规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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IXYS
IGBT 1200V 60A 300W TO247AD
详细描述:IGBT NPT 1200V 60A 300W Through Hole TO-247AD (IXDH)
型号:
IXDH30N120D1
仓库库存编号:
IXDH30N120D1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 11A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 11A(Tc) 230W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR20N100P
仓库库存编号:
IXFR20N100P-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 60A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 200V 60A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH60N20
仓库库存编号:
IXFH60N20-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 600V 20A(Tc) 300W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH20N60
仓库库存编号:
IXTH20N60-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 20A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 20A(Tc) 300W(Tc) TO-268
型号:
IXFT20N60Q
仓库库存编号:
IXFT20N60Q-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 128A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 150V 128A(Tc) 540W(Tc) TO-264(IXTK)
型号:
IXTK128N15
仓库库存编号:
IXTK128N15-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 80A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 250V 80A(Tc) 540W(Tc) TO-264(IXTK)
型号:
IXTK80N25
仓库库存编号:
IXTK80N25-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 74A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 74A(Tc) 360W(Tc) TO-268
型号:
IXFT74N20
仓库库存编号:
IXFT74N20-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 10A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 10A(Tc) 400W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH10N100D
仓库库存编号:
IXTH10N100D-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Linear Technology
IC REG SWTCHD CAP INV 16MSOP
详细描述:固定 充电泵 开关稳压器 IC 正和负(双轨) -Vin 2 输出 100mA 16-TFSOP(0.118",3.00mm 宽)裸露焊盘
型号:
LTC3260MPMSE#TRPBF
仓库库存编号:
LTC3260MPMSE#TRPBF-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 30A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 600V 30A(Tc) 500W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH30N60Q
仓库库存编号:
IXFH30N60Q-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 75A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 100V 75A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH75N10Q
仓库库存编号:
IXFH75N10Q-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 14A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 1200V 14A(Tc) 625W(Tc) D3Pak
型号:
APT13F120S
仓库库存编号:
APT13F120S-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
IGBT 600V 75A 540W PLUS247
详细描述:IGBT PT 600V 75A 540W Through Hole PLUS247?-3
型号:
IXGX72N60C3H1
仓库库存编号:
IXGX72N60C3H1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 30A(Tc) 400W(Tc) TO-268
型号:
IXTT30N50L
仓库库存编号:
IXTT30N50L-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Linear Technology
IC REG CTRLR FLYBACK 16MSOP
详细描述:Flyback Regulator Positive, Isolation Capable Output Step-Up/Step-Down DC-DC Controller IC 16-MSOP
型号:
LT3748MPMS#TRPBF
仓库库存编号:
LT3748MPMS#TRPBF-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 21A I4-PAC-5
详细描述:通孔 N 沟道 500V 21A(Tc) ISOPLUS i4-PAC?
型号:
FMD21-05QC
仓库库存编号:
FMD21-05QC-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Linear Technology
IC REG CTRLR BOOST/SEPIC 20TSSOP
详细描述:Boost, SEPIC Regulator Positive Output Step-Up, Step-Up/Step-Down DC-DC Controller IC 20-TSSOP-EP
型号:
LTC3769MPFE#TRPBF
仓库库存编号:
LTC3769MPFE#TRPBF-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 52A TO-264AA
详细描述:通孔 N 沟道 300V 52A(Tc) 360W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK52N30Q
仓库库存编号:
IXFK52N30Q-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 67A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 67A(Tc) 370W(Tc) D3Pak
型号:
APT20M38SVRG/TR
仓库库存编号:
APT20M38SVRG/TR-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 20A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 800V 20A(Tc) 300W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR32N80P
仓库库存编号:
IXFR32N80P-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
IGBT 1600V 75A 300W TO268
详细描述:IGBT NPT 1600V 75A 300W Surface Mount TO-268
型号:
IXGT25N160
仓库库存编号:
IXGT25N160-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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IXYS
IGBT 600V 75A 540W PLUS247
详细描述:IGBT PT 600V 75A 540W Through Hole PLUS247?-3
型号:
IXGX72N60B3H1
仓库库存编号:
IXGX72N60B3H1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Linear Technology
IC REG BUCK ADJ 4A SYNC 24QFN
详细描述:可调式 降压 开关稳压器 IC 正 0.6V 1 输出 4A 24-WFQFN 裸露焊盘
型号:
LTC3614MPUDD#TRPBF
仓库库存编号:
LTC3614MPUDD#TRPBF-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 48A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 48A(Tc) 830W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX48N60P
仓库库存编号:
IXFX48N60P-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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