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• Texas Instruments
  IC REG CTRLR PWM CM 8SOIC
  详细描述：Converter Offline Boost, Buck, Flyback, Forward Topology 1MHz 8-SOIC
  
  型号：UCC3813D-2
  仓库库存编号：296-11494-5-ND
  别名：296-11494-5
  UCC3813D2
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  RECT BRIDGE GPP 25A 600V GBPC
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 25A QC Terminal GBPC
  
  型号：GBPC2506
  仓库库存编号：GBPC2506-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  RECT BRIDGE GPP 15A 600V GBPC-W
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 15A Through Hole GBPC-W
  
  型号：GBPC1506W
  仓库库存编号：GBPC1506WFS-ND
  别名：GBPC1506WFS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 22A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 312.5W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP22N50N
  仓库库存编号：FDP22N50N-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 16A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP350PBF
  仓库库存编号：IRFP350PBF-ND
  别名：*IRFP350PBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 6A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 110W（Tc） TO-220
  
  型号：STP7N80K5
  仓库库存编号：497-13589-5-ND
  别名：497-13589-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 20A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FDP20N50
  仓库库存编号：FDP20N50-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 62A（Tc） 260W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB2614
  仓库库存编号：FDB2614CT-ND
  别名：FDB2614CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  TRANS PNP 250V 17A TO-3P
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 250V 17A 30MHz 130W Through Hole TO-3P
  
  型号：2SA1962OTU
  仓库库存编号：2SA1962OTU-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP450APBF
  仓库库存编号：IRFP450APBF-ND
  别名：*IRFP450APBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP450PBF
  仓库库存编号：IRFP450PBF-ND
  别名：*IRFP450PBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF10NM60N
  仓库库存编号：497-12564-5-ND
  别名：497-12564-5
  STF10NM60N-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 30A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP250PBF
  仓库库存编号：IRFP250PBF-ND
  别名：*IRFP250PBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Comchip Technology
  RECT BRIDGE GPP 600V 35A GBPC
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 35A QC Terminal GBPC
  
  型号：GBPC3506-G
  仓库库存编号：641-1378-ND
  别名：641-1378
  GBPC3506G
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Comchip Technology
  RECT BRIDGE GPP 1000V 35A GBPCW
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 35A Through Hole GBPC-W
  
  型号：GBPC3510W-G
  仓库库存编号：641-1386-ND
  别名：641-1386
  GBPC3510WG
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  RECT BRIDGE GPP 35A 200V GBPC-W
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 35A Through Hole GBPC-W
  
  型号：GBPC3502W
  仓库库存编号：GBPC3502WFS-ND
  别名：GBPC3502W-ND
  GBPC3502WFS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  RECT BRIDGE GPP 35A 1000V GBPC-W
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 35A Through Hole GBPC-W
  
  型号：GBPC3510W
  仓库库存编号：GBPC3510WFS-ND
  别名：GBPC3510WFS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  RECT BRIDGE GPP 35A 800V GBPC-W
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 35A Through Hole GBPC-W
  
  型号：GBPC3508W
  仓库库存编号：GBPC3508W-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 900V 11A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 34W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：IPA90R500C3
  仓库库存编号：IPA90R500C3-ND
  别名：IPA90R500C3XKSA1
  SP000413716
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF644SPBF
  仓库库存编号：IRF644SPBF-ND
  别名：*IRF644SPBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS Integrated Circuits Division
  IC GATE DVR 4A DUAL IN/NON 8SOIC
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Inverting, Non-Inverting 8-SOIC-EP
  
  型号：IXDF604SI
  仓库库存编号：CLA334-ND
  别名：CLA334
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 31.2A（Tc） 277.8W（Tc） PG-TO263
  
  型号：IPB65R110CFD
  仓库库存编号：IPB65R110CFDCT-ND
  别名：IPB65R110CFDCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP
  详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 34W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R190C6
  仓库库存编号：IPA60R190C6-ND
  别名：IPA60R190C6XKSA1
  SP000621152
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 34A TO-220AB FP
  详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 46W（Tc） TO-220AB 整包
  
  型号：IRFI4321PBF
  仓库库存编号：IRFI4321PBF-ND
  别名：SP001556676
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 9A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 190W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP10NK80Z
  仓库库存编号：497-7498-5-ND
  别名：497-7498-5
  STP10NK80Z-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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