规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 137VC 132A PLAD
型号:
MXPLAD18KP8.5AE3
仓库库存编号:
MXPLAD18KP8.5AE3-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 137VC 132A PLAD
型号:
MXPLAD18KP85AE3
仓库库存编号:
MXPLAD18KP85AE3-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 146VC 124A PLAD
型号:
MXPLAD18KP9.0AE3
仓库库存编号:
MXPLAD18KP9.0AE3-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 146VC 124A PLAD
型号:
MXPLAD18KP90AE3
仓库库存编号:
MXPLAD18KP90AE3-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 62A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 62A(Tc) 800W(Tc) SOT-227B
型号:
IXTN62N50L
仓库库存编号:
IXTN62N50L-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
IXYS
IGBT 2500V 116A 500W ISOPLUSI5
详细描述:IGBT 2500V 116A 500W Through Hole ISOPLUSi5-Pak?
型号:
IXBL64N250
仓库库存编号:
IXBL64N250-ND
别名:Q7051550
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
IXYS
IC TRANS BIPO 1700V SOT-227
详细描述:IGBT Module Single 1700V 75A 625W Chassis Mount SOT-227B
型号:
IXBN75N170A
仓库库存编号:
IXBN75N170A-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE STD REC 1600V 100A 3PH
详细描述:Bridge Rectifier Three Phase 1600V 100A Surface Mount 5-SMD
型号:
M3P100A-160
仓库库存编号:
M3P100A-160GN-ND
别名:M3P100A-160GN
M3P100A160
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
GeneSiC Semiconductor
DIODE STD REC 800V 100A 3PH
详细描述:Bridge Rectifier Three Phase 800V 100A Surface Mount 5-SMD
型号:
M3P100A-80
仓库库存编号:
M3P100A-80GN-ND
别名:M3P100A-80GN
M3P100A80
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 1200V 32A(Tc) 1000W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN32N120P
仓库库存编号:
IXFN32N120P-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 600V 84A(Tc) 961W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT80F60J
仓库库存编号:
APT80F60J-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 2500V 5A SOT227B
详细描述:底座安装 N 沟道 2500V 5A(Tc) 700W(Tc) SOT-227B
型号:
IXTN5N250
仓库库存编号:
IXTN5N250-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 100VWM 162VC SMD
型号:
MAPLAD30KP100CA
仓库库存编号:
1086-4806-ND
别名:1086-4806
1086-4806-MIL
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 100VWM 162VC SMD
型号:
MAPLAD30KP100CAE3
仓库库存编号:
1086-4807-ND
别名:1086-4807
1086-4807-MIL
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 110VWM 177VC SMD
型号:
MAPLAD30KP110CA
仓库库存编号:
1086-4810-ND
别名:1086-4810
1086-4810-MIL
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 110VWM 177VC SMD
型号:
MAPLAD30KP110CAE3
仓库库存编号:
1086-4811-ND
别名:1086-4811
1086-4811-MIL
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 120VWM 193VC SMD
型号:
MAPLAD30KP120CA
仓库库存编号:
1086-4814-ND
别名:1086-4814
1086-4814-MIL
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 120VWM 193VC SMD
型号:
MAPLAD30KP120CAE3
仓库库存编号:
1086-4815-ND
别名:1086-4815
1086-4815-MIL
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 130VWM 209VC SMD
型号:
MAPLAD30KP130CA
仓库库存编号:
1086-4818-ND
别名:1086-4818
1086-4818-MIL
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 130VWM 209VC SMD
型号:
MAPLAD30KP130CAE3
仓库库存编号:
1086-4819-ND
别名:1086-4819
1086-4819-MIL
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 14VWM 24VC SMD
型号:
MAPLAD30KP14CA
仓库库存编号:
1086-4822-ND
别名:1086-4822
1086-4822-MIL
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 14VWM 24VC SMD
型号:
MAPLAD30KP14CAE3
仓库库存编号:
1086-4823-ND
别名:1086-4823
1086-4823-MIL
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 150VWM 243VC SMD
型号:
MAPLAD30KP150CA
仓库库存编号:
1086-4826-ND
别名:1086-4826
1086-4826-MIL
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 150VWM 243VC SMD
型号:
MAPLAD30KP150CAE3
仓库库存编号:
1086-4827-ND
别名:1086-4827
1086-4827-MIL
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 15VWM 25.8VC SMD
型号:
MAPLAD30KP15CA
仓库库存编号:
1086-4830-ND
别名:1086-4830
1086-4830-MIL
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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