规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 85VWM 137VC PLAD
型号：
MPLAD30KP85A
仓库库存编号：
MPLAD30KP85A-ND
别名：1086-7496
1086-7496-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 85VWM 137VC PLAD
型号：
MPLAD30KP85AE3
仓库库存编号：
MPLAD30KP85AE3-ND
别名：1086-7497
1086-7497-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 90VWM 146VC PLAD
型号：
MPLAD30KP90A
仓库库存编号：
MPLAD30KP90A-ND
别名：1086-7500
1086-7500-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 90VWM 146VC PLAD
型号：
MPLAD30KP90AE3
仓库库存编号：
MPLAD30KP90AE3-ND
别名：1086-7501
1086-7501-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
IXYS
IGBT 4500V 30A TO-247HV
详细描述：IGBT PT 4500V 60A 430W Through Hole TO-247HV
型号：
IXYH30N450HV
仓库库存编号：
IXYH30N450HV-ND
别名：Q9720435
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 25A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 900V 25A（Tc） 600W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN25N90
仓库库存编号：
IXFN25N90-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 9A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 9A（Tc） 250W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXFR10N100Q
仓库库存编号：
IXFR10N100Q-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 500V 52A（Tc） 625W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN64N50PD2
仓库库存编号：
IXFN64N50PD2-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
IGBT 600V 200A SOT-227
详细描述：IGBT Module PT Single 600V 200A 780W Chassis Mount SOT-227B
型号：
IXXN200N60B3H1
仓库库存编号：
IXXN200N60B3H1-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 44A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 600V 44A（Tc） 600W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN44N60
仓库库存编号：
IXFN44N60-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 112A 543W SOT227
详细描述：IGBT Module NPT Single 1200V 112A 543W Chassis Mount SOT-227
型号：
APT70GR120J
仓库库存编号：
APT70GR120J-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
IGBT 1700V 170A 830W PLUS247
详细描述：IGBT NPT 1700V 170A 830W Through Hole PLUS247?-3
型号：
IXGX100N170
仓库库存编号：
IXGX100N170-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 37A（Tc） 890W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN44N100P
仓库库存编号：
IXFN44N100P-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 17A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 1200V 17A（Tc） 700W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXTX17N120L
仓库库存编号：
IXTX17N120L-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 17A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 1200V 17A（Tc） 700W（Tc） TO-264（IXTK）
型号：
IXTK17N120L
仓库库存编号：
IXTK17N120L-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
IGBT XPT 1200V 152A SOT-227B
详细描述：IGBT Module PT Single 1200V 165A 690W Chassis Mount SOT-227B
型号：
IXYN100N120B3H1
仓库库存编号：
IXYN100N120B3H1-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 20A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 20A（Tc） 400W（Tc） TO-268
型号：
IXTT20N50D
仓库库存编号：
IXTT20N50D-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 46A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 500V 46A（Tc） 700W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXTX46N50L
仓库库存编号：
IXTX46N50L-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 22A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 22A（Tc） 700W（Tc） TO-264（IXTK）
型号：
IXTK22N100L
仓库库存编号：
IXTK22N100L-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 46A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 500V 46A（Tc） 700W（Tc） TO-264（IXTK）
型号：
IXTK46N50L
仓库库存编号：
IXTK46N50L-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 800V 27A（Tc） 520W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN27N80Q
仓库库存编号：
IXFN27N80Q-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 100A 329W SOT227
详细描述：IGBT Module PT Single 600V 100A 329W Chassis Mount ISOTOP?
型号：
APT50GP60J
仓库库存编号：
APT50GP60J-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
IGBT 1700V 57A 200W ISOPLUS247
详细描述：IGBT 1700V 57A 200W Through Hole ISOPLUS247?
型号：
IXBR42N170
仓库库存编号：
IXBR42N170-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 33A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 800V 33A（Tc） 543W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT32M80J
仓库库存编号：
APT32M80J-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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IXYS
IC TRANS BIPO 1700V SOT-227
详细描述：IGBT Module Single 1700V 42A 312W Chassis Mount SOT-227B
型号：
IXBN42N170A
仓库库存编号：
IXBN42N170A-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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