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• Microchip Technology
  IC MOSFET DRIVER 9A INV 8CDIP
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Inverting 8-CERDIP
  
  型号：TC4421MJA
  仓库库存编号：TC4421MJA-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  IC MOSFET DRIVER 9A N-INV 8CDIP
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-CERDIP
  
  型号：TC4422MJA
  仓库库存编号：TC4422MJA-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 27A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 1200V 27A（Tc） 1135W（Tc） T-MAX?
  
  型号：APT26F120B2
  仓库库存编号：APT26F120B2-ND
  别名：APT26F120B2MI
  APT26F120B2MI-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 67A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 67A（Tc） 694W（Tc） TO-264 [L]
  
  型号：APT50M65LLLG
  仓库库存编号：APT50M65LLLG-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 44A PLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 44A（Tc） 1250W（Tc） PLUS264?
  
  型号：IXFB44N100P
  仓库库存编号：IXFB44N100P-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 550V 60A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 550V 60A（Tc） 735W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX60N55Q2
  仓库库存编号：IXFX60N55Q2-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 550V 60A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 550V 60A（Tc） 735W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK60N55Q2
  仓库库存编号：IXFK60N55Q2-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 200A 600V SOT-227B
  详细描述：IGBT Module PT Single 600V 200A 595W Chassis Mount SOT-227B
  
  型号：IXGN120N60A3
  仓库库存编号：IXGN120N60A3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 78A 600V SOT-227B
  详细描述：IGBT Module PT Single 600V 78A 360W Chassis Mount SOT-227B
  
  型号：IXGN72N60C3H1
  仓库库存编号：IXGN72N60C3H1-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 70V 180A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 70V 180A（Tc） 520W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN180N07
  仓库库存编号：IXFN180N07-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Linear Technology
  IC REG BCK/BST ADJ 2A SYNC 24QFN
  详细描述：可调式 降压升压 开关稳压器 IC 正 2V 1 输出 2A 24-WFQFN 裸露焊盘
  
  型号：LTC3118MPUFD#PBF
  仓库库存编号：LTC3118MPUFD#PBF-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 100A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 250V 100A（Tc） 600W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN100N25
  仓库库存编号：IXFN100N25-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 67A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 67A（Tc） 694W（Tc） TO-264 [L]
  
  型号：APT50M65LFLLG
  仓库库存编号：APT50M65LFLLG-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 80A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 80A（Tc） 1250W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX80N50Q3
  仓库库存编号：IXFX80N50Q3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 43A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 43A（Tc） 565W（Tc） TO-264 [L]
  
  型号：APT6013LLLG
  仓库库存编号：APT6013LLLG-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 250V 120A（Tc） 690W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN140N25T
  仓库库存编号：IXFN140N25T-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 2500V 13A 150W TO268
  详细描述：IGBT NPT 2500V 13A 150W Surface Mount TO-268
  
  型号：IXGT4N250C
  仓库库存编号：IXGT4N250C-ND
  别名：Q7066732
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 1700V 24A 250W TO247AD
  详细描述：IGBT NPT 1700V 24A 250W Through Hole TO-247AD (IXGH)
  
  型号：IXGH24N170AH1
  仓库库存编号：IXGH24N170AH1-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 70V 280A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 70V 280A（Tc） 600W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN280N07
  仓库库存编号：IXFN280N07-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  POWER MOD IGBT 1200V 100A SOT227
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 100A 416W Chassis Mount SOT-227
  
  型号：APT75GT120JU3
  仓库库存编号：APT75GT120JU3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 900V 33A SOT227
  详细描述：底座安装 N 沟道 900V 33A（Tc） 695W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN40N90P
  仓库库存编号：IXFN40N90P-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 1700V 75A 350W PLUS247
  详细描述：IGBT NPT 1700V 75A 350W Through Hole PLUS247?-3
  
  型号：IXGX32N170H1
  仓库库存编号：IXGX32N170H1-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET P-CH 600V 32A SOT227
  详细描述：底座安装 P 沟道 600V 32A（Tc） 890W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXTN32P60P
  仓库库存编号：IXTN32P60P-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 200V 90A SOT227
  详细描述：底座安装 P 沟道 200V 90A（Tc） 890W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXTN90P20P
  仓库库存编号：IXTN90P20P-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 650V 94A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 94A（Tc） 833W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT94N65B2C3G
  仓库库存编号：APT94N65B2C3G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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