规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 12VC 1.5KA PLAD
型号：
MAPLAD18KP70AE3
仓库库存编号：
MAPLAD18KP70AE3-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 12.9VC 1396A PLAD
型号：
MAPLAD18KP75AE3
仓库库存编号：
MAPLAD18KP75AE3-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 126VC 143A PLAD
型号：
MAPLAD18KP78AE3
仓库库存编号：
MAPLAD18KP78AE3-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 13.6VC 1324A PLAD
型号：
MAPLAD18KP8.0AE3
仓库库存编号：
MAPLAD18KP8.0AE3-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 137VC 132A PLAD
型号：
MAPLAD18KP8.5AE3
仓库库存编号：
MAPLAD18KP8.5AE3-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 137VC 132A PLAD
型号：
MAPLAD18KP85AE3
仓库库存编号：
MAPLAD18KP85AE3-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 15.4VC 1169A PLAD
型号：
MAPLAD18KP9.0AE3
仓库库存编号：
MAPLAD18KP9.0AE3-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 15.4VC 1169A PLAD
型号：
MAPLAD18KP90AE3
仓库库存编号：
MAPLAD18KP90AE3-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 60V 340A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 60V 340A（Tc） 700W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN340N06
仓库库存编号：
IXFN340N06-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 63A SMPD
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 63A（Tc） 520W（Tc） SMPD
型号：
MMIX1F132N50P3
仓库库存编号：
MMIX1F132N50P3-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
POWER MOD 1200V 80A SOT227
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 80A 312W Chassis, Stud Mount SOT-227
型号：
APT40GLQ120JCU2
仓库库存编号：
APT40GLQ120JCU2-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 38A PLUS264
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 38A（Tc） 890W（Tc） PLUS264?
型号：
IXFB38N100Q2
仓库库存编号：
IXFB38N100Q2-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 200V 106A SOT-227
详细描述：底座安装 P 沟道 200V 106A（Tc） 830W（Tc） SOT-227B
型号：
IXTN120P20T
仓库库存编号：
IXTN120P20T-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 100V 210A SOT-227
详细描述：底座安装 P 沟道 100V 210A（Tc） 830W（Tc） SOT-227B
型号：
IXTN210P10T
仓库库存编号：
IXTN210P10T-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Analog Devices Inc.
TRANS 2PNP 36V 0.02A TO78-6
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 36V 20mA 190MHz 500mW Through Hole TO-78-6
型号：
MAT03EHZ
仓库库存编号：
MAT03EHZ-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 900V 68A 284W SOT227
详细描述：IGBT Module PT Single 900V 68A 284W Chassis Mount ISOTOP?
型号：
APT40GP90J
仓库库存编号：
APT40GP90J-ND
别名：APT40GP90JG
APT40GP90JG-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 200V 100A（Tc） 735W（Tc） SOT-227B
型号：
IXTN110N20L2
仓库库存编号：
IXTN110N20L2-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 550V 72A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 550V 72A（Tc） 890W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN72N55Q2
仓库库存编号：
IXFN72N55Q2-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 158A ISOPLUS227
详细描述：底座安装 N 沟道 200V 158A（Tc） 500W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFE180N20
仓库库存编号：
IXFE180N20-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1500V 7.5A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 1500V 7.5A（Tc） 545W（Tc） SOT-227B
型号：
IXTN8N150L
仓库库存编号：
IXTN8N150L-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
IGBT 600V 200A SOT-227
详细描述：IGBT Module PT Single 600V 200A 780W Chassis Mount SOT-227B
型号：
IXXN200N60C3H1
仓库库存编号：
IXXN200N60C3H1-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 100VWM 162VC SMD
型号：
MAPLAD15KP100CA
仓库库存编号：
1086-4626-ND
别名：1086-4626
1086-4626-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 100VWM 162VC SMD
型号：
MAPLAD15KP100CAE3
仓库库存编号：
1086-4627-ND
别名：1086-4627
1086-4627-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 10VWM 17VC SMD
型号：
MAPLAD15KP10CA
仓库库存编号：
1086-4630-ND
别名：1086-4630
1086-4630-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 10VWM 17VC SMD
型号：
MAPLAD15KP10CAE3
仓库库存编号：
1086-4631-ND
别名：1086-4631
1086-4631-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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