规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 36VWM 58.1VC PLAD
型号：
MXPLAD6.5KP36CAE3
仓库库存编号：
1086-13622-ND
别名：1086-13622
1086-13622-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 40VWM 64.5VC PLAD
型号：
MXPLAD6.5KP40CAE3
仓库库存编号：
1086-13626-ND
别名：1086-13626
1086-13626-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 43VWM 69.4VC PLAD
型号：
MXPLAD6.5KP43CAE3
仓库库存编号：
1086-13630-ND
别名：1086-13630
1086-13630-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 45VWM 72.7VC PLAD
型号：
MXPLAD6.5KP45CAE3
仓库库存编号：
1086-13634-ND
别名：1086-13634
1086-13634-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 48VWM 77.4VC PLAD
型号：
MXPLAD6.5KP48CAE3
仓库库存编号：
1086-13638-ND
别名：1086-13638
1086-13638-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 51VWM 82.4VC PLAD
型号：
MXPLAD6.5KP51CAE3
仓库库存编号：
1086-13642-ND
别名：1086-13642
1086-13642-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 54VWM 87.1VC PLAD
型号：
MXPLAD6.5KP54CAE3
仓库库存编号：
1086-13646-ND
别名：1086-13646
1086-13646-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 58VWM 93.6VC PLAD
型号：
MXPLAD6.5KP58CAE3
仓库库存编号：
1086-13650-ND
别名：1086-13650
1086-13650-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 60VWM 96.8VC PLAD
型号：
MXPLAD6.5KP60CAE3
仓库库存编号：
1086-13654-ND
别名：1086-13654
1086-13654-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 64VWM 103VC PLAD
型号：
MXPLAD6.5KP64CAE3
仓库库存编号：
1086-13658-ND
别名：1086-13658
1086-13658-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 70VWM 113VC PLAD
型号：
MXPLAD6.5KP70CAE3
仓库库存编号：
1086-13662-ND
别名：1086-13662
1086-13662-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 75VWM 121VC PLAD
型号：
MXPLAD6.5KP75CAE3
仓库库存编号：
1086-13666-ND
别名：1086-13666
1086-13666-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 78VWM 126VC PLAD
型号：
MXPLAD6.5KP78CAE3
仓库库存编号：
1086-13670-ND
别名：1086-13670
1086-13670-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 85VWM 137VC PLAD
型号：
MXPLAD6.5KP85CAE3
仓库库存编号：
1086-13674-ND
别名：1086-13674
1086-13674-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 90VWM 146VC PLAD
型号：
MXPLAD6.5KP90CAE3
仓库库存编号：
1086-13678-ND
别名：1086-13678
1086-13678-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 800V 27A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 800V 27A（Tc） 500W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXFR27N80Q
仓库库存编号：
IXFR27N80Q-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 21A PLUS 247
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 21A（Tc） 500W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX21N100Q
仓库库存编号：
IXFX21N100Q-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
IXYS
IGBT 1700V 42A 357W TO268
详细描述：IGBT 1700V 42A 357W Surface Mount TO-268
型号：
IXBT42N170A
仓库库存编号：
IXBT42N170A-ND
别名：IXBT42N170A -ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
IXYS
IGBT 160A 600V SOT-227B
详细描述：IGBT Module PT Single 600V 160A 360W Chassis Mount SOT-227B
型号：
IXGN72N60A3
仓库库存编号：
IXGN72N60A3-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
IGBT 1200V 106A 694W TO-247
详细描述：IGBT NPT 1200V 106A 694W Through Hole
型号：
APT50GT120B2RDLG
仓库库存编号：
APT50GT120B2RDLG-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
IXYS
IGBT 1200V 164A 1040W PLUS264
详细描述：IGBT 1200V 164A 1040W Through Hole PLUS264?
型号：
IXYB82N120C3H1
仓库库存编号：
IXYB82N120C3H1-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 900V 25A TO-264AA
详细描述：通孔 N 沟道 900V 25A（Tc） 560W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK25N90
仓库库存编号：
IXFK25N90-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 35A TO-264AA
详细描述：通孔 N 沟道 500V 35A（Tc） 416W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK35N50
仓库库存编号：
IXFK35N50-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 21A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 21A（Tc） 500W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK21N100Q
仓库库存编号：
IXFK21N100Q-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 1200V 9A（Tc） 300W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT1201R4BFLLG
仓库库存编号：
APT1201R4BFLLG-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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