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• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 58.1VC 620A PLAD
  
  型号：MPLAD36KP36AE3
  仓库库存编号：MPLAD36KP36AE3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 644VC 56A PLAD
  
  型号：MPLAD36KP400AE3
  仓库库存编号：MPLAD36KP400AE3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 64.5VC 559A PLAD
  
  型号：MPLAD36KP40AE3
  仓库库存编号：MPLAD36KP40AE3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 69.4VC 519A PLAD
  
  型号：MPLAD36KP43AE3
  仓库库存编号：MPLAD36KP43AE3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 72.7VC 496A PLAD
  
  型号：MPLAD36KP45AE3
  仓库库存编号：MPLAD36KP45AE3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 77.4VC 466A PLAD
  
  型号：MPLAD36KP48AE3
  仓库库存编号：MPLAD36KP48AE3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 82.4VC 437A PLAD
  
  型号：MPLAD36KP51AE3
  仓库库存编号：MPLAD36KP51AE3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 87.1VC 414A PLAD
  
  型号：MPLAD36KP54AE3
  仓库库存编号：MPLAD36KP54AE3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 93.6VC 385A PLAD
  
  型号：MPLAD36KP58AE3
  仓库库存编号：MPLAD36KP58AE3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 96.8VC 372A PLAD
  
  型号：MPLAD36KP60AE3
  仓库库存编号：MPLAD36KP60AE3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 103VC 350A PLAD
  
  型号：MPLAD36KP64AE3
  仓库库存编号：MPLAD36KP64AE3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 113VC 319A PLAD
  
  型号：MPLAD36KP70AE3
  仓库库存编号：MPLAD36KP70AE3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 121VC 298A PLAD
  
  型号：MPLAD36KP75AE3
  仓库库存编号：MPLAD36KP75AE3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 126VC 286A PLAD
  
  型号：MPLAD36KP78AE3
  仓库库存编号：MPLAD36KP78AE3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 137VC 263A PLAD
  
  型号：MPLAD36KP85AE3
  仓库库存编号：MPLAD36KP85AE3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 146VC 247A PLAD
  
  型号：MPLAD36KP90AE3
  仓库库存编号：MPLAD36KP90AE3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 28A（Tc） 690W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT10035B2FLLG
  仓库库存编号：APT10035B2FLLG-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 138A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 300V 138A（Tc） 890W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN170N30P
  仓库库存编号：IXFN170N30P-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 22A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 1200V 22A（Tc） 690W（Tc） TO-264 [L]
  
  型号：APT12057LFLLG
  仓库库存编号：APT12057LFLLG-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 32A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 600V 32A（Tc） 520AW（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN32N60
  仓库库存编号：IXFN32N60-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1KV 21A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 21A（Tc） 520W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXTN21N100
  仓库库存编号：IXTN21N100-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 50A PLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 50A（Tc） 1135W（Tc） PLUS264?
  
  型号：IXFB50N80Q2
  仓库库存编号：IXFB50N80Q2-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 1100V 40A（Tc） 1250W（Tc） PLUS264?
  
  型号：IXFB40N110P
  仓库库存编号：IXFB40N110P-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 100A 329W SOT227
  详细描述：IGBT Module PT Single 600V 100A 329W Chassis Mount ISOTOP?
  
  型号：APT50GP60JDQ2
  仓库库存编号：APT50GP60JDQ2-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET 2N-CH 600V 47A ISOPLUS264
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 600V 47A Through Hole ISOPLUS264?
  
  型号：LKK47-06C5
  仓库库存编号：LKK47-06C5-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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