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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 2.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.5A（Tc） 60W（Tc） DPAK
  
  型号：STD3N80K5
  仓库库存编号：497-14267-1-ND
  别名：497-14267-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12.6A（Ta） 1.79W（Ta） PG-DSO-8
  
  型号：BSO301SP H
  仓库库存编号：BSO301SP HCT-ND
  别名：BSO301SP HCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Comchip Technology
  TVS DIODE 36VWM 58.1VC SMC
  
  型号：ATV50C360JB-HF
  仓库库存编号：641-1603-1-ND
  别名：641-1603-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 71A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.6A（Ta），71A（Tc） 114W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC123N10LSGATMA1
  仓库库存编号：BSC123N10LSGATMA1CT-ND
  别名：BSC123N10LS GCT
  BSC123N10LS GCT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 8-MLP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta），20A（Tc） 2.3W（Ta），41W（Tc） Power33
  
  型号：FDMC86102
  仓库库存编号：FDMC86102CT-ND
  别名：FDMC86102CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600mA（Ta） 700mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：ZVN4206A
  仓库库存编号：ZVN4206A-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600mA（Ta） 700mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：ZVN4206AV
  仓库库存编号：ZVN4206AV-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 350mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：TN0106N3-G
  仓库库存编号：TN0106N3-G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 5.8A, 8.2A 1W, 1.25W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4816BDY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4816BDY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4816BDY-T1-E3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 3.2A 1.5W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
  
  型号：SI7949DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7949DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7949DP-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS Integrated Circuits Division
  IC GATE DVR 9A NON-INV 8DFN
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-DFN-EP (5x4)
  
  型号：IXDD609D2TR
  仓库库存编号：IXDD609D2CT-ND
  别名：IXDD609D2CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 200V 180MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 180mA（Ta） 700mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：ZVNL120A
  仓库库存编号：ZVNL120A-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 270mA（Ta） 625mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：ZVN3306A
  仓库库存编号：ZVN3306A-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 200mA（Ta） 625mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：ZVN3310A
  仓库库存编号：ZVN3310A-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 320mA（Ta） 700mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：ZVNL110A
  仓库库存编号：ZVNL110A-ND
  别名：TN0110N3
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 27.5A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 27.5A（Tc） 5W（Ta），35.7W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7456CDP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7456CDP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7456CDP-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7898DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7898DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7898DP-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 7A 8-PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta），22A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
  
  型号：FDMS86102LZ
  仓库库存编号：FDMS86102LZCT-ND
  别名：FDMS86102LZCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 40V 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 11A（Ta） 2.4W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：FDS4675_F085
  仓库库存编号：FDS4675_F085CT-ND
  别名：FDS4675_F085CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 270mA（Ta） 625mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：BS170P
  仓库库存编号：BS170P-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/30A 8PQFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 17.5A, 30A 1W Surface Mount Power56
  
  型号：FDMS3624S
  仓库库存编号：FDMS3624SCT-ND
  别名：FDMS3624SCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 15A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta），50A（Tc） 3.1W（Ta），60W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB8447L
  仓库库存编号：FDB8447LCT-ND
  别名：FDB8447LCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 4.9A, 4.1A 1.25W Surface Mount 8-SO
  
  型号：ZXMC3A16DN8TA
  仓库库存编号：ZXMC3A16DN8CT-ND
  别名：ZXMC3A16DN8CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8-SO
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 4.5A 2.5W Surface Mount 8-SO
  
  型号：FDS3992
  仓库库存编号：FDS3992CT-ND
  别名：FDS3992CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IC GATE DVR HIGH SIDE 8-SOIC
  详细描述：High-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC
  
  型号：FAN7171MX_F085
  仓库库存编号：FAN7171MX_F085FSCT-ND
  别名：FAN7171MX_F085FSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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