规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 30A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 30A（Tc） 735W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK30N100Q2
仓库库存编号：
IXFK30N100Q2-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 30A（Tc） 735W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX30N100Q2
仓库库存编号：
IXFX30N100Q2-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
IGBT 600V 86A 284W SOT227
详细描述：IGBT Module PT Single 600V 86A 284W Chassis Mount ISOTOP?
型号：
APT40GP60JDQ2
仓库库存编号：
APT40GP60JDQ2-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 23A（Tc） 600W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN23N100
仓库库存编号：
IXFN23N100-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 300V 70A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 300V 70A（Tc） 450W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT30M40JVR
仓库库存编号：
APT30M40JVR-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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TT Electronics/Optek Technology
MOSFET N-CH 60V 200MA SMD
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 200mA（Ta） 300mW（Ta） 3-SMD
型号：
HCT7000MTXV
仓库库存编号：
HCT7000MTXV-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 34A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 800V 34A（Tc） 600W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN34N80
仓库库存编号：
IXFN34N80-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX
详细描述：通孔 N 沟道 1200V 22A（Tc） 690W（Tc） T-MAX? [B2]
型号：
APT12057B2LLG
仓库库存编号：
APT12057B2LLG-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 30A ISOPLUS264
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 30A（Tc） 550W（Tc） ISOPLUS264?
型号：
IXFL34N100
仓库库存编号：
IXFL34N100-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 500V 58A（Tc） 540W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT58F50J
仓库库存编号：
APT58F50J-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 84A 417W SOT227
详细描述：IGBT Module NPT Single 1200V 84A 417W Chassis Mount SOT-227
型号：
APT50GR120JD30
仓库库存编号：
APT50GR120JD30-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264
详细描述：通孔 N 沟道 1200V 30A（Tc） 1250W（Tc） PLUS264?
型号：
IXFB30N120P
仓库库存编号：
IXFB30N120P-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 100VWM 162VC SMD
型号：
MAPLAD15KP100A
仓库库存编号：
1086-4624-ND
别名：1086-4624
1086-4624-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 100VWM 162VC SMD
型号：
MAPLAD15KP100AE3
仓库库存编号：
1086-4625-ND
别名：1086-4625
1086-4625-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 10VWM 17VC SMD
型号：
MAPLAD15KP10A
仓库库存编号：
1086-4628-ND
别名：1086-4628
1086-4628-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 10VWM 17VC SMD
型号：
MAPLAD15KP10AE3
仓库库存编号：
1086-4629-ND
别名：1086-4629
1086-4629-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 110VWM 177VC SMD
型号：
MAPLAD15KP110A
仓库库存编号：
1086-4632-ND
别名：1086-4632
1086-4632-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 110VWM 177VC SMD
型号：
MAPLAD15KP110AE3
仓库库存编号：
1086-4633-ND
别名：1086-4633
1086-4633-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 11VWM 18.2VC SMD
型号：
MAPLAD15KP11A
仓库库存编号：
1086-4636-ND
别名：1086-4636
1086-4636-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 11VWM 18.2VC SMD
型号：
MAPLAD15KP11AE3
仓库库存编号：
1086-4637-ND
别名：1086-4637
1086-4637-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 120VWM 193VC SMD
型号：
MAPLAD15KP120A
仓库库存编号：
1086-4640-ND
别名：1086-4640
1086-4640-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 120VWM 193VC SMD
型号：
MAPLAD15KP120AE3
仓库库存编号：
1086-4641-ND
别名：1086-4641
1086-4641-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 12VWM 19.9VC SMD
型号：
MAPLAD15KP12A
仓库库存编号：
1086-4644-ND
别名：1086-4644
1086-4644-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 12VWM 19.9VC SMD
型号：
MAPLAD15KP12AE3
仓库库存编号：
1086-4645-ND
别名：1086-4645
1086-4645-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 130VWM 209VC SMD
型号：
MAPLAD15KP130A
仓库库存编号：
1086-4648-ND
别名：1086-4648
1086-4648-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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