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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 15A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 15A（Tc） 290W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXFR26N100P
仓库库存编号：
IXFR26N100P-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
IXYS
IGBT 1200V 240A 830W PLUS247
详细描述：IGBT PT 1200V 240A 830W Through Hole PLUS247?-3
型号：
IXGX120N120A3
仓库库存编号：
IXGX120N120A3-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 41A ISOPLUS264
详细描述：通孔 N 沟道 600V 41A（Tc） 500W（Tc） ISOPLUS264?
型号：
IXFL44N60
仓库库存编号：
IXFL44N60-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
IGBT 1700V 32A 350W PLUS247
详细描述：IGBT NPT 1700V 32A 350W Through Hole PLUS247?-3
型号：
IXGX32N170AH1
仓库库存编号：
IXGX32N170AH1-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 67A 245W SOT227
详细描述：IGBT Module PT Single 600V 67A 245W Chassis Mount ISOTOP?
型号：
APT30GP60JDQ1
仓库库存编号：
APT30GP60JDQ1-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 41A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 600V 41A（Tc） 500W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFE44N60
仓库库存编号：
IXFE44N60-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1100V 30A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 1100V 30A（Tc） 960W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX30N110P
仓库库存编号：
IXFX30N110P-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
IGBT 600V 60A 220W TO247
详细描述：IGBT PT 600V 60A 220W Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号：
IXGH30N60C3C1
仓库库存编号：
IXGH30N60C3C1-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 15A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 1200V 15A（Tc） 320W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXFR26N120P
仓库库存编号：
IXFR26N120P-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 38A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 800V 38A（Tc） 735W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK38N80Q2
仓库库存编号：
IXFK38N80Q2-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 38A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 800V 38A（Tc） 735W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX38N80Q2
仓库库存编号：
IXFX38N80Q2-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 27A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 27A（Tc） 690W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN32N100P
仓库库存编号：
IXFN32N100P-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 21A（Tc） 520W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN21N100Q
仓库库存编号：
IXFN21N100Q-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
IGBT 3000V 30A 160W TO268
详细描述：IGBT 3000V 30A 160W Surface Mount TO-268
型号：
IXBT12N300HV
仓库库存编号：
IXBT12N300HV-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 60A ISOPLUS264
详细描述：通孔 N 沟道 600V 60A（Tc） 700W（Tc） ISOPLUS264?
型号：
IXFL60N60
仓库库存编号：
IXFL60N60-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1100V 30A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 1100V 30A（Tc） 960W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK30N110P
仓库库存编号：
IXFK30N110P-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
IGBT 600V 75A 300W TO247
详细描述：IGBT PT 600V 75A 300W Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号：
IXGH48N60B3C1
仓库库存编号：
IXGH48N60B3C1-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOD DIODE 1700V SOT-227
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1700V 75A Chassis Mount SOT-227
型号：
APT75DF170HJ
仓库库存编号：
APT75DF170HJ-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 100VWM 162VC PLAD
型号：
MPLAD15KP100CAE3
仓库库存编号：
MPLAD15KP100CAE3-ND
别名：1086-7159
1086-7159-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 10VWM 17VC PLAD
型号：
MPLAD15KP10CA
仓库库存编号：
MPLAD15KP10CA-ND
别名：1086-7162
1086-7162-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 10VWM 17VC PLAD
型号：
MPLAD15KP10CAE3
仓库库存编号：
MPLAD15KP10CAE3-ND
别名：1086-7163
1086-7163-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 110VWM 177VC PLAD
型号：
MPLAD15KP110CA
仓库库存编号：
MPLAD15KP110CA-ND
别名：1086-7166
1086-7166-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 110VWM 177VC PLAD
型号：
MPLAD15KP110CAE3
仓库库存编号：
MPLAD15KP110CAE3-ND
别名：1086-7167
1086-7167-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 11VWM 18.2VC PLAD
型号：
MPLAD15KP11CA
仓库库存编号：
MPLAD15KP11CA-ND
别名：1086-7170
1086-7170-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 11VWM 18.2VC PLAD
型号：
MPLAD15KP11CAE3
仓库库存编号：
MPLAD15KP11CAE3-ND
别名：1086-7171
1086-7171-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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