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IXYS
MOSFET N-CH 800V 6A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 800V 6A（Tc） 180W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH6N80A
仓库库存编号：
IXTH6N80A-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 26A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 26A（Tc） 300W（Tc） TO-268
型号：
IXFT26N50Q
仓库库存编号：
IXFT26N50Q-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 26A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 26A（Tc） 300W（Tc） TO-268
型号：
IXFT26N50
仓库库存编号：
IXFT26N50-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
IXYS
IGBT 1200V 60A 300W TO247AD
详细描述：IGBT NPT 1200V 60A 300W Through Hole TO-247AD (IXDH)
型号：
IXDH30N120
仓库库存编号：
IXDH30N120-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 18A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 800V 18A（Tc） 500W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT17F80B
仓库库存编号：
APT17F80B-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 22A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 500V 22A（Tc） 250W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXFR24N50Q
仓库库存编号：
IXFR24N50Q-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 24A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 500V 24A（Tc） 250W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXFR24N50
仓库库存编号：
IXFR24N50-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 650V
详细描述：通孔 N 沟道 650V 64A（Tc） 520W（Tc） TO-247AC
型号：
SIHG64N65E-GE3
仓库库存编号：
SIHG64N65E-GE3-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
搜索
Linear Technology
IC GATE DRVR N-CH MOSFET 16MSOP
详细描述：High-Side Gate Driver IC Non-Inverting
型号：
LTC7000MPMSE#PBF
仓库库存编号：
LTC7000MPMSE#PBF-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 24A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 24A（Tc） 300W（Tc） TO-268
型号：
IXFT24N50Q
仓库库存编号：
IXFT24N50Q-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Linear Technology
IC GATE DRVR N-CH MOSFET 16MSOP
详细描述：High-Side Gate Driver IC Non-Inverting
型号：
LTC7000MPMSE#TRPBF
仓库库存编号：
LTC7000MPMSE#TRPBF-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
搜索
Microsemi Corporation
IGBT 900V 72A 417W TO247
详细描述：IGBT PT 900V 72A 417W Through Hole TO-247 [B]
型号：
APT25GP90BDQ1G
仓库库存编号：
APT25GP90BDQ1G-ND
别名：APT25GP90BDQ1GMI
APT25GP90BDQ1GMI-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
详细描述：IGBT NPT 650V 118A 543W Surface Mount D3Pak
型号：
APT45GR65SSCD10
仓库库存编号：
APT45GR65SSCD10-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 50A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 600V 50A（Tc） 660W（Tc） TO-247
型号：
IXFH50N60X
仓库库存编号：
IXFH50N60X-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 100VWM 162VC MINIPLAD
型号：
MAPLAD6.5KP100CA
仓库库存编号：
1086-4974-ND
别名：1086-4974
1086-4974-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 10VWM 17VC MINIPLAD
型号：
MAPLAD6.5KP10CA
仓库库存编号：
1086-4978-ND
别名：1086-4978
1086-4978-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 110VWM 177VC MINIPLAD
型号：
MAPLAD6.5KP110CA
仓库库存编号：
1086-4982-ND
别名：1086-4982
1086-4982-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 11VWM 18.2VC MINIPLAD
型号：
MAPLAD6.5KP11CA
仓库库存编号：
1086-4986-ND
别名：1086-4986
1086-4986-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 120VWM 193VC MINIPLAD
型号：
MAPLAD6.5KP120CA
仓库库存编号：
1086-4990-ND
别名：1086-4990
1086-4990-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 12VWM 19.9VC MINIPLAD
型号：
MAPLAD6.5KP12CA
仓库库存编号：
1086-4994-ND
别名：1086-4994
1086-4994-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 130VWM 209VC MINIPLAD
型号：
MAPLAD6.5KP130CA
仓库库存编号：
1086-4998-ND
别名：1086-4998
1086-4998-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 13VWM 21.5VC MINIPLAD
型号：
MAPLAD6.5KP13CA
仓库库存编号：
1086-5002-ND
别名：1086-5002
1086-5002-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 14VWM 23.2VC MINIPLAD
型号：
MAPLAD6.5KP14CA
仓库库存编号：
1086-5006-ND
别名：1086-5006
1086-5006-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 150VWM 243VC MINIPLAD
型号：
MAPLAD6.5KP150CA
仓库库存编号：
1086-5010-ND
别名：1086-5010
1086-5010-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 15VWM 24.4VC MINIPLAD
型号：
MAPLAD6.5KP15CA
仓库库存编号：
1086-5014-ND
别名：1086-5014
1086-5014-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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