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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），125W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC047N08NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC047N08NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC047N08NS3 GCT
  BSC047N08NS3 GCT-ND
  BSC047N08NS3GATMA1CT-NDTR-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），139W（Tc） PG-TDSON-8 FL
  
  型号：BSC010N04LSATMA1
  仓库库存编号：BSC010N04LSATMA1CT-ND
  别名：BSC010N04LSATMA1CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 30V 640MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 640mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VN0300L-G
  仓库库存编号：VN0300L-G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 20V 530MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 530mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：TN0702N3-G
  仓库库存编号：TN0702N3-G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），139W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC028N06LS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC028N06LS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC028N06LS3 GCT
  BSC028N06LS3 GCT-ND
  BSC028N06LS3GATMA1CT-NDTR-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 120V 98A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13.4A（Ta），98A（Tc） 139W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC077N12NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC077N12NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC077N12NS3 GCT
  BSC077N12NS3 GCT-ND
  BSC077N12NS3GATMA1CT-NDTR-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 9A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF630PBF
  仓库库存编号：IRF630PBF-ND
  别名：*IRF630PBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13.8A（Ta），100A（Tc） 156W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC082N10LSGATMA1
  仓库库存编号：BSC082N10LSGATMA1CT-ND
  别名：BSC082N10LS GCT
  BSC082N10LS GCT-ND
  BSC082N10LSGATMA1CT-NDTR-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 125W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC190N15NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC190N15NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC190N15NS3 GCT
  BSC190N15NS3 GCT-ND
  BSC190N15NS3GATMA1CT-NDTR-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF830PBF
  仓库库存编号：IRF830PBF-ND
  别名：*IRF830PBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 900V 3A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STP3NK90ZFP
  仓库库存编号：497-5979-5-ND
  别名：497-5979-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 40A POWER33
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Ta），40A（Tc） 3W（Ta），60W（Tc） Dual Cool ? 33
  
  型号：FDMC2514SDC
  仓库库存编号：FDMC2514SDCCT-ND
  别名：FDMC2514SDCCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 23A TO-220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 23A（Tc） 140W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF9540NPBF
  仓库库存编号：IRF9540NPBF-ND
  别名：*IRF9540NPBF
  64-0103PBF
  64-0103PBF-ND
  SP001560174
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 240V 0.2A TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 200mA（Ta） 750mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：ZVP4424A
  仓库库存编号：ZVP4424A-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 20A 65W TO220
  详细描述：IGBT 600V 20A 65W Through Hole TO-220AB
  
  型号：STGP10NC60HD
  仓库库存编号：497-5118-5-ND
  别名：497-5118-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 6.5A TO-220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 6.5A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF9630PBF
  仓库库存编号：IRF9630PBF-ND
  别名：*IRF9630PBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.3A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7434DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7434DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7434DP-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR866DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR866DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR866DP-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 42A（Tc） 170W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF4905STRLPBF
  仓库库存编号：IRF4905STRLPBFCT-ND
  别名：IRF4905STRLPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  TRANS NPN DARL 60V 5A TO-220
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60V 5A 65W Through Hole TO-220
  
  型号：TIP120-BP
  仓库库存编号：TIP120-BP-ND
  别名：TIP120BP
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 900V 2.1A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 2.1A（Tc） 70W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP2NK90Z
  仓库库存编号：497-4378-5-ND
  别名：497-4378-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 2A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 45W（Tc） I-Pak
  
  型号：STD2HNK60Z-1
  仓库库存编号：497-12783-5-ND
  别名：497-12783-5
  STD2HNK60Z-1-ND
  STD2HNK60Z1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 5.5A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF730PBF
  仓库库存编号：IRF730PBF-ND
  别名：*IRF730PBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 5A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF830APBF
  仓库库存编号：IRF830APBF-ND
  别名：*IRF830APBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 9A 25W TO220FP
  详细描述：IGBT 600V 9A 25W Through Hole TO-220FP
  
  型号：STGF10NC60KD
  仓库库存编号：497-5114-5-ND
  别名：497-5114-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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