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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE BRIDGE 3A 50V KBPM
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 3A Through Hole KBPM
  
  型号：3KBP005M-E4/51
  仓库库存编号：3KBP005M-E4/51GI-ND
  别名：3KBP005M-E4/51-ND
  3KBP005M-E4/51GI
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 9.3A PQFN56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.3A（Ta），46A（Tc） 3.1W（Ta），8.3W（Tc） PQFN（5x6）单芯片焊盘
  
  型号：IRFH5053TRPBF
  仓库库存编号：IRFH5053TRPBFCT-ND
  别名：IRFH5053TRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 1.8A 1.3W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
  
  型号：SI7922DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7922DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7922DN-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 8.2A 8-TSSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8.2A（Ta） 1.05W（Ta） 8-TSSOP
  
  型号：SI6423DQ-T1-E3
  仓库库存编号：SI6423DQ-T1-E3CT-ND
  别名：SI6423DQ-T1-E3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 60V 6.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6.8A（Ta） 2.15W（Ta） TO-252-3
  
  型号：ZXMP6A18KTC
  仓库库存编号：ZXMP6A18KTCCT-ND
  别名：ZXMP6A18KTCCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 2.5W（Ta），139W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC031N06NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC031N06NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC031N06NS3 GCT
  BSC031N06NS3 GCT-ND
  BSC031N06NS3GATMA1CT-NDTR-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 1A 100V 50NS 4DIP
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 1A Through Hole DFM
  
  型号：EDF1BM-E3/45
  仓库库存编号：EDF1BM-E3/45GI-ND
  别名：EDF1BM-E3/45-ND
  EDF1BM-E3/45GI
  EDF1BME345
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 320mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：TP0606N3-G
  仓库库存编号：TP0606N3-G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 300V 14A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 140W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB14N30TM
  仓库库存编号：FDB14N30TMCT-ND
  别名：FDB14N30TMCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.7A/2A SM8
  详细描述：Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 30V 2.7A, 2A 1.3W Surface Mount SM8
  
  型号：ZXMHC3A01T8TA
  仓库库存编号：ZXMHC3A01T8CT-ND
  别名：ZXMHC3A01T8CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  RECT BRIDGE GPP 4A 800V GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 4A Through Hole GBU
  
  型号：GBU4K-BP
  仓库库存编号：GBU4K-BPMS-ND
  别名：GBU4K-BPMS
  GBU4KBP
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  RECT BRIDGE GPP 4A 600V GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 4A Through Hole GBU
  
  型号：GBU4J-BP
  仓库库存编号：GBU4J-BPMS-ND
  别名：GBU4J-BPMS
  GBU4JBP
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 2A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 30W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：FDU3N40TU
  仓库库存编号：FDU3N40TU-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  RECT BRIDGE GPP 6A 800V GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 6A Through Hole GBU
  
  型号：GBU6K-BP
  仓库库存编号：GBU6K-BPMS-ND
  别名：GBU6K-BPMS
  GBU6KBP
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  RECT BRIDGE GPP 6A 400V GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 6A Through Hole GBU
  
  型号：GBU6G-BP
  仓库库存编号：GBU6G-BPMS-ND
  别名：GBU6G-BPMS
  GBU6GBP
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  RECT BRIDGE GPP 6A 1000V GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 6A Through Hole GBU
  
  型号：GBU6M-BP
  仓库库存编号：GBU6M-BPMS-ND
  别名：GBU6M-BPMS
  GBU6MBP
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  RECT BRIDGE GPP 6A 600V GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 6A Through Hole GBU
  
  型号：GBU6J-BP
  仓库库存编号：GBU6J-BPMS-ND
  别名：GBU6J-BPMS
  GBU6JBP
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  RECT BRIDGE GPP 4A 100V GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 4A Through Hole GBU
  
  型号：GBU4B-BP
  仓库库存编号：GBU4B-BPMS-ND
  别名：GBU4B-BPMS
  GBU4BBP
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 23A（Tc） 3.1W（Ta），110W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF9540NSTRLPBF
  仓库库存编号：IRF9540NSTRLPBFCT-ND
  别名：IRF9540NSTRLPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 3.7A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.7A（Ta），20A（Tc） 2.5W（Ta），78W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS2672
  仓库库存编号：FDMS2672CT-ND
  别名：FDMS2672CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR880ADP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR880ADP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR880ADP-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Ta） 2.8W（Ta）, 83W（Tc） 8-VSON（3.3x3.3）
  
  型号：CSD19537Q3T
  仓库库存编号：296-42632-1-ND
  别名：296-42632-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 60V 280MA TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 280mA（Ta） 700mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：ZVP2106A
  仓库库存编号：ZVP2106A-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 4.3A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 4.3A（Tc） 25W（Tc） TO-251AA
  
  型号：IRFU110PBF
  仓库库存编号：IRFU110PBF-ND
  别名：*IRFU110PBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 240V 0.19A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 190mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VN2410L-G
  仓库库存编号：VN2410L-G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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