规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 6A(Tc) 62.5W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R660CFDATMA1
仓库库存编号:
IPD65R660CFDATMA1-ND
别名:SP001117748
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 33A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 33A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC015NE2LS5IATMA1
仓库库存编号:
BSC015NE2LS5IATMA1-ND
别名:SP001288138
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 650V 31W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA65R400CEXKSA1
仓库库存编号:
IPA65R400CEXKSA1-ND
别名:SP001429766
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 28A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),96W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC020N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC020N03LSGATMA1CT-ND
别名:BSC020N03LS GCT
BSC020N03LS GCT-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO-251-3
详细描述:通孔 N 沟道 650V 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS65R600E6AKMA1
仓库库存编号:
IPS65R600E6AKMA1-ND
别名:SP001273092
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 18A(Tc) 57W(Tc) D-Pak
型号:
AUIRFR5505TRL
仓库库存编号:
AUIRFR5505TRL-ND
别名:SP001519572
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 90A(Tc) 3.1W(Ta),120W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3709STRLPBF
仓库库存编号:
IRF3709STRLPBF-ND
别名:SP001559576
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 600V 3.2A(Tc) 38W(Tc) PG-TO251-3
型号:
SPU03N60S5BKMA1
仓库库存编号:
SPU03N60S5BKMA1-ND
别名:SP000012423
SPU03N60S5
SPU03N60S5-ND
SPU03N60S5IN
SPU03N60S5IN-ND
SPU03N60S5X
SPU03N60S5XK
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 91A(Tc) 115W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR8103VPBF
仓库库存编号:
IRLR8103VPBF-ND
别名:SP001567340
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 68A PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 68A(Tc) 83W(Tc) PQFN(5x6)
型号:
IRFH7787TRPBF
仓库库存编号:
IRFH7787TRPBFCT-ND
别名:IRFH7787TRPBFCT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 800V 5.7A(Tc) 83W(Tc) PG-TO251
型号:
IPU80R1K0CEAKMA1
仓库库存编号:
IPU80R1K0CEAKMA1-ND
别名:SP001593928
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 20V 7A 8DSO
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 7A 1.6W Surface Mount P-DSO-8
型号:
BSO203PHXUMA1
仓库库存编号:
BSO203PHXUMA1CT-ND
别名:BSO203P HCT
BSO203P HCT-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 7.8A 52W DPAK
详细描述:IGBT NPT 600V 7.8A 52W Surface Mount D-Pak
型号:
IRGR3B60KD2TRP
仓库库存编号:
IRGR3B60KD2TRPCT-ND
别名:IRGR3B60KD2TRPCT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB60R600P6ATMA1
仓库库存编号:
IPB60R600P6ATMA1-ND
别名:SP001313874
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 27A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 27A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),78W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC019N04LSATMA1
仓库库存编号:
BSC019N04LSATMA1-ND
别名:SP001067012
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.3A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
AUIRF7304QTR
仓库库存编号:
AUIRF7304QTR-ND
别名:SP001515778
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 5.8A, 4.3A 2.5W Surface Mount 8-SO
型号:
AUIRF7379QTR
仓库库存编号:
AUIRF7379QTR-ND
别名:SP001520160
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 135A
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 135A(Tc) 74W(Tc) DirectFET? 等容 MF
型号:
IRF7483MTRPBF
仓库库存编号:
IRF7483MTRPBFCT-ND
别名:IRF7483MTRPBFCT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 4.5A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 560V 4.5A(Tc) 50W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB04N50C3ATMA1
仓库库存编号:
SPB04N50C3ATMA1TR-ND
别名:SP000014477
SPB04N50C3
SPB04N50C3-ND
SPB04N50C3INTR
SPB04N50C3INTR-ND
SPB04N50C3XT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 14A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7463TRPBF
仓库库存编号:
IRF7463PBFTR-ND
别名:IRF7463PBFTR
IRF7463TRPBF-ND
IRF7463TRPBFTR-ND
SP001551388
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 32A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 32A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),69W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ013NE2LS5IATMA1
仓库库存编号:
BSZ013NE2LS5IATMA1-ND
别名:SP001288148
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
IGBT 600V 6.3A 35W DPAK
详细描述:IGBT NPT 600V 6.3A 35W Surface Mount D-Pak
型号:
IRGR2B60KDTRLPBF
仓库库存编号:
IRGR2B60KDTRLPBF-ND
别名:SP001548348
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 82A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 82A(Tc) 2.5W(Ta),74W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC061N08NS5ATMA1
仓库库存编号:
BSC061N08NS5ATMA1-ND
别名:SP001232634
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB65R600C6ATMA1
仓库库存编号:
IPB65R600C6ATMA1CT-ND
别名:IPB65R600C6CT
IPB65R600C6CT-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 7.6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 560V 7.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD08N50C3
仓库库存编号:
SPD08N50C3INCT-ND
别名:SPD08N50C3INCT
SPD08N50C3XTINCT
SPD08N50C3XTINCT-ND
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