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• Comchip Technology
  RECT BRIDGE GPP 400V 2A DFS
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 2A Surface Mount DFS
  
  型号：DF204S-G
  仓库库存编号：641-1348-5-ND
  别名：641-1348-5
  DF204SG
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 26A PPAK 1212-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 26A 23W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
  
  型号：SI7228DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7228DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7228DN-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TRANS NPN DARL 100V 4A TO225AA
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 4A 40W Through Hole TO-225AA
  
  型号：BD681G
  仓库库存编号：BD681GOS-ND
  别名：BD681GOS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 3.3A（Tc） 36W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF610PBF
  仓库库存编号：IRF610PBF-ND
  别名：*IRF610PBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Comchip Technology
  RECT BRIDGE GPP 1000V 2A DFS
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 2A Surface Mount DFS
  
  型号：DF210S-G
  仓库库存编号：641-1350-5-ND
  别名：641-1350-5
  DF210SG
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V PWRSTAGE POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 26A（Ta），42A（Tc） 2.5W（Ta），83W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
  
  型号：FDMS7660AS
  仓库库存编号：FDMS7660ASCT-ND
  别名：FDMS7660ASCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 14A 8-PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta），42A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
  
  型号：FDMS86520
  仓库库存编号：FDMS86520CT-ND
  别名：FDMS86520CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 270mA（Ta） 625mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：VN10LP
  仓库库存编号：VN10LP-ND
  别名：FVN10LP
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TRANS PNP 80V 8A IPAK
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 8A 90MHz 1.75W Through Hole I-Pak
  
  型号：MJD45H11-1G
  仓库库存编号：MJD45H11-1GOS-ND
  别名：MJD45H11-1GOS
  MJD45H111G
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 450V 0.136A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 200mA（Ta） 740mW（Ta） TO-92（TO-226）
  
  型号：DN3545N3-G
  仓库库存编号：DN3545N3-G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 10A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7854TRPBF
  仓库库存编号：IRF7854TRPBFCT-ND
  别名：IRF7854TRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 37A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），96W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC011N03LS
  仓库库存编号：BSC011N03LSCT-ND
  别名：BSC011N03LSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
  
  型号：BSZ018NE2LS
  仓库库存编号：BSZ018NE2LSCT-ND
  别名：BSZ018NE2LSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 22.5A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Ta），22.5A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC130P03LS G
  仓库库存编号：BSC130P03LS GINCT-ND
  别名：BSC130P03LS GINCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 80A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 2.5W（Ta），83W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC070N10NS5ATMA1
  仓库库存编号：BSC070N10NS5ATMA1CT-ND
  别名：BSC070N10NS5ATMA1CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15.2A（Tc） 62.5W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC900N20NS3 G
  仓库库存编号：BSC900N20NS3GCT-ND
  别名：BSC900N20NS3GCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 20A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta），42A（Tc） 2.5W（Ta），78W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS8670S
  仓库库存编号：FDMS8670SCT-ND
  别名：FDMS8670SCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 7.4A 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 7.4A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7423DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7423DN-T1-E3CT-ND
  别名：SI7423DN-T1-E3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 83W（Tc） D-Pak
  
  型号：FCD7N60TM
  仓库库存编号：FCD7N60TMCT-ND
  别名：FCD7N60TMCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 3.5A 1.6W Surface Mount 8-SO
  
  型号：FDS89141
  仓库库存编号：FDS89141CT-ND
  别名：FDS89141CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  JFET N-CH 25V 625MW TO92
  详细描述：JFET N-Channel 500mA @ 15V 625mW Through Hole TO-92-3
  
  型号：J105
  仓库库存编号：J105FS-ND
  别名：J105FS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 114W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC070N10NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC070N10NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC070N10NS3 GCT
  BSC070N10NS3 GCT-ND
  BSC070N10NS3GATMA1CT-NDTR-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.3A（Tc） 2.5W（Tc） 8-SO
  
  型号：IRF7493TRPBF
  仓库库存编号：IRF7493PBFCT-ND
  别名：*IRF7493TRPBF
  IRF7493PBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IC GATE DVR SGL 9A HS 8-SOIC
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC
  
  型号：FAN3122CMX
  仓库库存编号：FAN3122CMXCT-ND
  别名：FAN3122CMXCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 21A PQFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 21A（Ta），40A（Tc） 3.1W（Ta） PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH9310TRPBF
  仓库库存编号：IRFH9310TRPBFCT-ND
  别名：IRFH9310TRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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