规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 75A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 150V 75A(Tc) 330W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH75N15
仓库库存编号:
IXTH75N15-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 21A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 21A(Tc) 280W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH21N50Q
仓库库存编号:
IXFH21N50Q-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Linear Technology
IC REG CTRLR BUCK 12MSOP
详细描述:Buck Regulator Positive Output Step-Down DC-DC Controller IC 12-MSOP-EP
型号:
LTC3864MPMSE#TRPBF
仓库库存编号:
LTC3864MPMSE#TRPBF-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Linear Technology
IC REG CTRLR BUCK 12DFN
详细描述:Buck Regulator Positive Output Step-Down DC-DC Controller IC 12-DFN (4x3)
型号:
LTC3864MPDE#TRPBF
仓库库存编号:
LTC3864MPDE#TRPBF-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Linear Technology
IC REG CTRLR BUCK 12MSOP
详细描述:Buck Regulator Positive or Negative Output Step-Down DC-DC Controller IC 12-MSOP-EP
型号:
LTC3863MPMSE#TRPBF
仓库库存编号:
LTC3863MPMSE#TRPBF-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Linear Technology
IC REG CTRLR BUCK 12DFN
详细描述:Buck Regulator Positive or Negative Output Step-Down DC-DC Controller IC 12-DFN (4x3)
型号:
LTC3863MPDE#TRPBF
仓库库存编号:
LTC3863MPDE#TRPBF-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
IGBT 1700V 12A 75W TO268
详细描述:IGBT 1700V 12A 75W Surface Mount TO-268
型号:
IXBT6N170
仓库库存编号:
IXBT6N170-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
IGBT 900V 51A 200W TO247AD
详细描述:IGBT 900V 51A 200W Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号:
IXGH28N90B
仓库库存编号:
IXGH28N90B-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 75A 400W TO3P
详细描述:IGBT 1200V 75A 400W Through Hole TO-3P
型号:
IXGQ35N120BD1
仓库库存编号:
IXGQ35N120BD1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 200V 24A TO-268
详细描述:表面贴装 P 沟道 200V 24A(Tc) 300W(Tc) TO-268
型号:
IXTT24P20
仓库库存编号:
IXTT24P20-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 14A(Tc) 500W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT14F100B
仓库库存编号:
APT14F100B-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1500V 6A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 1500V 6A(Tc) 540W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH6N150
仓库库存编号:
IXTH6N150-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1500V 2.5A ISOTO-247
详细描述:通孔 N 沟道 1500V 2.5A(Tc) 110W(Tc) TO-247
型号:
IXTJ4N150
仓库库存编号:
IXTJ4N150-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 36A TO-268 D3
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 36A(Tc) 540W(Tc) TO-268
型号:
IXTT36N50P
仓库库存编号:
IXTT36N50P-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 30A TO-268 D3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 30A(Tc) 540W(Tc) TO-268
型号:
IXTT30N60P
仓库库存编号:
IXTT30N60P-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
IGBT 600V 38A 125W ISOPLUS247
详细描述:IGBT NPT 600V 38A 125W Through Hole ISOPLUS247?
型号:
IXDR35N60BD1
仓库库存编号:
IXDR35N60BD1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Texas Instruments
IC HIGH CURRENT FET DRIVER 8-DIP
详细描述:Low-Side Gate Driver IC Inverting, Non-Inverting 8-PDIP
型号:
UC2710NG4
仓库库存编号:
UC2710NG4-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 1200V 6A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH6N120
仓库库存编号:
IXFH6N120-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 21A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 21A(Tc) 280W(Tc) TO-268
型号:
IXFT21N50Q
仓库库存编号:
IXFT21N50Q-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 30A 150W TO268
详细描述:IGBT 1200V 30A 150W Surface Mount TO-268
型号:
IXGT15N120CD1
仓库库存编号:
IXGT15N120CD1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 100A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 250V 100A(Tc) 600W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ100N25P
仓库库存编号:
IXTQ100N25P-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 6A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 900V 6A(Tc) 180W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH6N90
仓库库存编号:
IXTH6N90-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
详细描述:IGBT NPT 650V 134A 595W Through Hole T-MAX? [B2]
型号:
APT70GR65B2DU40
仓库库存编号:
APT70GR65B2DU40-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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IXYS
IGBT 900V 75A 400W TO264
详细描述:IGBT PT 900V 75A 400W Through Hole TO-264 (IXGK)
型号:
IXGK50N90B2D1
仓库库存编号:
IXGK50N90B2D1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
IGBT 1400V 42A 250W TO268
详细描述:IGBT PT 1400V 42A 250W Surface Mount TO-268
型号:
IXGT20N140C3H1
仓库库存编号:
IXGT20N140C3H1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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