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IXYS
MOSFET 2N-CH 200V 33A I4-PAC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 200V 33A 125W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
型号:
FMM60-02TF
仓库库存编号:
FMM60-02TF-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
IGBT PHASELEG 1200V 30A SMPD
详细描述:IGBT Array PT Single 1200V 63A 230W Surface Mount ISOPLUS-SMPD?.B
型号:
IXA40RG1200DHGLB
仓库库存编号:
IXA40RG1200DHGLB-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 15A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 15A(Tc) 360W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK15N100Q
仓库库存编号:
IXFK15N100Q-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 74A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 200V 74A(Tc) 360W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH74N20
仓库库存编号:
IXFH74N20-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 80A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 80A(Tc) 360W(Tc) TO-268
型号:
IXFT80N20Q
仓库库存编号:
IXFT80N20Q-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
IGBT 1600V 75A 240W ISOPLUS247
详细描述:IGBT NPT 1600V 75A 240W Through Hole ISOPLUS247?
型号:
IXGR50N160H1
仓库库存编号:
IXGR50N160H1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1KV 15A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 15A(Tc) 360W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX15N100
仓库库存编号:
IXFX15N100-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 800V 13A(Tc) 250W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR15N80Q
仓库库存编号:
IXFR15N80Q-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Linear Technology
IC REG BUCK BOOST ADJ 2.5A 16DFN
详细描述:可调式 降压升压 开关稳压器 IC 正 2.5V 1 输出 2.5A 16-WFDFN 裸露焊盘
型号:
LTC3112MPDHD#TRPBF
仓库库存编号:
LTC3112MPDHD#TRPBF-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 300V 48A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 300V 48A(Tc) 370W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT30M70BVFRG
仓库库存编号:
APT30M70BVFRG-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Comchip Technology
RECT BRIDGE GPP 1600V 35A SCVB
详细描述:Bridge Rectifier Three Phase 1600V 35A QC Terminal SCVB
型号:
SC35VB160-G
仓库库存编号:
641-1391-ND
别名:641-1391
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 44A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 44A(Tc) 830W(Tc) TO-268
型号:
IXFT44N50Q3
仓库库存编号:
IXFT44N50Q3-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 18A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 1000V 18A(Tc) 830W(Tc) TO-268
型号:
IXFT18N100Q3
仓库库存编号:
IXFT18N100Q3-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 76A TO-3PN
详细描述:通孔 N 沟道 600V 76A(Tc) 543W(Tc) TO-3PN
型号:
FCA76N60N
仓库库存编号:
FCA76N60N-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 33A TO-264AA
详细描述:通孔 N 沟道 500V 33A(Tc) 416W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK33N50
仓库库存编号:
IXFK33N50-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 100V 90A ISOPLUS247
详细描述:通孔 P 沟道 100V 110A(Tc) 270W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXTR140P10T
仓库库存编号:
IXTR140P10T-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 200A 833W TMAX
详细描述:IGBT Trench Field Stop 1200V 200A 833W Through Hole
型号:
APT75GN120B2G
仓库库存编号:
APT75GN120B2G-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 56A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 500V 56A(Tc) 780W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT56F50L
仓库库存编号:
APT56F50L-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 800V 25A(Tc) ISOPLUS220?
型号:
IXKC25N80C
仓库库存编号:
IXKC25N80C-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 16A TO268
详细描述:表面贴装 N 沟道 1200V 16A(Tc) 660W(Tc) TO-268
型号:
IXFT16N120P
仓库库存编号:
IXFT16N120P-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Linear Technology
IC REG CTRLR BOOST 28SSOP
详细描述:Boost Regulator Positive Output Step-Up DC-DC Controller IC 28-SSOP
型号:
LTC3784MPGN#TRPBF
仓库库存编号:
LTC3784MPGN#TRPBF-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Linear Technology
IC REG CTRLR BOOST 28QFN
详细描述:Boost Regulator Positive Output Step-Up DC-DC Controller IC 28-QFN (4x5)
型号:
LTC3784MPUFD#TRPBF
仓库库存编号:
LTC3784MPUFD#TRPBF-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 12.5A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 12.5A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH13N100
仓库库存编号:
IXFH13N100-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 52A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 300V 52A(Tc) 360W(Tc) TO-268
型号:
IXFT52N30Q
仓库库存编号:
IXFT52N30Q-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 90A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 200V 90A(Tc) 500W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX90N20Q
仓库库存编号:
IXFX90N20Q-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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