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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 450V 0.09A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 90mA（Ta） 700mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：ZVN0545A
  仓库库存编号：ZVN0545A-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 3.1W（Ta），130W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF640SPBF
  仓库库存编号：IRF640SPBF-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 28A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 156W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FQP32N20C
  仓库库存编号：FQP32N20CFS-ND
  别名：FQP32N20C-ND
  FQP32N20CFS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.2A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB9NK80Z
  仓库库存编号：497-13936-1-ND
  别名：497-13936-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 4.3A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 4.3A（Tc） 110W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP5NK80Z
  仓库库存编号：497-7527-5-ND
  别名：497-7527-5
  STP5NK80Z-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 7.5A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF10N60M2
  仓库库存编号：497-13945-5-ND
  别名：497-13945-5
  STF10N60M2-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  RECT BRIDGE GPP 25A 600V GBJ
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 25A Through Hole GBJ
  
  型号：GBJ2506-BP
  仓库库存编号：GBJ2506-BPMS-ND
  别名：GBJ2506-BPMS
  GBJ2506BP
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  RECT BRIDGE GPP 25A 1000V GBJ
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 25A Through Hole GBJ
  
  型号：GBJ2510-BP
  仓库库存编号：GBJ2510-BPMS-ND
  别名：GBJ25010-BP
  GBJ25010-BPMS
  GBJ25010-BPMS-ND
  GBJ2510BP
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 5.2A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 5.2A（Tc） 50W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRL620PBF
  仓库库存编号：IRL620PBF-ND
  别名：*IRL620PBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS Integrated Circuits Division
  IC GATE DVR 9A NON-INV 8-DIP
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-DIP
  
  型号：IXDD609PI
  仓库库存编号：CLA362-ND
  别名：CLA362
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 39A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 39A（Tc） 37W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF39N20
  仓库库存编号：FDPF39N20-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 11A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 170W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB11N50APBF
  仓库库存编号：IRFB11N50APBF-ND
  别名：*IRFB11N50APBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS Integrated Circuits Division
  IC GATE DVR 4A DUAL ENABLE 8SOIC
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC
  
  型号：IXDD604SIA
  仓库库存编号：CLA333-ND
  别名：CLA333
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS Integrated Circuits Division
  IC GATE DVR 4A DUAL NONINV 8DIP
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-DIP
  
  型号：IXDN604PI
  仓库库存编号：CLA335-ND
  别名：CLA335
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS Integrated Circuits Division
  IC GATE DVR 4A INV 8-DIP
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Inverting 8-DIP
  
  型号：IXDI604PI
  仓库库存编号：CLA360-ND
  别名：CLA360
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS Integrated Circuits Division
  IC GATE DVR 4A DUAL ENABLE 8DIP
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-DIP
  
  型号：IXDD604PI
  仓库库存编号：CLA331-ND
  别名：CLA331
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS Integrated Circuits Division
  IC GATE DVR 4A DIFF 8-SOIC
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Inverting, Non-Inverting 8-SOIC
  
  型号：IXDF604SIA
  仓库库存编号：CLA359-ND
  别名：CLA359
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  IC VREF SERIES 3.3V SOT5
  详细描述：系列 电压基准 IC ±0.1% 20mA SOT-23-5
  
  型号：REF1933AIDDCT
  仓库库存编号：296-38444-1-ND
  别名：296-38444-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 3.1A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFBG30PBF
  仓库库存编号：IRFBG30PBF-ND
  别名：*IRFBG30PBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 50V 18A TO-220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 18A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF9Z30PBF
  仓库库存编号：IRF9Z30PBF-ND
  别名：*IRF9Z30PBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 87A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 87A（Tc） 139W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC093N15NS5ATMA1
  仓库库存编号：BSC093N15NS5ATMA1CT-ND
  别名：BSC093N15NS5ATMA1CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  IC RECT BRIDGE GPP 35A 1000V GBJ
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 35A Through Hole GBJ
  
  型号：GBJ3510-BP
  仓库库存编号：GBJ3510-BPMS-ND
  别名：GBJ3510-BPMS
  GBJ3510BP
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 13A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 48W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF13N50CF
  仓库库存编号：FQPF13N50CF-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 200V 40A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 160W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB40NF20
  仓库库存编号：497-5804-1-ND
  别名：497-5804-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 75V 60A 10-POLARPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK?（L）
  
  型号：SIE818DF-T1-E3
  仓库库存编号：SIE818DF-T1-E3CT-ND
  别名：SIE818DF-T1-E3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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