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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 62A PLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 62A（Tc） 1560W（Tc） PLUS264?
  
  型号：IXFB62N80Q3
  仓库库存编号：IXFB62N80Q3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  无铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 90A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 300V 90A（Tc） 560W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN90N30
  仓库库存编号：IXFN90N30-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  无铅
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• Global Power Technologies Group
  IGBT 600V 160A SOT227
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 160A 380W Chassis Mount SOT-227
  
  型号：GHIS080A060S1-E1
  仓库库存编号：1560-1239-ND
  别名：1560-1239
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  无铅
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• TT Electronics/Optek Technology
  MOSFET N-CH 60V 200MA SMD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 200mA（Ta） 300mW（Ta） 3-SMD
  
  型号：HCT7000MTX
  仓库库存编号：HCT7000MTX-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  含铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 85V 80A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 85V 80A（Tc） 300W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT80N085
  仓库库存编号：IXFT80N085-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 990mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-205AF（TO-39）
  
  型号：2N6660
  仓库库存编号：2N6660-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 1200V 95A SOT-227
  详细描述：IGBT Module PT Single 1200V 95A 460W Chassis Mount SOT-227B
  
  型号：IXGN50N120C3H1
  仓库库存编号：IXGN50N120C3H1-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 54A（Tc） 690W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT6010B2LLG
  仓库库存编号：APT6010B2LLG-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 51A SOT227
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 51A（Tc） 290W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT50M75JLLU2
  仓库库存编号：APT50M75JLLU2-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  无铅
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 162VC 112A PLAD
  
  型号：MPLAD18KP100A
  仓库库存编号：MPLAD18KP100A-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 17VC 1059A PLAD
  
  型号：MPLAD18KP10A
  仓库库存编号：MPLAD18KP10A-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 177VC 102A PLAD
  
  型号：MPLAD18KP110A
  仓库库存编号：MPLAD18KP110A-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 18.2VC 989A PLAD
  
  型号：MPLAD18KP11A
  仓库库存编号：MPLAD18KP11A-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 193VC 94A PLAD
  
  型号：MPLAD18KP120A
  仓库库存编号：MPLAD18KP120A-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 19.9VC 905A PLAD
  
  型号：MPLAD18KP12A
  仓库库存编号：MPLAD18KP12A-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 209VC 87A PLAD
  
  型号：MPLAD18KP130A
  仓库库存编号：MPLAD18KP130A-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 21.5VC 838A PLAD
  
  型号：MPLAD18KP13A
  仓库库存编号：MPLAD18KP13A-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 23.2VC 776A PLAD
  
  型号：MPLAD18KP14A
  仓库库存编号：MPLAD18KP14A-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 243VC 75A PLAD
  
  型号：MPLAD18KP150A
  仓库库存编号：MPLAD18KP150A-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 24.4VC 738A PLAD
  
  型号：MPLAD18KP15A
  仓库库存编号：MPLAD18KP15A-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 259VC 70A PLAD
  
  型号：MPLAD18KP160A
  仓库库存编号：MPLAD18KP160A-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 26VC 693A PLAD
  
  型号：MPLAD18KP16A
  仓库库存编号：MPLAD18KP16A-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 275VC 66A PLAD
  
  型号：MPLAD18KP170A
  仓库库存编号：MPLAD18KP170A-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 27.6VC 653A PLAD
  
  型号：MPLAD18KP17A
  仓库库存编号：MPLAD18KP17A-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 291VC 62A PLAD
  
  型号：MPLAD18KP180A
  仓库库存编号：MPLAD18KP180A-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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