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Microsemi Corporation
IGBT 600V 93A 415W TO247
详细描述:IGBT NPT 600V 93A 415W Through Hole TO-247
型号:
APT50GS60BRDLG
仓库库存编号:
APT50GS60BRDLG-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 20A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 1000V 20A(Tc) 660W(Tc) TO-268
型号:
IXFT20N100P
仓库库存编号:
IXFT20N100P-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 102A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 300V 102A(Tc) 700W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK102N30P
仓库库存编号:
IXFK102N30P-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Linear Technology
IC REG FLYBACK INV ISO TSOT23
详细描述:反激 开关稳压器 IC 正或负,可提供隔离 1 输出 1.2A SOT-23-5 细型,TSOT-23-5
型号:
LT8301MPS5#TRPBF
仓库库存编号:
LT8301MPS5#TRPBF-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 88A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 300V 88A(Tc) 600W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH88N30P
仓库库存编号:
IXFH88N30P-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 54A 250W ISOPLUS247
详细描述:IGBT 1200V 54A 250W Through Hole ISOPLUS247?
型号:
IXGR35N120BD1
仓库库存编号:
IXGR35N120BD1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 17A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 1000V 17A(Tc) 625W(Tc) D3Pak
型号:
APT17F100S
仓库库存编号:
APT17F100S-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 6.7A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 900V 6.7A(Tc) 190W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFPF50
仓库库存编号:
IRFPF50-ND
别名:*IRFPF50
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 50A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 200V 50A(Tc) 300W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH50N20
仓库库存编号:
IXTH50N20-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 20A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 20A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH20N60Q
仓库库存编号:
IXFH20N60Q-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 23A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 23A(Tc) 400W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH23N60Q
仓库库存编号:
IXFH23N60Q-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 26A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 26A(Tc) 250W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR26N50
仓库库存编号:
IXFR26N50-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 140A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 250V 140A(Tc) 960W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX140N25T
仓库库存编号:
IXFX140N25T-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 1200V 60A 235W TO247
详细描述:IGBT 1200V 60A 235W Through Hole TO-247-3
型号:
STGW35NC120HD
仓库库存编号:
497-7487-5-ND
别名:497-7487-5
STGW35NC120HD-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1500V 3A ISOTO-247
详细描述:通孔 N 沟道 1500V 3A(Tc) 125W(Tc) TO-247
型号:
IXTJ6N150
仓库库存编号:
IXTJ6N150-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 16A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 900V 16A(Tc) 360W(Tc) TO-268
型号:
IXFT16N90Q
仓库库存编号:
IXFT16N90Q-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 32A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 800V 32A(Tc) 830W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX32N80P
仓库库存编号:
IXFX32N80P-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 300V 40A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 300V 40A(Tc) 300W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT30M85BVRG
仓库库存编号:
APT30M85BVRG-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 40A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 300V 40A(Tc) 300W(Tc) TO-268
型号:
IXFT40N30Q
仓库库存编号:
IXFT40N30Q-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 50A 200W ISOPLUS247
详细描述:IGBT NPT 1200V 50A 200W Through Hole ISOPLUS247?
型号:
IXDR30N120
仓库库存编号:
IXDR30N120-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 75A 380W TO247
详细描述:IGBT PT 1200V 75A 380W Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号:
IXGH40N120C3D1
仓库库存编号:
IXGH40N120C3D1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 80A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 200V 80A(Tc) 520W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH80N20L
仓库库存编号:
IXTH80N20L-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 120A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 300V 120A(Tc) 960W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK120N30T
仓库库存编号:
IXFK120N30T-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 24A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 24A(Tc) 208W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR44N50P
仓库库存编号:
IXFR44N50P-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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IXYS
IGBT 1200V 50A 200W ISOPLUS247
详细描述:IGBT NPT 1200V 50A 200W Through Hole ISOPLUS247?
型号:
IXDR30N120D1
仓库库存编号:
IXDR30N120D1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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