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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 27A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 27A（Tc） 357W（Tc） TO-220
型号：
AOT27S60L
仓库库存编号：
785-1252-5-ND
别名：785-1252-5
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 1200V 35A 298W TO247
详细描述：IGBT NPT 1200V 35A 298W Through Hole TO-247
型号：
HGTG10N120BND
仓库库存编号：
HGTG10N120BND-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 208W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FCB20N60FTM
仓库库存编号：
FCB20N60FTMCT-ND
别名：FCB20N60FTMCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 7.8A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 7.8A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFPE50PBF
仓库库存编号：
IRFPE50PBF-ND
别名：*IRFPE50PBF
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 50A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 260W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB2710
仓库库存编号：
FDB2710CT-ND
别名：FDB2710CT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
型号：
STF11NM60ND
仓库库存编号：
497-11884-5-ND
别名：497-11884-5
STF11NM60ND-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 300V 60A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 658W（Tc） TO-247
型号：
AOK60N30L
仓库库存编号：
785-1449-5-ND
别名：785-1449-5
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 19A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta），132A（Tc） 3.4W（Ta），165W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS6B03NT1G
仓库库存编号：
NTMFS6B03NT1GOSCT-ND
别名：NTMFS6B03NT1GOSCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 31A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 31A（Tc） 255W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB60R099CP
仓库库存编号：
IPB60R099CPCT-ND
别名：IPB60R099CPCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 600V 60A 200W TO247
详细描述：IGBT 600V 60A 200W Through Hole TO-247-3
型号：
STGW20NC60VD
仓库库存编号：
497-4357-5-ND
别名：497-4357-5
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 50A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 400W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP50N25T
仓库库存编号：
IXTP50N25T-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Intersil
IC DRIVER FET H-BRIDGE 16SOIC
详细描述：Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 16-SOIC
型号：
HIP4082IBZ
仓库库存编号：
HIP4082IBZ-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 20A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 280W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB20N50KPBF
仓库库存编号：
IRFB20N50KPBF-ND
别名：*IRFB20N50KPBF
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Intersil
IC DRIVER FET H-BRIDGE 16DIP
详细描述：Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 16-PDIP
型号：
HIP4082IPZ
仓库库存编号：
HIP4082IPZ-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 18A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 150W（Tc） TO-220
型号：
STP24N60M2
仓库库存编号：
497-13556-5-ND
别名：497-13556-5
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 12A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 190W（Tc） TO-247
型号：
STW13N80K5
仓库库存编号：
497-15160-5-ND
别名：497-15160-5
STW13N80K5-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 25A 200V GBPC
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 25A QC Terminal GBPC
型号：
GBPC2502-E4/51
仓库库存编号：
GBPC2502-E4/51GI-ND
别名：GBPC2502-E4/51GI
GBPC2502/1
GBPC2502/1GI
GBPC2502/1GI-ND
GBPC2502E451
GBPC2502GI
GBPC2502GI-ND
KBPC2502
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 25A 600V GBPC
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 25A QC Terminal GBPC
型号：
GBPC2506-E4/51
仓库库存编号：
GBPC2506-E4/51GI-ND
别名：GBPC2506-E4/1
GBPC2506-E4/1-ND
GBPC2506-E4/1GI
GBPC2506-E4/1GI-ND
GBPC2506-E4/51GI
GBPC2506E451
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 25A 400V GBPC
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 25A QC Terminal GBPC
型号：
GBPC2504-E4/51
仓库库存编号：
GBPC2504-E4/51GI-ND
别名：GBPC2504-E4/51GI
GBPC2504/1
GBPC2504/1GI
GBPC2504/1GI-ND
GBPC2504E451
GBPC2504GI
GBPC2504GI-ND
KBPC2504
KPBC2504
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE 1PH 25A 1000V GBPC
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 25A QC Terminal GBPC
型号：
GBPC2510-E4/51
仓库库存编号：
GBPC2510-E4/51GI-ND
别名：GBPC2510-E4/51-ND
GBPC2510-E4/51GI
GBPC2510E451
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 12A 100V GBPC
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 12A QC Terminal GBPC
型号：
GBPC1201-E4/51
仓库库存编号：
GBPC1201-E4/51GI-ND
别名：GBPC1201-E4/51GI
GBPC1201E451
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 22A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 277W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP22N50APBF
仓库库存编号：
IRFP22N50APBF-ND
别名：*IRFP22N50APBF
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1000V 6.5A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 6.5A（Tc） 40W（Tc） TO-220FP
型号：
STF8NK100Z
仓库库存编号：
497-5007-5-ND
别名：497-5007-5
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 600V 80A 250W TO247
详细描述：IGBT 600V 80A 250W Through Hole TO-247-3
型号：
STGW39NC60VD
仓库库存编号：
497-5741-ND
别名：497-5741
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 18A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 30W（Tc） TO-220 整包
型号：
STF24N60DM2
仓库库存编号：
497-15115-5-ND
别名：497-15115-5
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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