规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 8VWM 13.6VC SMD
型号：
MAPLAD15KP8.0CA
仓库库存编号：
1086-4786-ND
别名：1086-4786
1086-4786-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 8VWM 13.6VC SMD
型号：
MAPLAD15KP8.0CAE3
仓库库存编号：
1086-4787-ND
别名：1086-4787
1086-4787-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 8.5VWM 14.4VC SMD
型号：
MAPLAD15KP8.5CA
仓库库存编号：
1086-4790-ND
别名：1086-4790
1086-4790-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 8.5VWM 14.4VC SMD
型号：
MAPLAD15KP8.5CAE3
仓库库存编号：
1086-4791-ND
别名：1086-4791
1086-4791-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 85VWM 137VC SMD
型号：
MAPLAD15KP85CA
仓库库存编号：
1086-4794-ND
别名：1086-4794
1086-4794-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 85VWM 137VC SMD
型号：
MAPLAD15KP85CAE3
仓库库存编号：
1086-4795-ND
别名：1086-4795
1086-4795-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 9VWM 15.4VC SMD
型号：
MAPLAD15KP9.0CA
仓库库存编号：
1086-4798-ND
别名：1086-4798
1086-4798-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 9VWM 15.4VC SMD
型号：
MAPLAD15KP9.0CAE3
仓库库存编号：
1086-4799-ND
别名：1086-4799
1086-4799-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 90VWM 146VC SMD
型号：
MAPLAD15KP90CA
仓库库存编号：
1086-4802-ND
别名：1086-4802
1086-4802-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 90VWM 146VC SMD
型号：
MAPLAD15KP90CAE3
仓库库存编号：
1086-4803-ND
别名：1086-4803
1086-4803-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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IXYS
IGBT 1200V 58A GENX3 SOT-227B
详细描述：IGBT Module PT Single 1200V 130A 595W Chassis Mount SOT-227B
型号：
IXGN82N120C3H1
仓库库存编号：
IXGN82N120C3H1-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 145A SOT-227
详细描述：IGBT Module PT Single 1200V 145A 595W Chassis Mount SOT-227B
型号：
IXGN82N120B3H1
仓库库存编号：
IXGN82N120B3H1-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
IGBT 600V 195A ISOTOP
详细描述：IGBT Module NPT Single 600V 195A 500W Chassis Mount SOT-227
型号：
APT200GT60JR
仓库库存编号：
APT200GT60JR-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 24A I5-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 1200V 24A（Tc） 520W（Tc） ISOPLUSi5-Pak?
型号：
IXFL32N120P
仓库库存编号：
IXFL32N120P-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
IGBT 600V 430A SOT-227
详细描述：IGBT Module PT Single 600V 430A 1000W Chassis Mount SOT-227B
型号：
IXGN400N60B3
仓库库存编号：
IXGN400N60B3-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX
详细描述：通孔 N 沟道 1200V 22A（Tc） 690W（Tc） T-MAX? [B2]
型号：
APT12057B2FLLG
仓库库存编号：
APT12057B2FLLG-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 100VWM 162VC PLAD
型号：
MPLAD30KP100CA
仓库库存编号：
MPLAD30KP100CA-ND
别名：1086-7338
1086-7338-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 100VWM 162VC PLAD
型号：
MPLAD30KP100CAE3
仓库库存编号：
MPLAD30KP100CAE3-ND
别名：1086-7339
1086-7339-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 110VWM 177VC PLAD
型号：
MPLAD30KP110CAE3
仓库库存编号：
MPLAD30KP110CAE3-ND
别名：1086-7343
1086-7343-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 120VWM 193VC PLAD
型号：
MPLAD30KP120CA
仓库库存编号：
MPLAD30KP120CA-ND
别名：1086-7346
1086-7346-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 120VWM 193VC PLAD
型号：
MPLAD30KP120CAE3
仓库库存编号：
MPLAD30KP120CAE3-ND
别名：1086-7347
1086-7347-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 130VWM 209VC PLAD
型号：
MPLAD30KP130CA
仓库库存编号：
MPLAD30KP130CA-ND
别名：1086-7350
1086-7350-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 130VWM 209VC PLAD
型号：
MPLAD30KP130CAE3
仓库库存编号：
MPLAD30KP130CAE3-ND
别名：1086-7351
1086-7351-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 14VWM 24VC PLAD
型号：
MPLAD30KP14CA
仓库库存编号：
MPLAD30KP14CA-ND
别名：1086-7354
1086-7354-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 14VWM 24VC PLAD
型号：
MPLAD30KP14CAE3
仓库库存编号：
MPLAD30KP14CAE3-ND
别名：1086-7355
1086-7355-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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