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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 250W(Tc) TO-263(IXFA)
型号:
IXFA6N120P
仓库库存编号:
IXFA6N120P-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 45A 200W TO247AC
详细描述:IGBT 1200V 45A 200W Through Hole TO-247AC
型号:
IRG4PH50UDPBF
仓库库存编号:
IRG4PH50UDPBF-ND
别名:*IRG4PH50UDPBF
SP001542126
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 27A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 27A(Tc) 500W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP27N60KPBF
仓库库存编号:
IRFP27N60KPBF-ND
别名:*IRFP27N60KPBF
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 46A TO-263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 46A(Tc) 227W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB65R045C7ATMA1
仓库库存编号:
IPB65R045C7ATMA1CT-ND
别名:IPB65R045C7ATMA1CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 36A SUPER247
详细描述:通孔 N 沟道 36A(Tc) 446W(Tc) SUPER-247(TO-274AA)
型号:
IRFPS37N50APBF
仓库库存编号:
IRFPS37N50APBF-ND
别名:*IRFPS37N50APBF
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 62A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 62A(Tc) 298W(Tc) TO-3PN
型号:
FQA62N25C
仓库库存编号:
FQA62N25CFS-ND
别名:FQA62N25C-ND
FQA62N25CFS
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 57.7A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 57.7A(Tc) 480.8W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R074C6XKSA1
仓库库存编号:
IPP60R074C6XKSA1-ND
别名:SP000898652
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 700V 43.3A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 43.3A(Tc) 391W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW65R080CFD
仓库库存编号:
IPW65R080CFD-ND
别名:IPW65R080CFDFKSA1
SP000745036
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Linear Technology
IC REG BUCK ADJ 3A DL SYNC 24QFN
详细描述:可调式 降压 开关稳压器 IC 正 0.6V 2 输出 3A 24-WFQFN 裸露焊盘
型号:
LTC3615EUF-1#PBF
仓库库存编号:
LTC3615EUF-1#PBF-ND
别名:LTC3615EUF1PBF
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 1200V 35A D-34A
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 1200V 35A QC Terminal D-34
型号:
VS-36MB120A
仓库库存编号:
36MB120A-ND
别名:*36MB120A
36MB120A
VS-36MB120A-ND
VS-36MB120AL
VS36MB120A-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 34A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 34A(Tc) 40W(Tc) TO-220FP
型号:
STF40N60M2
仓库库存编号:
497-14193-5-ND
别名:497-14193-5
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 600V 160A 250W TO264
详细描述:IGBT 600V 160A 250W Through Hole TO-264
型号:
SGL160N60UFDTU
仓库库存编号:
SGL160N60UFDTU-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Cree/Wolfspeed
1000V, 120 MOHM, G3 SIC MOSFET
详细描述:通孔 N 沟道 22A(Tc) 83W(Tc) TO-247-4L
型号:
C3M0120100K
仓库库存编号:
C3M0120100K-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 57.7A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 57.7A(Tc) 480.8W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP65R074C6XKSA1
仓库库存编号:
IPP65R074C6XKSA1-ND
别名:SP000898650
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 500V 20A TO-247
详细描述:通孔 P 沟道 20A(Tc) 460W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH20P50P
仓库库存编号:
IXTH20P50P-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Linear Technology
IC REG BUCK BST ADJ 2.5A 20TSSOP
详细描述:可调式 降压升压 开关稳压器 IC 正 2.5V 1 输出 2.5A 20-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)裸露焊盘
型号:
LTC3112IFE#PBF
仓库库存编号:
LTC3112IFE#PBF-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1KV 6A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 180W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH6N100
仓库库存编号:
IXFH6N100-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 34A TO-3PF
详细描述:通孔 N 沟道 34A(Tc) 63W(Tc) TO-3PF
型号:
STFW40N60M2
仓库库存编号:
497-15538-5-ND
别名:497-15538-5
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 19.5A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 19.5A(Tc) 40W(Tc) TO-220FP
型号:
STF25N80K5
仓库库存编号:
497-13644-5-ND
别名:497-13644-5
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 600V 10A TO-247AD
详细描述:通孔 P 沟道 10A(Tc) 300W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH10P60
仓库库存编号:
IXTH10P60-ND
别名:Q1152201
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 36A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 36A(Tc) 650W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH36N60P
仓库库存编号:
IXFH36N60P-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 300W TO247AD
详细描述:IGBT PT 1200V 300W Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号:
IXGH30N120B3D1
仓库库存编号:
IXGH30N120B3D1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Linear Technology
IC REG FLYBACK INV ISO TSOT23
详细描述:反激 开关稳压器 IC 正或负,可提供隔离 1 输出 1.2A SOT-23-5 细型,TSOT-23-5
型号:
LT8301MPS5#TRMPBF
仓库库存编号:
LT8301MPS5#TRMPBFCT-ND
别名:LT8301MPS5#TRMPBFCT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 50A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH50N20
仓库库存编号:
IXFH50N20-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 100V 90A TO-268
详细描述:表面贴装 P 沟道 90A(Tc) 462W(Tc) TO-268
型号:
IXTT90P10P
仓库库存编号:
IXTT90P10P-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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