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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 8VWM 13.6VC PLAD
  
  型号：MPLAD15KP8.0AE3
  仓库库存编号：MPLAD15KP8.0AE3-ND
  别名：1086-7317
  1086-7317-MIL
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 8.5VWM 14.4VC PLAD
  
  型号：MPLAD15KP8.5A
  仓库库存编号：MPLAD15KP8.5A-ND
  别名：1086-7320
  1086-7320-MIL
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  含铅
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 8.5VWM 14.4VC PLAD
  
  型号：MPLAD15KP8.5AE3
  仓库库存编号：MPLAD15KP8.5AE3-ND
  别名：1086-7321
  1086-7321-MIL
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 85VWM 137VC PLAD
  
  型号：MPLAD15KP85AE3
  仓库库存编号：MPLAD15KP85AE3-ND
  别名：1086-7325
  1086-7325-MIL
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 9VWM 15.4VC PLAD
  
  型号：MPLAD15KP9.0A
  仓库库存编号：MPLAD15KP9.0A-ND
  别名：1086-7328
  1086-7328-MIL
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 9VWM 15.4VC PLAD
  
  型号：MPLAD15KP9.0AE3
  仓库库存编号：MPLAD15KP9.0AE3-ND
  别名：1086-7329
  1086-7329-MIL
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 90VWM 146VC PLAD
  
  型号：MPLAD15KP90A
  仓库库存编号：MPLAD15KP90A-ND
  别名：1086-7332
  1086-7332-MIL
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 90VWM 146VC PLAD
  
  型号：MPLAD15KP90AE3
  仓库库存编号：MPLAD15KP90AE3-ND
  别名：1086-7333
  1086-7333-MIL
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 70A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 70A（Tc） 1135W（Tc） TO-264 [L]
  
  型号：APT66F60L
  仓库库存编号：APT66F60L-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Linear Technology
  IC REG BUCK BOOST ADJ 2A SYNC 2A
  详细描述：可调式 降压升压 开关稳压器 IC 正 2V 1 输出 2A 28-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）裸露焊盘
  
  型号：LTC3118MPFE#PBF
  仓库库存编号：LTC3118MPFE#PBF-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 60A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 60A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH60N10
  仓库库存编号：IXTH60N10-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Linear Technology
  IC REG CTRLR BUCK-BOOST 38TSSOP
  详细描述：Buck-Boost Regulator Positive Output Step-Up/Step-Down DC-DC Controller IC 38-TSSOP
  
  型号：LT8705MPFE#TRPBF
  仓库库存编号：LT8705MPFE#TRPBF-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 75A 347W SOT227
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 75A 347W Chassis Mount SOT-227
  
  型号：APT50GT120JU2
  仓库库存编号：APT50GT120JU2-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 75A 347W SOT227
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 75A 347W Chassis Mount SOT-227
  
  型号：APT50GT120JU3
  仓库库存编号：APT50GT120JU3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Linear Technology
  IC REG BUCK BOOST ADJ 2A SYNC 2A
  详细描述：可调式 降压升压 开关稳压器 IC 正 2V 1 输出 2A 28-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）裸露焊盘
  
  型号：LTC3118MPFE#TRPBF
  仓库库存编号：LTC3118MPFE#TRPBF-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 600V 75A 1250W PLUS264
  详细描述：IGBT PT 600V 75A 1250W Through Hole PLUS264?
  
  型号：IXGB200N60B3
  仓库库存编号：IXGB200N60B3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 550V 44A 0TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 550V 44A（Tc） 500W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK44N55Q
  仓库库存编号：IXFK44N55Q-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 22A I5-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 22A（Tc） 357W（Tc） ISOPLUS264?
  
  型号：IXFL44N100P
  仓库库存编号：IXFL44N100P-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 170A（Tc） 1250W（Tc） PLUS264?
  
  型号：IXFB170N30P
  仓库库存编号：IXFB170N30P-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Littelfuse Inc.
  TVS DIODE 15VWM 28VC AXIAL
  
  型号：AK10-015C
  仓库库存编号：AK10-015C-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 200A（Tc） 1040W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXTX200N10L2
  仓库库存编号：IXTX200N10L2-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 39A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 800V 39A（Tc） 694W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN44N80P
  仓库库存编号：IXFN44N80P-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 66A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 300V 66A（Tc） 400W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFE73N30Q
  仓库库存编号：IXFE73N30Q-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 135A 781W TMAX
  详细描述：IGBT NPT 1200V 135A 781W Through Hole
  
  型号：APT50GF120B2RG
  仓库库存编号：APT50GF120B2RG-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 50A（Tc） 625W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN64N50PD3
  仓库库存编号：IXFN64N50PD3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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