规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 33VWM 53.3VC PLAD
型号:
MXPLAD6.5KP33CA
仓库库存编号:
1086-13617-ND
别名:1086-13617
1086-13617-MIL
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 36VWM 58.1VC PLAD
型号:
MXPLAD6.5KP36CA
仓库库存编号:
1086-13621-ND
别名:1086-13621
1086-13621-MIL
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 40VWM 64.5VC PLAD
型号:
MXPLAD6.5KP40CA
仓库库存编号:
1086-13625-ND
别名:1086-13625
1086-13625-MIL
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 43VWM 69.4VC PLAD
型号:
MXPLAD6.5KP43CA
仓库库存编号:
1086-13629-ND
别名:1086-13629
1086-13629-MIL
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 45VWM 72.7VC PLAD
型号:
MXPLAD6.5KP45CA
仓库库存编号:
1086-13633-ND
别名:1086-13633
1086-13633-MIL
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 48VWM 77.4VC PLAD
型号:
MXPLAD6.5KP48CA
仓库库存编号:
1086-13637-ND
别名:1086-13637
1086-13637-MIL
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 51VWM 82.4VC PLAD
型号:
MXPLAD6.5KP51CA
仓库库存编号:
1086-13641-ND
别名:1086-13641
1086-13641-MIL
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 54VWM 87.1VC PLAD
型号:
MXPLAD6.5KP54CA
仓库库存编号:
1086-13645-ND
别名:1086-13645
1086-13645-MIL
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 58VWM 93.6VC PLAD
型号:
MXPLAD6.5KP58CA
仓库库存编号:
1086-13649-ND
别名:1086-13649
1086-13649-MIL
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 60VWM 96.8VC PLAD
型号:
MXPLAD6.5KP60CA
仓库库存编号:
1086-13653-ND
别名:1086-13653
1086-13653-MIL
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 64VWM 103VC PLAD
型号:
MXPLAD6.5KP64CA
仓库库存编号:
1086-13657-ND
别名:1086-13657
1086-13657-MIL
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 70VWM 113VC PLAD
型号:
MXPLAD6.5KP70CA
仓库库存编号:
1086-13661-ND
别名:1086-13661
1086-13661-MIL
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 75VWM 121VC PLAD
型号:
MXPLAD6.5KP75CA
仓库库存编号:
1086-13665-ND
别名:1086-13665
1086-13665-MIL
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 78VWM 126VC PLAD
型号:
MXPLAD6.5KP78CA
仓库库存编号:
1086-13669-ND
别名:1086-13669
1086-13669-MIL
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 85VWM 137VC PLAD
型号:
MXPLAD6.5KP85CA
仓库库存编号:
1086-13673-ND
别名:1086-13673
1086-13673-MIL
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 90VWM 146VC PLAD
型号:
MXPLAD6.5KP90CA
仓库库存编号:
1086-13677-ND
别名:1086-13677
1086-13677-MIL
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 900V 40A(Tc) 960W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK40N90P
仓库库存编号:
IXFK40N90P-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 50A TO-264AA
详细描述:通孔 N 沟道 500V 50A(Tc) 560W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK50N50
仓库库存编号:
IXFK50N50-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 900V 24A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 900V 24A(Tc) 500W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK24N90Q
仓库库存编号:
IXFK24N90Q-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 32A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 32A(Tc) 500W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR48N60Q3
仓库库存编号:
IXFR48N60Q3-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 18A(Tc) 500W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR24N100Q3
仓库库存编号:
IXFR24N100Q3-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
IXYS
IGBT 1700V 60A 250W TO247
详细描述:IGBT 1700V 60A 250W Through Hole TO-247AD (IXBH)
型号:
IXBH24N170
仓库库存编号:
IXBH24N170-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 35A TO264
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 35A(Tc) 1135W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT34F100L
仓库库存编号:
APT34F100L-ND
别名:APT34F100LMI
APT34F100LMI-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 50A 200W TO247AD
详细描述:IGBT 1200V 50A 200W Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号:
IXGH25N120
仓库库存编号:
IXGH25N120-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 88A SOT227B
详细描述:底座安装 N 沟道 300V 88A(Tc) 600W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN102N30P
仓库库存编号:
IXFN102N30P-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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