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• Texas Instruments
  IC VREF SERIES 2.5V SOT5
  详细描述：系列 电压基准 IC ±0.1% 20mA SOT-23-5
  
  型号：REF1925AIDDCT
  仓库库存编号：296-38442-1-ND
  别名：296-38442-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  RECT BRIDGE GPP 600V 20A GBJ
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 20A Through Hole GBJ
  
  型号：GBJ2006-F
  仓库库存编号：GBJ2006-FDI-ND
  别名：GBJ2006-FDI
  GBJ2006F
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 40A 130W TO220
  详细描述：IGBT 600V 40A 130W Through Hole TO-220
  
  型号：STGP19NC60HD
  仓库库存编号：497-8809-5-ND
  别名：497-8809-5
  STGP19NC60HD-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 18A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 38.5W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF18N50T
  仓库库存编号：FDPF18N50T-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 18A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 235W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP18N50
  仓库库存编号：FDP18N50-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 10A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF10N65K3
  仓库库存编号：497-12562-5-ND
  别名：497-12562-5
  STF10N65K3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF18N65M2
  仓库库存编号：497-15533-5-ND
  别名：497-15533-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 500V 29A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 29A（Tc） 357W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：AOB29S50L
  仓库库存编号：785-1473-1-ND
  别名：785-1473-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Comchip Technology
  RECT BRIDGE CELL 1000V 35A KBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 35A Through Hole KBU
  
  型号：KBU3510-G
  仓库库存编号：641-1365-ND
  别名：641-1365
  KBU3510G
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  IC MOSFET DRVR DUAL HS 4A 8-MSOP
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Inverting, Non-Inverting 8-MSOP-PowerPad
  
  型号：UCC27325DGN
  仓库库存编号：296-12535-5-ND
  别名：296-12535-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 42A TO-262
  详细描述：通孔 P 沟道 42A（Tc） 170W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF4905LPBF
  仓库库存编号：IRF4905LPBF-ND
  别名：64-2156PBF
  64-2156PBF-ND
  SP001563376
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF740APBF
  仓库库存编号：IRF740APBF-ND
  别名：*IRF740APBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 9A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRL630PBF
  仓库库存编号：IRL630PBF-ND
  别名：*IRL630PBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 52A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 52A（Tc） 357W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP52N20
  仓库库存编号：FDP52N20-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 9.2A TO220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 9.2A（Ta），53A（Tc） 3.1W（Ta），104.2W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SUP53P06-20-E3
  仓库库存编号：SUP53P06-20-E3-ND
  别名：SUP53P0620E3
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IC BRIDGE RECT 600V 25A 4-SIP
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 25A Through Hole TS-6P
  
  型号：DFB2560
  仓库库存编号：DFB2560-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V
  详细描述：表面贴装 N 沟道 43A（Ta），292A（Tc） 3.2W（Ta），156W（Tc） 8-Dual Cool?88
  
  型号：FDMT80060DC
  仓库库存编号：FDMT80060DCCT-ND
  别名：FDMT80060DCCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 8A D2-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 150W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA8N50P
  仓库库存编号：IXTA8N50P-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  TRANS NPN 250V 17A TO-3P
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 250V 17A 30MHz 130W Through Hole TO-3P
  
  型号：2SC5242OTU
  仓库库存编号：2SC5242OTU-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS Integrated Circuits Division
  MOSFET DVR ULT FAST 14A 8-DIP
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-DIP
  
  型号：IXDD614PI
  仓库库存编号：CLA357-ND
  别名：CLA357
  IXDD614PI-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 800MA DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800mA（Tc） 60W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：IXTY08N100D2
  仓库库存编号：IXTY08N100D2-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6.5A（Tc） 3W（Ta），74W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF9630SPBF
  仓库库存编号：IRF9630SPBF-ND
  别名：IRF9630SPBFCT
  IRF9630SPBFCT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 12A TO-247AC
  详细描述：通孔 P 沟道 12A（Tc） 150W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP9240PBF
  仓库库存编号：IRFP9240PBF-ND
  别名：*IRFP9240PBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 11A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 34W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：SPA11N80C3
  仓库库存编号：SPA11N80C3IN-ND
  别名：SP000216320
  SPA11N80C3IN
  SPA11N80C3X
  SPA11N80C3XK
  SPA11N80C3XKSA1
  SPA11N80C3XTIN
  SPA11N80C3XTIN-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  IC MOSFET DRVR SGL HS 9A 8-SOIC
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC
  
  型号：UCC37322D
  仓库库存编号：296-13687-5-ND
  别名：296-13687-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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