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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 20V 5A 8DSO
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 5A 1.6W Surface Mount PG-DSO-8
型号:
BSO207PHXUMA1
仓库库存编号:
BSO207PHXUMA1CT-ND
别名:BSO207P HCT
BSO207P HCT-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 7.2A 8DSO
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 7.2A(Ta) 1.56W(Ta) PG-DSO-8
型号:
BSO303SPHXUMA1
仓库库存编号:
BSO303SPHXUMA1CT-ND
别名:BSO303SP HCT
BSO303SP HCT-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 20A(Tc) 2.1W(Ta),69W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ076N06NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSZ076N06NS3GATMA1CT-ND
别名:BSZ076N06NS3GINCT
BSZ076N06NS3GINCT-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 14.9A TDSON-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 14.9A(Ta),78.6A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC084P03NS3EGATMA1
仓库库存编号:
BSC084P03NS3EGATMA1TR-ND
别名:BSC084P03NS3E G
BSC084P03NS3E G-ND
BSC084P03NS3E GTR-ND
SP000473012
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 20A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 20A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),36W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ0503NSIATMA1
仓库库存编号:
BSZ0503NSIATMA1-ND
别名:SP001288156
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 240V 350mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP129H6906XTSA1
仓库库存编号:
BSP129H6906XTSA1-ND
别名:SP001058586
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 55V 5A 8DSO
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 5A 2W Surface Mount P-DSO-8
型号:
BSO604NS2XUMA1
仓库库存编号:
BSO604NS2XUMA1TR-ND
别名:BSO604NS2
BSO604NS2-ND
BSO604NS2NT
BSO604NS2T
BSO604NS2TR
BSO604NS2TR-ND
BSO604NS2XT
SP000396268
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 3.9A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 3.9A(Tc) 36.7W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R950CFDATMA1
仓库库存编号:
IPD65R950CFDATMA1-ND
别名:SP001117750
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 400V 0.21A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 210mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP179H6327XTSA1
仓库库存编号:
BSP179H6327XTSA1-ND
别名:SP001212770
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 6.3A 35W DPAK
详细描述:IGBT NPT 600V 6.3A 35W Surface Mount D-Pak
型号:
IRGR2B60KDTRPBF
仓库库存编号:
IRGR2B60KDTRPBF-ND
别名:SP001536510
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 6.3A 35W DPAK
详细描述:IGBT NPT 600V 6.3A 35W Surface Mount D-Pak
型号:
IRGR2B60KDTRRPBF
仓库库存编号:
IRGR2B60KDTRRPBF-ND
别名:SP001533092
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 4.5A(Tc) 37W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R950C6ATMA1
仓库库存编号:
IPD65R950C6ATMA1-ND
别名:SP001107082
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 100A(Tc) 2.5W(Ta),120W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3711TRPBF
仓库库存编号:
IRFR3711PBFTR-ND
别名:IRFR3711PBFTR
IRFR3711TRPBF-ND
IRFR3711TRPBFTR-ND
SP001557028
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 100A(Tc) 2.5W(Ta),120W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3711TRLPBF
仓库库存编号:
IRFR3711TRLPBF-ND
别名:SP001578136
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 15A TISON8
详细描述:Mosfet Array 2 N Channel (Dual Buck Chopper) 30V 15A 2.5W Surface Mount PG-TISON-8
型号:
BSC0925NDATMA1
仓库库存编号:
BSC0925NDATMA1-ND
别名:SP000934752
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 64A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 64A(Tc) 46W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC065N06LS5ATMA1
仓库库存编号:
BSC065N06LS5ATMA1-ND
别名:SP001385614
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 21A 8TSDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 21A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),63W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ028N04LSATMA1
仓库库存编号:
BSZ028N04LSATMA1-ND
别名:SP001067016
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 26A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 26A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta), 43W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC0502NSIATMA1
仓库库存编号:
BSC0502NSIATMA1-ND
别名:SP001288142
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET NCH 55V 5A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 5A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
AUIRLL024ZTR
仓库库存编号:
AUIRLL024ZTRTR-ND
别名:AUIRLL024ZTRTR
SP001517712
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 91A(Tc) 115W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR8103VTRPBF
仓库库存编号:
IRLR8103VPBFTR-ND
别名:IRLR8103VPBFTR
SP001558514
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 2.8A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
AUIRFL024NTR
仓库库存编号:
AUIRFL024NTR-ND
别名:SP001519268
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 22A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 22A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta), 43W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ0502NSIATMA1
仓库库存编号:
BSZ0502NSIATMA1-ND
别名:SP001288154
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 40A(Tc) 63W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ084N08NS5ATMA1
仓库库存编号:
BSZ084N08NS5ATMA1-ND
别名:SP001227056
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 170mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS119L6433HTMA1
仓库库存编号:
BSS119L6433HTMA1CT-ND
别名:BSS119 L6433CT
BSS119 L6433CT-ND
BSS119L6433
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 5.7A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 5.7A(Tc) 48W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R750E6ATMA1
仓库库存编号:
IPD60R750E6ATMA1-ND
别名:SP001117728
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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