以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• IXYS
  IGBT 600V 75A 200W ISOPLUS247
  详细描述：IGBT PT 600V 75A 200W Through Hole ISOPLUS247?
  
  型号：IXGR72N60B3H1
  仓库库存编号：IXGR72N60B3H1-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  IGBT 600V 75A 200W ISOPLUS247
  详细描述：IGBT PT 600V 75A 200W Through Hole ISOPLUS247?
  
  型号：IXGR72N60A3H1
  仓库库存编号：IXGR72N60A3H1-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  IGBT PHASELEG 1200V 43A SMPD
  详细描述：IGBT 1200V 43A 147W Surface Mount ISOPLUS-SMPD?.B
  
  型号：IXA30RG1200DHGLB-TRR
  仓库库存编号：IXA30RG1200DHGLB-TRR-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 121A 520W TO-264
  详细描述：IGBT PT 600V 121A 520W Through Hole TO-264 [L]
  
  型号：APT68GA60LD40
  仓库库存编号：APT68GA60LD40-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 121A 520W TO-247
  详细描述：IGBT PT 600V 121A 520W Through Hole
  
  型号：APT68GA60B2D40
  仓库库存编号：APT68GA60B2D40-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 35A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 35A（Tc） 300W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR64N50P
  仓库库存编号：IXFR64N50P-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 32A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 32A（Tc） 300W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR48N60P
  仓库库存编号：IXFR48N60P-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  IGBT 1200V 50A 250W TO247
  详细描述：IGBT PT 1200V 50A 250W Through Hole TO-247AD (IXGH)
  
  型号：IXGH28N120BD1
  仓库库存编号：IXGH28N120BD1-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 28A TO-268(D3)
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 28A（Tc） 375W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT28N50Q
  仓库库存编号：IXFT28N50Q-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  IGBT 600V 38A 125W I4PAC5
  详细描述：IGBT NPT 600V 38A 125W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：FID36-06D
  仓库库存编号：FID36-06D-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1000V 10A（Tc） 300W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT10N100
  仓库库存编号：IXFT10N100-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Linear Technology
  IC REG CTRLR BUCK 28TSSOP
  详细描述：Buck Regulator Positive or Negative Output Step-Down DC-DC Controller IC 28-TSSOP-EP
  
  型号：LT3840MPFE#TRPBF
  仓库库存编号：LT3840MPFE#TRPBF-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 30A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 30A（Tc） 310W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR30N50Q
  仓库库存编号：IXFR30N50Q-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1000V 10A（Tc） 400W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT10N100D
  仓库库存编号：IXTT10N100D-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 30A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 30A（Tc） 360W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH30N50
  仓库库存编号：IXTH30N50-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Linear Technology
  IC REG BUCK ADJ 3A SYNC 20TSSOP
  详细描述：可调式 降压 开关稳压器 IC 正 0.6V 1 输出 3A 20-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）裸露焊盘
  
  型号：LTC3612MPFE#TRPBF
  仓库库存编号：LTC3612MPFE#TRPBF-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Linear Technology
  IC REG BUCK BOOST ADJ 1.5A 14DFN
  详细描述：可调式 降压升压 开关稳压器 IC 正 2.5V 1 输出 1.5A 14-WFDFN 裸露焊盘
  
  型号：LTC3111MPDE#TRPBF
  仓库库存编号：LTC3111MPDE#TRPBF-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 1700V 2A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 1700V 2A（Tj） 568W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH2N170D2
  仓库库存编号：IXTH2N170D2-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 36A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 36A（Tc） 320W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR64N60P
  仓库库存编号：IXFR64N60P-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 48A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 48A（Tc） 540W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR80N60P3
  仓库库存编号：IXFR80N60P3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET P-CH 100V 140A TO-268
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 140A（Tc） 568W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT140P10T
  仓库库存编号：IXTT140P10T-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET P-CH 200V 68A TO-268
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 68A（Tc） 568W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT68P20T
  仓库库存编号：IXTT68P20T-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 71A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 71A（Tc） 310W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR80N20Q
  仓库库存编号：IXFR80N20Q-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 30A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 30A（Tc） 416W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX30N50Q
  仓库库存编号：IXFX30N50Q-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 100VWM 162VC PLAD
  
  型号：MXLPLAD6.5KP100CA
  仓库库存编号：1086-11085-ND
  别名：1086-11085
  1086-11085-MIL
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索