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• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 82.4VC 219A PLAD
  
  型号：MPLAD18KP51CAE3
  仓库库存编号：MPLAD18KP51CAE3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 87.1VC 207A PLAD
  
  型号：MPLAD18KP54CAE3
  仓库库存编号：MPLAD18KP54CAE3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 93.6VC 193A PLAD
  
  型号：MPLAD18KP58CAE3
  仓库库存编号：MPLAD18KP58CAE3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 96.8VC 186A PLAD
  
  型号：MPLAD18KP60CAE3
  仓库库存编号：MPLAD18KP60CAE3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 103VC 175A PLAD
  
  型号：MPLAD18KP64CAE3
  仓库库存编号：MPLAD18KP64CAE3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 113VC 160A PLAD
  
  型号：MPLAD18KP7.0CAE3
  仓库库存编号：MPLAD18KP7.0CAE3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 12.9VC 1396A PLAD
  
  型号：MPLAD18KP7.5CAE3
  仓库库存编号：MPLAD18KP7.5CAE3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 113VC 160A PLAD
  
  型号：MPLAD18KP70CAE3
  仓库库存编号：MPLAD18KP70CAE3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 12.9VC 1396A PLAD
  
  型号：MPLAD18KP75CAE3
  仓库库存编号：MPLAD18KP75CAE3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 126VC 143A PLAD
  
  型号：MPLAD18KP78CAE3
  仓库库存编号：MPLAD18KP78CAE3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 13.6VC 1324A PLAD
  
  型号：MPLAD18KP8.0CAE3
  仓库库存编号：MPLAD18KP8.0CAE3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 137VC 132A PLAD
  
  型号：MPLAD18KP8.5CAE3
  仓库库存编号：MPLAD18KP8.5CAE3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 137VC 132A PLAD
  
  型号：MPLAD18KP85CAE3
  仓库库存编号：MPLAD18KP85CAE3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 15.4VC 1169A PLAD
  
  型号：MPLAD18KP9.0CAE3
  仓库库存编号：MPLAD18KP9.0CAE3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 15.4VC 1169A PLAD
  
  型号：MPLAD18KP90CAE3
  仓库库存编号：MPLAD18KP90CAE3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 38A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 38A（Tc） 694W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT8020B2LLG
  仓库库存编号：APT8020B2LLG-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 65A TO-264MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 65A（Tc） 833W（Tc） 264 MAX? [L2]
  
  型号：APT60M80L2VRG
  仓库库存编号：APT60M80L2VRG-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 31A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 800V 31A（Tc） 543W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT29F80J
  仓库库存编号：APT29F80J-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 18A I5-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 1200V 18A（Tc） 357W（Tc） ISOPLUSi5-Pak?
  
  型号：IXFL30N120P
  仓库库存编号：IXFL30N120P-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 21A ISOPLUS227
  详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 21A（Tc） 500W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFE23N100
  仓库库存编号：IXFE23N100-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 900V 64A 284W SOT227
  详细描述：IGBT Module PT Single 900V 64A 284W Chassis Mount ISOTOP?
  
  型号：APT40GP90JDQ2
  仓库库存编号：APT40GP90JDQ2-ND
  别名：APT40GP90JDQ2MI
  APT40GP90JDQ2MI-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 75A 329W SOT227
  详细描述：IGBT Module PT Single 1200V 75A 329W Chassis Mount ISOTOP?
  
  型号：APT45GP120J
  仓库库存编号：APT45GP120J-ND
  别名：APT45GP120JMI
  APT45GP120JMI-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Littelfuse Inc.
  TVS DIODE 66VWM 120VC AXIAL
  
  型号：AK10-066C-12
  仓库库存编号：AK10-066C-12-ND
  别名：AK10-066C-12LF
  AK10-066C-12LF-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Littelfuse Inc.
  TVS DIODE 76VWM 140VC AXIAL
  
  型号：AK10-076C-12
  仓库库存编号：AK10-076C-12-ND
  别名：AK10-076C-12LF
  AK10-076C-12LF-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 102A SMPD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300V 102A（Tc） 570W（Tc） SMPD
  
  型号：MMIX1F160N30T
  仓库库存编号：MMIX1F160N30T-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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