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• IXYS
  IGBT 3000V 29A 240W ISOPLUSI4
  详细描述：IGBT 3000V 29A 240W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：IXBF10N300C
  仓库库存编号：IXBF10N300C-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  无铅
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• IXYS
  IGBT 3000V TO247
  详细描述：IGBT 3000V 60A 240W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：IXBF42N300
  仓库库存编号：IXBF42N300-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 3000V 20A 140W TO247AD
  详细描述：IGBT 3000V 34A 180W Surface Mount TO-263
  
  型号：IXBH10N300HV
  仓库库存编号：IXBH10N300HV-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  无铅
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 600V 84A（Tc） 960W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT80M60J
  仓库库存编号：APT80M60J-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  无铅
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• IXYS
  IGBT 3000V 36A 160W I4-PAK
  详细描述：IGBT 3000V 36A 160W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：IXGF36N300
  仓库库存编号：IXGF36N300-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  无铅
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 162VC 112A PLAD
  
  型号：MXLPLAD18KP100CA
  仓库库存编号：MXLPLAD18KP100CA-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 17VC 1059A PLAD
  
  型号：MXLPLAD18KP10CA
  仓库库存编号：MXLPLAD18KP10CA-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 含铅
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 177VC 102A PLAD
  
  型号：MXLPLAD18KP110CA
  仓库库存编号：MXLPLAD18KP110CA-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 含铅
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 18.2VC 989A PLAD
  
  型号：MXLPLAD18KP11CA
  仓库库存编号：MXLPLAD18KP11CA-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 含铅
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 193VC 94A PLAD
  
  型号：MXLPLAD18KP120CA
  仓库库存编号：MXLPLAD18KP120CA-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 含铅
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 19.9VC 905A PLAD
  
  型号：MXLPLAD18KP12CA
  仓库库存编号：MXLPLAD18KP12CA-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 含铅
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 209VC 87A PLAD
  
  型号：MXLPLAD18KP130CA
  仓库库存编号：MXLPLAD18KP130CA-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 含铅
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 21.5VC 838A PLAD
  
  型号：MXLPLAD18KP13CA
  仓库库存编号：MXLPLAD18KP13CA-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 23.2VC 776A PLAD
  
  型号：MXLPLAD18KP14CA
  仓库库存编号：MXLPLAD18KP14CA-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 243VC 75A PLAD
  
  型号：MXLPLAD18KP150CA
  仓库库存编号：MXLPLAD18KP150CA-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 24.4VC 738A PLAD
  
  型号：MXLPLAD18KP15CA
  仓库库存编号：MXLPLAD18KP15CA-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 259VC 70A PLAD
  
  型号：MXLPLAD18KP160CA
  仓库库存编号：MXLPLAD18KP160CA-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 26VC 693A PLAD
  
  型号：MXLPLAD18KP16CA
  仓库库存编号：MXLPLAD18KP16CA-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 275VC 66A PLAD
  
  型号：MXLPLAD18KP170CA
  仓库库存编号：MXLPLAD18KP170CA-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 27.6VC 653A PLAD
  
  型号：MXLPLAD18KP17CA
  仓库库存编号：MXLPLAD18KP17CA-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 291VC 62A PLAD
  
  型号：MXLPLAD18KP180CA
  仓库库存编号：MXLPLAD18KP180CA-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 29.2VC 617A PLAD
  
  型号：MXLPLAD18KP18CA
  仓库库存编号：MXLPLAD18KP18CA-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 含铅
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 322VC 56A PLAD
  
  型号：MXLPLAD18KP200CA
  仓库库存编号：MXLPLAD18KP200CA-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 32.4VC 556A PLAD
  
  型号：MXLPLAD18KP20CA
  仓库库存编号：MXLPLAD18KP20CA-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 35.5VC 508A PLAD
  
  型号：MXLPLAD18KP22CA
  仓库库存编号：MXLPLAD18KP22CA-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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