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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 40V 0.45A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 450mA（Ta） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：TN0104N3-G
  仓库库存编号：TN0104N3-G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TRANS PNP 60V 10A TO220AB
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 10A 2MHz 75W Through Hole TO-220AB
  
  型号：MJE2955TG
  仓库库存编号：MJE2955TGOS-ND
  别名：MJE2955TGOS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 10A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS5670
  仓库库存编号：FDS5670CT-ND
  别名：FDS5670CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 31A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），139W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC016N04LS G
  仓库库存编号：BSC016N04LS GCT-ND
  别名：BSC016N04LS GCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  TVS DIODE 33VWM 59VC DO214AB
  
  型号：STIEC45-33AS
  仓库库存编号：497-10394-1-ND
  别名：497-10394-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 2A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 36W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF710PBF
  仓库库存编号：IRF710PBF-ND
  别名：*IRF710PBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TRANS NPN DARL 100V 15A TO-220AB
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 15A 4MHz 85W Through Hole TO-220AB
  
  型号：BDW42G
  仓库库存编号：BDW42GOS-ND
  别名：BDW42G-ND
  BDW42GOS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TRANS PNP DARL 100V 15A TO220AB
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100V 15A 4MHz 85W Through Hole TO-220AB
  
  型号：BDW47G
  仓库库存编号：BDW47GOS-ND
  别名：BDW47GOS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 25V LFPAK56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300A（Tc） 158W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN0R7-25YLDX
  仓库库存编号：1727-2514-1-ND
  别名：1727-2514-1
  568-12952-1
  568-12952-1-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 600MA 4-DIP
  详细描述：通孔 N 沟道 600mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRFD210PBF
  仓库库存编号：IRFD210PBF-ND
  别名：*IRFD210PBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 1A（Tc） 30W（Tc） I-Pak
  
  型号：STD1NK60-1
  仓库库存编号：497-12782-5-ND
  别名：497-12782-5
  STD1NK60-1-ND
  STD1NK601
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 3.3A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 3.3A（Tc） 50W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF720PBF
  仓库库存编号：IRF720PBF-ND
  别名：*IRF720PBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 5A A.D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 73W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB5N50CTM
  仓库库存编号：FQB5N50CTMCT-ND
  别名：FQB5N50CTMCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 9.4A IPAK
  详细描述：通孔 P 沟道 9.4A（Tc） 2.5W（Ta），38W（Tc） I-Pak
  
  型号：FQU11P06TU
  仓库库存编号：FQU11P06TU-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 9.5A（Tc） 38W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF10N20C
  仓库库存编号：FQPF10N20CFS-ND
  别名：FQPF10N20C-ND
  FQPF10N20CFS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 23A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），83W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC028N06NSATMA1
  仓库库存编号：BSC028N06NSATMA1CT-ND
  别名：BSC028N06NS
  BSC028N06NS-ND
  BSC028N06NSATMA1CT
  BSC028N06NSCT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 11.5A（Tc） 3.13W（Ta），120W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB12P20TM
  仓库库存编号：FQB12P20TMCT-ND
  别名：FQB12P20TMCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 12V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR494DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR494DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR494DP-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 20V POWERDI5060-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60A（Tc） 2.3W（Ta） PowerDI5060-8
  
  型号：DMP2002UPS-13
  仓库库存编号：DMP2002UPS-13DICT-ND
  别名：DMP2002UPS-13DICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  MOSFET P-CH 20V 104A 8VSON
  详细描述：表面贴装 P 沟道 104A（Tc） 2.8W（Ta），96W（Tc） 8-VSON（3.3x3.3）
  
  型号：CSD25404Q3T
  仓库库存编号：296-43210-1-ND
  别名：296-43210-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  含铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7858ADP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7858ADP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7858ADP-T1-E3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 11A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 2.5W（Ta），28W（Tc） I-Pak
  
  型号：FQU13N06LTU
  仓库库存编号：FQU13N06LTU-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  RECT BRIDGE GPP 8A 400V GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 8A Through Hole GBU
  
  型号：GBU8G-BP
  仓库库存编号：GBU8G-BPMS-ND
  别名：GBU8G-BPMS
  GBU8GBP
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  RECT BRIDGE GPP 8A 1000V GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 8A Through Hole GBU
  
  型号：GBU8M-BP
  仓库库存编号：GBU8M-BPMS-ND
  别名：GBU8M-BPMS
  GBU8MBP
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  RECT BRIDGE GPP 8A 800V GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 8A Through Hole GBU
  
  型号：GBU8K-BP
  仓库库存编号：GBU8K-BPMS-ND
  别名：GBU8K-BPMS
  GBU8KBP
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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