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IXYS
MOSFET N-CH 250V 130A SMPD
详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 132A（Tc） 570W（Tc） SMPD
型号：
MMIX1F180N25T
仓库库存编号：
MMIX1F180N25T-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 800V 38A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 800V 38A（Tc） 735W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN38N80Q2
仓库库存编号：
IXFN38N80Q2-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 20A（Tc） 595W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN20N120P
仓库库存编号：
IXFN20N120P-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1500V 20A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 1500V 20A（Tc） 1250W（Tc） TO-264（IXTK）
型号：
IXTK20N150
仓库库存编号：
IXTK20N150-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
IGBT PHASE LEG HV ISOPLUS I4PAK5
详细描述：IGBT Array NPT Half Bridge 1700V 18A 140W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
型号：
FII24N17AH1
仓库库存编号：
FII24N17AH1-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 64A 284W SOT227
详细描述：IGBT Module PT Single 1200V 64A 284W Chassis Mount ISOTOP?
型号：
APT35GP120JDQ2
仓库库存编号：
APT35GP120JDQ2-ND
别名：APT35GP120JDQ2MI
APT35GP120JDQ2MI-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 44A ISOPLUS264
详细描述：通孔 N 沟道 800V 44A（Tc） 550W（Tc） ISOPLUS264?
型号：
IXFL44N80
仓库库存编号：
IXFL44N80-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 300V 70A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 300V 70A（Tc） 450W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT30M40JVFR
仓库库存编号：
APT30M40JVFR-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 800V 44A（Tc） 380W（Tc） SOT-227B
型号：
IXKN45N80C
仓库库存编号：
IXKN45N80C-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 170A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 100V 170A（Tc） 600W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN170N10
仓库库存编号：
IXFN170N10-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 500V 72A（Tc） 890W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN80N50Q2
仓库库存编号：
IXFN80N50Q2-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
IGBT 3000V 22A 100W I4-PAK
详细描述：IGBT 3000V 22A 100W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
型号：
IXGF20N300
仓库库存编号：
IXGF20N300-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
IGBT 2500V 23A 100W I4-PAK
详细描述：IGBT 2500V 23A 100W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
型号：
IXGF20N250
仓库库存编号：
IXGF20N250-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 148A 500W SOT227
详细描述：IGBT Module NPT Single 600V 148A 500W Chassis Mount ISOTOP?
型号：
APT100GT60JRDQ4
仓库库存编号：
APT100GT60JRDQ4-ND
别名：APT100GT60JRDQ4MI
APT100GT60JRDQ4MI-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 39A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 600V 39A（Tc） 460W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT6013JLL
仓库库存编号：
APT6013JLL-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 30A ISOPLUS227
详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 30A（Tc） 580W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFE34N100
仓库库存编号：
IXFE34N100-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 33VWM 53.3VC PLAD
型号：
MPLAD15KP33CA
仓库库存编号：
1086-7254-ND
别名：1086-7254
1086-7254-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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IXYS
IGBT 400A 600V SOT-227B
详细描述：IGBT Module PT Single 600V 400A 830W Chassis Mount SOT-227B
型号：
IXGN400N60A3
仓库库存编号：
IXGN400N60A3-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 162VC 112A PLAD
型号：
MAPLAD18KP100A
仓库库存编号：
MAPLAD18KP100A-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 17VC 1059A PLAD
型号：
MAPLAD18KP10A
仓库库存编号：
MAPLAD18KP10A-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 177VC 102A PLAD
型号：
MAPLAD18KP110A
仓库库存编号：
MAPLAD18KP110A-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 18.2VC 989A PLAD
型号：
MAPLAD18KP11A
仓库库存编号：
MAPLAD18KP11A-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 193VC 94A PLAD
型号：
MAPLAD18KP120A
仓库库存编号：
MAPLAD18KP120A-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 19.9VC 905A PLAD
型号：
MAPLAD18KP12A
仓库库存编号：
MAPLAD18KP12A-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 209VC 87A PLAD
型号：
MAPLAD18KP130A
仓库库存编号：
MAPLAD18KP130A-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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