规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 8.5VWM 14.4VC PLAD
型号:
MXLPLAD15KP8.5AE3
仓库库存编号:
1086-10900-ND
别名:1086-10900
1086-10900-MIL
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 85VWM 137VC PLAD
型号:
MXLPLAD15KP85A
仓库库存编号:
1086-10903-ND
别名:1086-10903
1086-10903-MIL
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 85VWM 137VC PLAD
型号:
MXLPLAD15KP85AE3
仓库库存编号:
1086-10904-ND
别名:1086-10904
1086-10904-MIL
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 9VWM 15.4VC PLAD
型号:
MXLPLAD15KP9.0A
仓库库存编号:
1086-10907-ND
别名:1086-10907
1086-10907-MIL
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 9VWM 15.4VC PLAD
型号:
MXLPLAD15KP9.0AE3
仓库库存编号:
1086-10908-ND
别名:1086-10908
1086-10908-MIL
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 90VWM 146VC PLAD
型号:
MXLPLAD15KP90A
仓库库存编号:
1086-10911-ND
别名:1086-10911
1086-10911-MIL
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 90VWM 146VC PLAD
型号:
MXLPLAD15KP90AE3
仓库库存编号:
1086-10912-ND
别名:1086-10912
1086-10912-MIL
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Microsemi Corporation
IGBT 1200V 153A 446W SOT227
详细描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 153A 446W Chassis Mount ISOTOP?
型号:
APT100GN120JDQ4
仓库库存编号:
APT100GN120JDQ4-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
IGBT 1700V 160A GENX3 SOT-227B
详细描述:IGBT Module NPT Single 1700V 160A 735W Chassis Mount SOT-227B
型号:
IXGN100N170
仓库库存编号:
IXGN100N170-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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TT Electronics/Optek Technology
MOSFET N/P-CH 90V 2A/1.1A SMD
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 90V 2A, 1.1A 500mW Surface Mount 6-SMD
型号:
HCT802TXV
仓库库存编号:
HCT802TXV-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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IXYS
IGBT 1700V 110A 1040W TO264
详细描述:IGBT 1700V 110A 1040W Through Hole TO-264
型号:
IXBK75N170A
仓库库存编号:
IXBK75N170A-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1100V 34A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 1100V 34A(Tc) 890W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN40N110P
仓库库存编号:
IXFN40N110P-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 30A(Tc) 800W(Tc) PLUS264?
型号:
IXTB30N100L
仓库库存编号:
IXTB30N100L-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
IGBT 1700V 110A 1040W PLUS247
详细描述:IGBT 1700V 110A 1040W Through Hole PLUS247?-3
型号:
IXBX75N170A
仓库库存编号:
IXBX75N170A-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 49A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 600V 49A(Tc) 730W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APL602LG
仓库库存编号:
APL602LG-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 33A ISOPLUS227
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 33A(Tc) 580W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFE36N100
仓库库存编号:
IXFE36N100-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 162VC 223A PLAD
型号:
MAPLAD36KP100A
仓库库存编号:
MAPLAD36KP100A-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 177VC 204A PLAD
型号:
MAPLAD36KP110A
仓库库存编号:
MAPLAD36KP110A-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 193VC 187A PLAD
型号:
MAPLAD36KP120A
仓库库存编号:
MAPLAD36KP120A-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 209VC 173A PLAD
型号:
MAPLAD36KP130A
仓库库存编号:
MAPLAD36KP130A-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 24VC 1.5KA PLAD
型号:
MAPLAD36KP14A
仓库库存编号:
MAPLAD36KP14A-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 243VC 149A PLAD
型号:
MAPLAD36KP150A
仓库库存编号:
MAPLAD36KP150A-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 25.8VC 1396A PLAD
型号:
MAPLAD36KP15A
仓库库存编号:
MAPLAD36KP15A-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 259VC 139A PLAD
型号:
MAPLAD36KP160A
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MAPLAD36KP160A-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 27.2VC 1324A PLAD
型号:
MAPLAD36KP16A
仓库库存编号:
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