以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Linear Technology
  IC REG CTRLR BUCK 20QFN
  详细描述：Buck Regulator Positive Output Step-Down DC-DC Controller IC 20-QFN (3x4)
  
  型号：LTC3807MPUDC#TRPBF
  仓库库存编号：LTC3807MPUDC#TRPBF-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Linear Technology
  IC GATE DRVR N-CH MOSFET 16MSOP
  详细描述：High-Side Gate Driver IC Non-Inverting
  
  型号：LTC7000MPMSE-1#PBF
  仓库库存编号：LTC7000MPMSE-1#PBF-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 69A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300V 69A（Tc） 500W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT69N30P
  仓库库存编号：IXFT69N30P-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
  详细描述：IGBT NPT 650V 118A 543W Through Hole TO-247
  
  型号：APT45GR65BSCD10
  仓库库存编号：APT45GR65BSCD10-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 24A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 24A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH24N50
  仓库库存编号：IXTH24N50-ND
  别名：Q2768977
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 19A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 19A（Tc） 156W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR36N50P
  仓库库存编号：IXFR36N50P-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 15A（Tc） 166W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR30N60P
  仓库库存编号：IXFR30N60P-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET P-CH 600V 10A TO-268
  详细描述：表面贴装 P 沟道 600V 10A（Tc） 300W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT10P60
  仓库库存编号：IXTT10P60-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 37A D3PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 37A（Tc） 520W（Tc） D3Pak
  
  型号：APT37F50S
  仓库库存编号：APT37F50S-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Linear Technology
  IC GATE DRVR N-CH MOSFET 16MSOP
  详细描述：High-Side Gate Driver IC Non-Inverting
  
  型号：LTC7000MPMSE-1#TRPBF
  仓库库存编号：LTC7000MPMSE-1#TRPBF-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  IGBT 900V 72A 417W TO247
  详细描述：IGBT PT 900V 72A 417W Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT25GP90BG
  仓库库存编号：APT25GP90BG-ND
  别名：APT25GP90BGMI
  APT25GP90BGMI-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 16A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 16A（Tc） 695W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT16N50D2
  仓库库存编号：IXTT16N50D2-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  IGBT 1200V 48A 200W ISOPLUS247
  详细描述：IGBT PT 1200V 48A 200W Through Hole ISOPLUS247?
  
  型号：IXGR24N120C3D1
  仓库库存编号：IXGR24N120C3D1-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 47A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 47A（Tc） 417W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FCA47N60
  仓库库存编号：FCA47N60-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 47A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 47A（Tc） 417W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FCA47N60_F109
  仓库库存编号：FCA47N60_F109FS-ND
  别名：FCA47N60_F109-ND
  FCA47N60_F109FS
  FCA47N60F109
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 28A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 28A（Tc） 375W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH28N50Q
  仓库库存编号：IXFH28N50Q-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 16A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 16A（Tc） 695W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IXTH16N50D2
  仓库库存编号：IXTH16N50D2-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 24A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 24A（Tc） 650W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT24N80P
  仓库库存编号：IXFT24N80P-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  IGBT 1200V 48A 250W TO247AD
  详细描述：IGBT PT 1200V 48A 250W Through Hole TO-247AD (IXGH)
  
  型号：IXGH30N120C3H1
  仓库库存编号：IXGH30N120C3H1-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  IGBT 1000V 34A 150W TO247AD
  详细描述：IGBT 1000V 34A 150W Through Hole TO-247AD (IXGH)
  
  型号：IXGH17N100
  仓库库存编号：IXGH17N100-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  IGBT 1200V 30A 180W TO268
  详细描述：IGBT PT 1200V 30A 180W Surface Mount TO-268
  
  型号：IXGT15N120B
  仓库库存编号：IXGT15N120B-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 50A TO268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 50A（Tc） 660W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT50N60X
  仓库库存编号：IXFT50N60X-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 70A 290W TO247
  详细描述：IGBT 600V 70A 290W Through Hole TO-247
  
  型号：HGTG40N60B3
  仓库库存编号：HGTG40N60B3FS-ND
  别名：HGTG40N60B3-ND
  HGTG40N60B3FS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 150V 70A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 70A（Tc） 300W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT70N15
  仓库库存编号：IXFT70N15-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 900V 6A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 6A（Tc） 180W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH6N90A
  仓库库存编号：IXTH6N90A-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索