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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 37A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 37A（Tc） 357W（Tc） TO-247
  
  型号：FCH104N60F
  仓库库存编号：FCH104N60F-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 1000V 60A 180W TO264
  详细描述：IGBT NPT and Trench 1000V 60A 180W Through Hole TO-264
  
  型号：FGL60N100BNTD
  仓库库存编号：FGL60N100BNTDFS-ND
  别名：FGL60N100BNTD-ND
  FGL60N100BNTDFS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 33A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Tc） 278W（Tc） D2PAK
  
  型号：SIHB33N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHB33N60E-GE3-ND
  别名：SIHB33N60EGE3
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 50V 140A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 140A（Tc） 298W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP140P05T
  仓库库存编号：IXTP140P05T-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECT BRIDGE 1-PH 200V 35A GBPC-A
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 35A QC Terminal GBPC-A
  
  型号：VS-GBPC3502A
  仓库库存编号：GBPC3502A-ND
  别名：*GBPC3502A
  GBPC3502A
  VS-GBPC3502A-ND
  VSGBPC3502A
  VSGBPC3502A-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 30A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 290W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA30N40
  仓库库存编号：FQA30N40-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 6A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP6N50D2
  仓库库存编号：IXTP6N50D2-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 400V 25A D-34A
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 25A QC Terminal D-34
  
  型号：VS-26MB40A
  仓库库存编号：26MB40A-ND
  别名：*26MB40A
  26MB40A
  VS-26MB40A-ND
  VS26MB40A
  VS26MB40A-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 85V 96A TO-247
  详细描述：通孔 P 沟道 96A（Tc） 298W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH96P085T
  仓库库存编号：IXTH96P085T-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 6A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 300W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA6N50D2
  仓库库存编号：IXTA6N50D2-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 26A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 400W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH26N50P
  仓库库存编号：IXFH26N50P-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 31.2A（Tc） 277.8W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW65R110CFD
  仓库库存编号：IPW65R110CFD-ND
  别名：IPW65R110CFDFKSA1
  SP000895232
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 37.9A（Tc） 278W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R099C6
  仓库库存编号：IPW60R099C6-ND
  别名：IPW60R099C6FKSA1
  SP000641908
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 90A 520W TO247AC
  详细描述：IGBT 600V 90A 520W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRG4PC60FPBF
  仓库库存编号：IRG4PC60FPBF-ND
  别名：*IRG4PC60FPBF
  SP001532584
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 70A 200W TO247AC
  详细描述：IGBT 600V 70A 200W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRG4PC50FDPBF
  仓库库存编号：IRG4PC50FDPBF-ND
  别名：*IRG4PC50FDPBF
  SP001545704
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 500V 10A TO-247
  详细描述：通孔 P 沟道 10A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH10P50P
  仓库库存编号：IXTH10P50P-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 1200V 64A 500W TO264
  详细描述：IGBT NPT 1200V 64A 500W Through Hole TO-264
  
  型号：FGL40N120ANDTU
  仓库库存编号：FGL40N120ANDTU-ND
  别名：FGL40N120ANDTU_NL
  FGL40N120ANDTU_NL-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 500V 8A TO-247
  详细描述：通孔 P 沟道 8A（Tc） 180W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH8P50
  仓库库存编号：IXTH8P50-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 900V 18.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 18.5A（Tc） 250W（Tc） TO-220-3
  
  型号：STP21N90K5
  仓库库存编号：497-12864-5-ND
  别名：497-12864-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 31A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 31A（Tc） 255W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R099CPXKSA1
  仓库库存编号：IPP60R099CPXKSA1-ND
  别名：IPP60R099CP
  IPP60R099CPIN
  IPP60R099CPIN-ND
  IPP60R099CPXK
  IPP60R099CSIN
  IPP60R099CSIN-ND
  IPP60R099CSX
  IPP60R099CSXTIN
  IPP60R099CSXTIN-ND
  SP000057021
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 75A 463W TO247
  详细描述：IGBT 600V 75A 463W Through Hole TO-247-3
  
  型号：HGTG30N60A4
  仓库库存编号：HGTG30N60A4-ND
  别名：HGTG30N60A4_NL
  HGTG30N60A4_NL-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 400V 35A D-34A
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 35A QC Terminal D-34
  
  型号：VS-36MB40A
  仓库库存编号：36MB40A-ND
  别名：*36MB40A
  36MB40A
  VS-36MB40A-ND
  VS36MB40A
  VS36MB40A-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Linear Technology
  IC REG CTRLR BUCK 10MSOP
  详细描述：Buck Regulator Positive Output Step-Down DC-DC Controller IC 10-MSOP-EP
  
  型号：LTC3824MPMSE#PBF
  仓库库存编号：LTC3824MPMSE#PBF-ND
  别名：LTC3824MPMSEPBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 110A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 694W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH110N25T
  仓库库存编号：IXTH110N25T-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 60A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 1040W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXFQ60N50P3
  仓库库存编号：IXFQ60N50P3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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