AB
  详细描述：IGBT 600V 13A 60W Through Hole TO-220AB
  
  型号：IRG4BC20WPBF
  仓库库存编号：IRG4BC20WPBF-ND
  别名：*IRG4BC20WPBF
  SP001541952
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IC DRIVER HIGH SIDE 600V 8SOIC
  详细描述：High-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC
  
  型号：AUIRS2123STR
  仓库库存编号：AUIRS2123STR-ND
  别名：SP001512098
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IC DRIVER HIGH SIDE 600V 8SOIC
  详细描述：High-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC
  
  型号：AUIRS2124STR
  仓库库存编号：AUIRS2124STR-ND
  别名：SP001512322
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 1200V 6.2A 62W TO263-3
  详细描述：IGBT NPT 1200V 6.2A 62W Surface Mount PG-TO263-3
  
  型号：SGB02N120
  仓库库存编号：SGB02N120ATMA1CT-ND
  别名：SGB02N120CT
  SGB02N120CT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 10A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 10A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：AUIRF7416QTR
  仓库库存编号：AUIRF7416QTR-ND
  别名：SP001516460
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 100A（Tc） 83W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC027N06LS5ATMA1
  仓库库存编号：BSC027N06LS5ATMA1-ND
  别名：SP001385616
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 600V 13A 60W D2PAK
  详细描述：IGBT 600V 13A 60W Surface Mount D2PAK
  
  型号：IRG4BC20W-SPBF
  仓库库存编号：IRG4BC20W-SPBF-ND
  别名：*IRG4BC20W-SPBF
  SP001547922
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R600P6XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R600P6XKSA1-ND
  别名：IPP60R600P6
  IPP60R600P6-ND
  SP001017054
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 30A（Ta），100A（Tc） 2.8W（Ta），104W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC019N02KSGAUMA1
  仓库库存编号：BSC019N02KSGAUMA1TR-ND
  别名：BSC019N02KS G
  BSC019N02KS G-ND
  SP000307376
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 600V 9A 38W TO220AB
  详细描述：IGBT 600V 9A 38W Through Hole TO-220AB
  
  型号：IRG4BC10KDPBF
  仓库库存编号：IRG4BC10KDPBF-ND
  别名：*IRG4BC10KDPBF
  SP001532484
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 28W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R600E6XKSA1
  仓库库存编号：IPA60R600E6XKSA1-ND
  别名：IPA60R600E6
  IPA60R600E6-ND
  SP000797298
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索