规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 30VWM 48.4VC PLAD
型号：
MXLPLAD6.5KP30AE3
仓库库存编号：
1086-11168-ND
别名：1086-11168
1086-11168-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 33VWM 53.3VC PLAD
型号：
MXLPLAD6.5KP33AE3
仓库库存编号：
1086-11172-ND
别名：1086-11172
1086-11172-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 36VWM 58.1VC PLAD
型号：
MXLPLAD6.5KP36AE3
仓库库存编号：
1086-11176-ND
别名：1086-11176
1086-11176-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 40VWM 64.5VC PLAD
型号：
MXLPLAD6.5KP40AE3
仓库库存编号：
1086-11180-ND
别名：1086-11180
1086-11180-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 43VWM 69.4VC PLAD
型号：
MXLPLAD6.5KP43AE3
仓库库存编号：
1086-11184-ND
别名：1086-11184
1086-11184-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 45VWM 72.7VC PLAD
型号：
MXLPLAD6.5KP45AE3
仓库库存编号：
1086-11188-ND
别名：1086-11188
1086-11188-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 48VWM 77.4VC PLAD
型号：
MXLPLAD6.5KP48AE3
仓库库存编号：
1086-11192-ND
别名：1086-11192
1086-11192-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 51VWM 82.4VC PLAD
型号：
MXLPLAD6.5KP51AE3
仓库库存编号：
1086-11196-ND
别名：1086-11196
1086-11196-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 54VWM 87.1VC PLAD
型号：
MXLPLAD6.5KP54AE3
仓库库存编号：
1086-11200-ND
别名：1086-11200
1086-11200-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 58VWM 93.6VC PLAD
型号：
MXLPLAD6.5KP58AE3
仓库库存编号：
1086-11204-ND
别名：1086-11204
1086-11204-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 60VWM 96.8VC PLAD
型号：
MXLPLAD6.5KP60AE3
仓库库存编号：
1086-11208-ND
别名：1086-11208
1086-11208-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 64VWM 103VC PLAD
型号：
MXLPLAD6.5KP64AE3
仓库库存编号：
1086-11212-ND
别名：1086-11212
1086-11212-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 70VWM 113VC PLAD
型号：
MXLPLAD6.5KP70AE3
仓库库存编号：
1086-11216-ND
别名：1086-11216
1086-11216-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 75VWM 121VC PLAD
型号：
MXLPLAD6.5KP75AE3
仓库库存编号：
1086-11220-ND
别名：1086-11220
1086-11220-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 78VWM 126VC PLAD
型号：
MXLPLAD6.5KP78AE3
仓库库存编号：
1086-11224-ND
别名：1086-11224
1086-11224-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 85VWM 137VC PLAD
型号：
MXLPLAD6.5KP85AE3
仓库库存编号：
1086-11228-ND
别名：1086-11228
1086-11228-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 90VWM 146VC PLAD
型号：
MXLPLAD6.5KP90AE3
仓库库存编号：
1086-11232-ND
别名：1086-11232
1086-11232-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 88A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 200V 88A（Tc） 500W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH88N20Q
仓库库存编号：
IXFH88N20Q-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
IGBT 600V 65A 200W I4PAC5
详细描述：IGBT NPT 600V 65A 200W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
型号：
FID60-06D
仓库库存编号：
FID60-06D-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 30A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 600V 30A（Tc） 540W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ30N60L2
仓库库存编号：
IXTQ30N60L2-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 800V 14A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 800V 14A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH14N80
仓库库存编号：
IXFH14N80-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE MODULE 200V SOT227
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 45A Chassis, Stud Mount SOT-227
型号：
APT30DF20HJ
仓库库存编号：
APT30DF20HJ-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Linear Technology
IC REG BUCK ADJ 3A SYNC 20QFN
详细描述：可调式 降压 开关稳压器 IC 正 0.6V 1 输出 3A 20-WFQFN 裸露焊盘
型号：
LTC3612MPUDC#TRPBF
仓库库存编号：
LTC3612MPUDC#TRPBF-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 45A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 600V 45A（Tc） 780W（Tc） TO-264 [L]
型号：
APT43F60L
仓库库存编号：
APT43F60L-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 60A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 60A（Tc） 360W（Tc） TO-268
型号：
IXFT60N25Q
仓库库存编号：
IXFT60N25Q-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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