规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 26VWM 42.1VC PLAD
型号:
MXLPLAD6.5KP26A
仓库库存编号:
1086-11159-ND
别名:1086-11159
1086-11159-MIL
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 28VWM 45.5VC PLAD
型号:
MXLPLAD6.5KP28A
仓库库存编号:
1086-11163-ND
别名:1086-11163
1086-11163-MIL
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 30VWM 48.4VC PLAD
型号:
MXLPLAD6.5KP30A
仓库库存编号:
1086-11167-ND
别名:1086-11167
1086-11167-MIL
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 33VWM 53.3VC PLAD
型号:
MXLPLAD6.5KP33A
仓库库存编号:
1086-11171-ND
别名:1086-11171
1086-11171-MIL
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 36VWM 58.1VC PLAD
型号:
MXLPLAD6.5KP36A
仓库库存编号:
1086-11175-ND
别名:1086-11175
1086-11175-MIL
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 40VWM 64.5VC PLAD
型号:
MXLPLAD6.5KP40A
仓库库存编号:
1086-11179-ND
别名:1086-11179
1086-11179-MIL
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 43VWM 69.4VC PLAD
型号:
MXLPLAD6.5KP43A
仓库库存编号:
1086-11183-ND
别名:1086-11183
1086-11183-MIL
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 45VWM 72.7VC PLAD
型号:
MXLPLAD6.5KP45A
仓库库存编号:
1086-11187-ND
别名:1086-11187
1086-11187-MIL
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 48VWM 77.4VC PLAD
型号:
MXLPLAD6.5KP48A
仓库库存编号:
1086-11191-ND
别名:1086-11191
1086-11191-MIL
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 51VWM 82.4VC PLAD
型号:
MXLPLAD6.5KP51A
仓库库存编号:
1086-11195-ND
别名:1086-11195
1086-11195-MIL
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 54VWM 87.1VC PLAD
型号:
MXLPLAD6.5KP54A
仓库库存编号:
1086-11199-ND
别名:1086-11199
1086-11199-MIL
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 58VWM 93.6VC PLAD
型号:
MXLPLAD6.5KP58A
仓库库存编号:
1086-11203-ND
别名:1086-11203
1086-11203-MIL
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 60VWM 96.8VC PLAD
型号:
MXLPLAD6.5KP60A
仓库库存编号:
1086-11207-ND
别名:1086-11207
1086-11207-MIL
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 64VWM 103VC PLAD
型号:
MXLPLAD6.5KP64A
仓库库存编号:
1086-11211-ND
别名:1086-11211
1086-11211-MIL
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 70VWM 113VC PLAD
型号:
MXLPLAD6.5KP70A
仓库库存编号:
1086-11215-ND
别名:1086-11215
1086-11215-MIL
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 75VWM 121VC PLAD
型号:
MXLPLAD6.5KP75A
仓库库存编号:
1086-11219-ND
别名:1086-11219
1086-11219-MIL
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 78VWM 126VC PLAD
型号:
MXLPLAD6.5KP78A
仓库库存编号:
1086-11223-ND
别名:1086-11223
1086-11223-MIL
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 85VWM 137VC PLAD
型号:
MXLPLAD6.5KP85A
仓库库存编号:
1086-11227-ND
别名:1086-11227
1086-11227-MIL
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 90VWM 146VC PLAD
型号:
MXLPLAD6.5KP90A
仓库库存编号:
1086-11231-ND
别名:1086-11231
1086-11231-MIL
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 200V 72A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 72A(Tc) 400W(Tc) TO-268
型号:
IXTT72N20
仓库库存编号:
IXTT72N20-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 23A TO-268(D3)
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 23A(Tc) 400W(Tc) TO-268
型号:
IXFT23N60Q
仓库库存编号:
IXFT23N60Q-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
IGBT 900V 47A 160W ISOPLUS247
详细描述:IGBT PT 900V 47A 160W Through Hole ISOPLUS247?
型号:
IXGR32N90B2D1
仓库库存编号:
IXGR32N90B2D1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 800V 14A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 800V 14A(Tc) 300W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH14N80
仓库库存编号:
IXTH14N80-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
IGBT MODULE 1200V 105A SMPD
详细描述:IGBT Array PT Half Bridge 1200V 32A 130W Surface Mount ISOPLUS-SMPD?.B
型号:
IXA20PG1200DHGLB-TRR
仓库库存编号:
IXA20PG1200DHGLB-TRR-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 300V 75A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 300V 75A(Tc) 540W(Tc) TO-264(IXTK)
型号:
IXTK75N30
仓库库存编号:
IXTK75N30-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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