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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 6.7A（Ta） 1.56W（Ta） 8-SO
型号：
SI4896DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4896DY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4896DY-T1-GE3CT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 6.5A 8-TSSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 1.5W（Ta） 8-TSSOP
型号：
SI6415DQ-T1-E3
仓库库存编号：
SI6415DQ-T1-E3CT-ND
别名：SI6415DQ-T1-E3CT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），125W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC016N03MSGATMA1
仓库库存编号：
BSC016N03MSGATMA1CT-ND
别名：BSC016N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC016N03MSGINCT
BSC016N03MSGINCT-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 100V 0.14A TO92-3
详细描述：通孔 P 沟道 140mA（Ta） 625mW（Ta） TO-92-3
型号：
ZVP3310A
仓库库存编号：
ZVP3310A-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS NPN 80V 10A D2PAK-3
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 10A 50MHz 2W Surface Mount D2PAK
型号：
MJB44H11T4G
仓库库存编号：
MJB44H11T4GOSCT-ND
别名：MJB44H11T4GOSCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.1A（Ta） 1.1W（Ta） 6-TSOP
型号：
SI3460DV-T1-E3
仓库库存编号：
SI3460DV-T1-E3CT-ND
别名：SI3460DV-T1-E3CT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 28A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Ta），100A（Tc） 3.2W（Ta） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD17301Q5A
仓库库存编号：
296-25795-1-ND
别名：296-25795-1
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 39A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），96W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC010NE2LS
仓库库存编号：
BSC010NE2LSCT-ND
别名：BSC010NE2LSCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Ta），100A（Tc） 3.1W（Ta） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD16403Q5A
仓库库存编号：
296-24249-1-ND
别名：296-24249-1
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5W（Ta），62.5W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIJ478DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIJ478DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIJ478DP-T1-GE3CT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 150V 2A 8-SO
详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Ta） 5.9W（Tc） 8-SO
型号：
SI4455DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4455DY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4455DY-T1-GE3CT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 2.2A 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.2A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7818DN-T1-E3
仓库库存编号：
SI7818DN-T1-E3CT-ND
别名：SI7818DN-T1-E3CT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 2.2A 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.2A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7818DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7818DN-T1-GE3CT-ND
别名：SI7818DN-T1-GE3CT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 5W（Ta），48W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7858BDP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7858BDP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7858BDP-T1-GE3CT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 450MA TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 450mA（Ta） 700mW（Ta） TO-92-3
型号：
ZVN2106A
仓库库存编号：
ZVN2106A-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 320mA（Ta） 700mW（Ta） TO-92-3
型号：
ZVN2110A
仓库库存编号：
ZVN2110A-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 10.9A（Tc） 62.5W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ16DN25NS3 G
仓库库存编号：
BSZ16DN25NS3GCT-ND
别名：BSZ16DN25NS3GCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 14A POWER56
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta），35A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） Power56
型号：
FDMS8680
仓库库存编号：
FDMS8680CT-ND
别名：FDMS8680CT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），114W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC057N08NS3GATMA1
仓库库存编号：
BSC057N08NS3GATMA1CT-ND
别名：BSC057N08NS3 GCT
BSC057N08NS3 GCT-ND
BSC057N08NS3GATMA1CT-NDTR-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 9A 2W Surface Mount 8-SO
型号：
IRF7324TRPBF
仓库库存编号：
IRF7324PBFCT-ND
别名：*IRF7324TRPBF
IRF7324PBFCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 24A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 96W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC500N20NS3GATMA1
仓库库存编号：
BSC500N20NS3GATMA1CT-ND
别名：BSC500N20NS3GATMA1CT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 400V 0.12A TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 120mA（Tj） 1W（Tc） TO-92（TO-226）
型号：
DN2540N3-G
仓库库存编号：
DN2540N3-G-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 40V 0.25A TO92-3
详细描述：通孔 P 沟道 250mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
型号：
VP0104N3-G
仓库库存编号：
VP0104N3-G-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 6A 3TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Ta） 83W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD06N80C3ATMA1
仓库库存编号：
SPD06N80C3ATMA1CT-ND
别名：SPD06N80C3ATMA1CT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 1.67A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.67A（Ta） 3W（Ta） SOT-223
型号：
ZVN4310GTA
仓库库存编号：
ZVN4310GCT-ND
别名：ZVN4310G
ZVN4310GCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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