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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 56A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 200V 56A(Tc) 300W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT20M45BVFRG
仓库库存编号:
APT20M45BVFRG-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 80A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 150V 80A(Tc) 360W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH80N15Q
仓库库存编号:
IXFH80N15Q-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 10A TO-267
详细描述:表面贴装 N 沟道 1000V 10A(Tc) 695W(Tc) TO-268
型号:
IXTT10N100D2
仓库库存编号:
IXTT10N100D2-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 28A ISOPLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 28A(Tc) ISOPLUS220?
型号:
IXKC40N60C
仓库库存编号:
IXKC40N60C-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Texas Instruments
IC REG CTRLR BST FLYBK 16-SOIC
详细描述:Converter Offline Boost, Flyback, Forward Topology 1MHz 16-SOIC
型号:
UC2825BDWG4
仓库库存编号:
UC2825BDWG4-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 45.8A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 45.8A(Tc) 368W(Tc) TO-247
型号:
FCH47N60NF
仓库库存编号:
FCH47N60NF-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 60A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 60A(Tc) 300W(Tc) TO-268
型号:
IXTT60N10
仓库库存编号:
IXTT60N10-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Linear Technology
IC REG BUCK ADJ 1A 16DFN
详细描述:可调式 降压 开关稳压器 IC 正 0.8V 1 输出 1A 16-WFDFN 裸露焊盘
型号:
LTC3637MPDHC#TRPBF
仓库库存编号:
LTC3637MPDHC#TRPBF-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Linear Technology
IC REG BUCK ADJ 1A 16MSOP
详细描述:可调式 降压 开关稳压器 IC 正 0.8V 1 输出 1A 16-TFSOP(0.118",3.00mm)裸露焊盘,12 引线
型号:
LTC3637MPMSE#TRPBF
仓库库存编号:
LTC3637MPMSE#TRPBF-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 100V 140A TO-247
详细描述:通孔 P 沟道 100V 140A(Tc) 568W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH140P10T
仓库库存编号:
IXTH140P10T-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 200V 68A TO-247
详细描述:通孔 P 沟道 200V 68A(Tc) 568W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH68P20T
仓库库存编号:
IXTH68P20T-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 80A TO-264AA
详细描述:通孔 N 沟道 200V 80A(Tc) 360W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK80N20
仓库库存编号:
IXFK80N20-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 80A TO-264AA
详细描述:通孔 N 沟道 200V 80A(Tc) 360W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK80N20Q
仓库库存编号:
IXFK80N20Q-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
IGBT 600V 75A 540W TO264
详细描述:IGBT PT 600V 75A 540W Through Hole TO-264 (IXGK)
型号:
IXGK72N60A3H1
仓库库存编号:
IXGK72N60A3H1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 100A 543W D3PAK
详细描述:IGBT PT 600V 100A 543W Surface Mount D3 [S]
型号:
APT40GP60SG
仓库库存编号:
APT40GP60SG-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 60A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 300V 60A(Tc) 250W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR102N30P
仓库库存编号:
IXFR102N30P-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
IGBT 600V 75A 200W ISOPLUS247
详细描述:IGBT PT 600V 75A 200W Through Hole ISOPLUS247?
型号:
IXGR72N60C3D1
仓库库存编号:
IXGR72N60C3D1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
IGBT 1000V 40A 150W TO220
详细描述:IGBT PT 1000V 40A 150W Through Hole TO-220AB
型号:
IXGP20N100
仓库库存编号:
IXGP20N100-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 500V 30A(Tc) 360W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH30N50Q
仓库库存编号:
IXFH30N50Q-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 30A(Tc) 360W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH30N50
仓库库存编号:
IXFH30N50-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 30A(Tc) 360W(Tc) TO-268
型号:
IXFT30N50
仓库库存编号:
IXFT30N50-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 30A(Tc) 360W(Tc) TO-268
型号:
IXFT30N50Q
仓库库存编号:
IXFT30N50Q-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 25A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 250V 25A(Tc) 150W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXTR30N25
仓库库存编号:
IXTR30N25-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 13A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 900V 13A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH13N90
仓库库存编号:
IXFH13N90-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 80A TO-264AA
详细描述:通孔 N 沟道 150V 80A(Tc) 360W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK80N15Q
仓库库存编号:
IXFK80N15Q-ND
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