规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT-224
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 3.1A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
AUIRLL024NTR
仓库库存编号:
AUIRLL024NTR-ND
别名:SP001518736
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 29A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC018NE2LSATMA1
仓库库存编号:
BSC018NE2LSATMA1CT-ND
别名:BSC018NE2LSCT
BSC018NE2LSCT-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 1.22A SOT883
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 1.22A(Tc) 2.5W(Tc) DFN1006-3
型号:
PMZ760SN,315
仓库库存编号:
568-7443-1-ND
别名:568-7443-1
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 3.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 3.2A(Tc) 38W(Tc) PG-TO252-3-1
型号:
SPD03N60C3ATMA1
仓库库存编号:
SPD03N60C3ATMA1-ND
别名:SP001117760
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 15A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 15A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7457TRPBF
仓库库存编号:
IRF7457PBFCT-ND
别名:*IRF7457TRPBF
IRF7457PBFCT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 29A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 29A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC0501NSIATMA1
仓库库存编号:
BSC0501NSIATMA1-ND
别名:SP001288140
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 120mA(Ta) 1.8W(Ta) SOT-223
型号:
BSP135H6433XTMA1
仓库库存编号:
BSP135H6433XTMA1-ND
别名:SP001058592
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 8.9A(Ta) 2.35W(Ta) 8-SO
型号:
BSO303SPNTMA1
仓库库存编号:
BSO303SPNTMA1TR-ND
别名:BSO303SPT
BSO303SPXTINTR
BSO303SPXTINTR-ND
SP000014019
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 11A(Tc) 38W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
AUIRFR9024NTRL
仓库库存编号:
AUIRFR9024NTRL-ND
别名:SP001518586
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO251
详细描述:通孔 N 沟道 600V 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU60R600C6AKMA1
仓库库存编号:
IPU60R600C6AKMA1-ND
别名:SP001292878
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 7.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7495TRPBF
仓库库存编号:
IRF7495TRPBFCT-ND
别名:*IRF7495TRPBF
IRF7495PBFCT
IRF7495PBFCT-ND
IRF7495TRPBFCT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 5.4A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
AUIRF7207QTR
仓库库存编号:
AUIRF7207QTR-ND
别名:SP001517970
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.5A, 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
AUIRF9952QTR
仓库库存编号:
AUIRF9952QTR-ND
别名:SP001517940
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 3.2A TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 650V 3.2A(Tc) 38W(Tc) PG-TO251-3
型号:
SPS03N60C3BKMA1
仓库库存编号:
SPS03N60C3BKMA1-ND
别名:SP000235877
SP000307418
SPS03N60C3
SPS03N60C3-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 650V 3.2A(Tc) 38W(Tc) PG-TO251-3
型号:
SPU03N60C3BKMA1
仓库库存编号:
SPU03N60C3BKMA1-ND
别名:SP000095849
SPU03N60C3
SPU03N60C3-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 27A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 27A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),50W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ017NE2LS5IATMA1
仓库库存编号:
BSZ017NE2LS5IATMA1-ND
别名:SP001288152
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 17A, 32A 1W Surface Mount PG-TISON-8
型号:
BSC0924NDIATMA1
仓库库存编号:
BSC0924NDIATMA1-ND
别名:SP000934750
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 500V 3.6A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 500V 3.6A(Tc) 78W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB812PBF
仓库库存编号:
IRFB812PBF-ND
别名:SP001563948
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 25A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 25A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),50W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ0501NSIATMA1
仓库库存编号:
BSZ0501NSIATMA1-ND
别名:SP001281638
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 6.2A 62W TO252-3
详细描述:IGBT NPT 1200V 6.2A 62W Surface Mount PG-TO252-3
型号:
SGD02N120
仓库库存编号:
SGD02N120BUMA1CT-ND
别名:SGD02N120CT
SGD02N120CT-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 17A, 32A 1W Surface Mount PG-TISON-8
型号:
BSC0923NDIATMA1
仓库库存编号:
BSC0923NDIATMA1-ND
别名:SP000934758
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 19A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7834TRPBF
仓库库存编号:
IRF7834PBFTR-ND
别名:IRF7834PBFTR
IRF7834TRPBF-ND
IRF7834TRPBFTR-ND
SP001563774
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R600E6BTMA1
仓库库存编号:
IPD65R600E6BTMA1CT-ND
别名:IPD65R600E6BTMA1CT
IPD65R600E6CT
IPD65R600E6CT-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R600E6ATMA1
仓库库存编号:
IPD65R600E6ATMA1-ND
别名:SP001117096
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 6A(Tc) 62.5W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R660CFDBTMA1
仓库库存编号:
IPD65R660CFDBTMA1TR-ND
别名:IPD65R660CFD
IPD65R660CFD-ND
SP000745024
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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