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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 2A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 45W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：STU2N80K5
  仓库库存编号：497-15022-5-ND
  别名：497-15022-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 80V 0.28A TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 280mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VP0808L-G
  仓库库存编号：VP0808L-G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 1.4A（Tc） 54W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFBG20PBF
  仓库库存编号：IRFBG20PBF-ND
  别名：*IRFBG20PBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 16A 60W D2PAK
  详细描述：IGBT 600V 16A 60W Surface Mount D2PAK
  
  型号：IRG4BC20KDSTRLP
  仓库库存编号：IRG4BC20KDSTRLPCT-ND
  别名：IRG4BC20KDSTRLPCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 100V
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 100V 10.4A 2.2W Surface Mount 8-Power 5x6
  
  型号：FDMD85100
  仓库库存编号：FDMD85100CT-ND
  别名：FDMD85100CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 600V 8A KBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 8A Through Hole KBU
  
  型号：KBU8J
  仓库库存编号：1242-1283-ND
  别名：1242-1283
  KBU8JGN
  KBU8JGN-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta），100A（Tc） 156W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC046N10NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC046N10NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC046N10NS3GATMA1CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TRANS NPN 90V 10A TO220FP
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 90V 10A 2MHz 2W Through Hole TO-220FP
  
  型号：MJF3055G
  仓库库存编号：MJF3055GOS-ND
  别名：MJF3055GOS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 500V 0.1A TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 100mA（Tj） 740mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：VP2450N3-G
  仓库库存编号：VP2450N3-G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  RECT BRIDGE GPP 8A 1000V GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 8A Through Hole GBU
  
  型号：GBU8M
  仓库库存编号：GBU8MFS-ND
  别名：GBU8MFS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 20V 60A PPAK SO-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 60A 46W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
  
  型号：SI7236DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7236DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7236DP-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  RECTIFIER BRIDGE 6A 600V PB-6
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 6A Through Hole PB-6
  
  型号：PB66-BP
  仓库库存编号：PB66-BPMS-ND
  别名：PB66-BPMS
  PB66BP
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Comchip Technology
  RECT BRIDGE GPP 400V 10A MP8
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 10A Through Hole MP8
  
  型号：MP1004G-G
  仓库库存编号：641-1376-ND
  别名：641-1376
  MP1004-G
  MP1004GG
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 25A 80W TO220
  详细描述：IGBT 600V 25A 80W Through Hole TO-220AB
  
  型号：STGP7NC60HD
  仓库库存编号：497-6735-5-ND
  别名：497-6735-5
  STGP7NC60HD-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 50V 15A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 40W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFZ20PBF
  仓库库存编号：IRFZ20PBF-ND
  别名：*IRFZ20PBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Comchip Technology
  RECT BRIDGE GPP 1000V 10A MP8
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 10A Through Hole MP8
  
  型号：MP1010G-G
  仓库库存编号：641-1377-ND
  别名：641-1377
  MP1010-G
  MP1010GG
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 0.9A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 900mA（Ta） 850mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：ZVN4310A
  仓库库存编号：ZVN4310A-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 1.1A（Ta） 850mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：ZVN4306AV
  仓库库存编号：ZVN4306AV-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 1.1A（Ta） 850mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：ZVN4306A
  仓库库存编号：ZVN4306A-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 8A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF12N65M2
  仓库库存编号：497-15531-5-ND
  别名：497-15531-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 4.1A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFBE30PBF
  仓库库存编号：IRFBE30PBF-ND
  别名：*IRFBE30PBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET P-CH 450V 0.045A TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 45mA（Ta） 700mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：ZVP0545A
  仓库库存编号：ZVP0545A-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  TRANS NPN 80V 10A TO220FP
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 10A 50MHz 2W Through Hole TO-220FP
  
  型号：MJF44H11G
  仓库库存编号：MJF44H11GOS-ND
  别名：MJF44H11GOS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET P-CH 200V 11A TO-220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 11A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF9640PBF
  仓库库存编号：IRF9640PBF-ND
  别名：*IRF9640PBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 4.4A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 4.4A（Tc） 70W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STP5NK50ZFP
  仓库库存编号：497-12613-5-ND
  别名：497-12613-5
  STP5NK50ZFP-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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