规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 54VWM 87.1VC PLAD
型号：
MPLAD30KP54CAE3
仓库库存编号：
MPLAD30KP54CAE3-ND
别名：1086-7471
1086-7471-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 58VWM 93.6VC PLAD
型号：
MPLAD30KP58CA
仓库库存编号：
MPLAD30KP58CA-ND
别名：1086-7474
1086-7474-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 58VWM 93.6VC PLAD
型号：
MPLAD30KP58CAE3
仓库库存编号：
MPLAD30KP58CAE3-ND
别名：1086-7475
1086-7475-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 60VWM 96.8VC PLAD
型号：
MPLAD30KP60CA
仓库库存编号：
MPLAD30KP60CA-ND
别名：1086-7478
1086-7478-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 60VWM 96.8VC PLAD
型号：
MPLAD30KP60CAE3
仓库库存编号：
MPLAD30KP60CAE3-ND
别名：1086-7479
1086-7479-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 64VWM 103VC PLAD
型号：
MPLAD30KP64CA
仓库库存编号：
MPLAD30KP64CA-ND
别名：1086-7482
1086-7482-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 64VWM 103VC PLAD
型号：
MPLAD30KP64CAE3
仓库库存编号：
MPLAD30KP64CAE3-ND
别名：1086-7483
1086-7483-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 70VWM 113VC PLAD
型号：
MPLAD30KP70CA
仓库库存编号：
MPLAD30KP70CA-ND
别名：1086-7486
1086-7486-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 70VWM 113VC PLAD
型号：
MPLAD30KP70CAE3
仓库库存编号：
MPLAD30KP70CAE3-ND
别名：1086-7487
1086-7487-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 75VWM 121VC PLAD
型号：
MPLAD30KP75CA
仓库库存编号：
MPLAD30KP75CA-ND
别名：1086-7490
1086-7490-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 75VWM 121VC PLAD
型号：
MPLAD30KP75CAE3
仓库库存编号：
MPLAD30KP75CAE3-ND
别名：1086-7491
1086-7491-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 78VWM 126VC PLAD
型号：
MPLAD30KP78CA
仓库库存编号：
MPLAD30KP78CA-ND
别名：1086-7494
1086-7494-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 78VWM 126VC PLAD
型号：
MPLAD30KP78CAE3
仓库库存编号：
MPLAD30KP78CAE3-ND
别名：1086-7495
1086-7495-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 85VWM 137VC PLAD
型号：
MPLAD30KP85CA
仓库库存编号：
MPLAD30KP85CA-ND
别名：1086-7498
1086-7498-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 85VWM 137VC PLAD
型号：
MPLAD30KP85CAE3
仓库库存编号：
MPLAD30KP85CAE3-ND
别名：1086-7499
1086-7499-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 90VWM 146VC PLAD
型号：
MPLAD30KP90CA
仓库库存编号：
MPLAD30KP90CA-ND
别名：1086-7502
1086-7502-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 90VWM 146VC PLAD
型号：
MPLAD30KP90CAE3
仓库库存编号：
MPLAD30KP90CAE3-ND
别名：1086-7503
1086-7503-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
IGBT 3000V 42A 357W TO268
详细描述：IGBT 3000V 104A 500W Surface Mount TO-268
型号：
IXBT42N300HV
仓库库存编号：
IXBT42N300HV-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 30A
详细描述：表面贴装 N 沟道 1000V 30A（Tc） 694W（Tc） 24-SMPD
型号：
MMIX1F44N100Q3
仓库库存编号：
MMIX1F44N100Q3-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 1100V 25A（Tc） 695W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN30N110P
仓库库存编号：
IXFN30N110P-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 73A TO-264MAX
详细描述：通孔 N 沟道 600V 73A（Tc） 893W（Tc） 264 MAX? [L2]
型号：
APT60M75L2LLG
仓库库存编号：
APT60M75L2LLG-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 23A（Tc） 595W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN26N100P
仓库库存编号：
IXFN26N100P-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
MOD BRIDGE 61A 600V 1-PH SOT-227
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 61A Chassis Mount SOT-227
型号：
VS-SA61BA60
仓库库存编号：
VS-SA61BA60-ND
别名：VSSA61BA60
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 15A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 15A（Tc） 540W（Tc） SOT-227B
型号：
IXTN17N120L
仓库库存编号：
IXTN17N120L-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1200V 23A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 23A（Tc） 695W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN26N120P
仓库库存编号：
IXFN26N120P-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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