规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Diodes Incorporated
TVS DIODE 9VWM 15.4VC SMC
型号：
SMCJ9.0CA-13-F
仓库库存编号：
SMCJ9.0CA-FDICT-ND
别名：SMCJ9.0CA-FDICT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 8A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta），36A（Tc） 3.1W（Ta），62W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
FDD86102
仓库库存编号：
FDD86102CT-ND
别名：FDD86102CT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
TVS DIODE 15VWM 24.4VC SMC
型号：
SMCJ15CA-13-F
仓库库存编号：
SMCJ15CA-FDICT-ND
别名：SMCJ15CA-FDICT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 525V 4.4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.4A（Tc） 70W（Tc） DPAK
型号：
STD5N52U
仓库库存编号：
497-10017-1-ND
别名：497-10017-1
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 26.6A（Tc） 3W（Ta），6.6W（Tc） 8-SO
型号：
SI4477DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4477DY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4477DY-T1-GE3CT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 1.5A 50V WOG
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 1.5A Through Hole WOG
型号：
W005G-E4/51
仓库库存编号：
W005G-E4/51GI-ND
别名：W005G-E4/1
W005G-E4/1-ND
W005G-E4/1GI
W005G-E4/1GI-ND
W005G-E4/1TR
W005G-E4/1TR-ND
W005G-E4/51GI
W005GE451
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 2A 400V WOG
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 2A Through Hole WOG
型号：
2W04G-E4/51
仓库库存编号：
2W04G-E4/51GI-ND
别名：2W04G
2W04G-E4/51-ND
2W04G-E4/51GI
2W04G/1
2W04G/1-ND
2W04GE451
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 1.5A 600V WOG
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 1.5A Through Hole WOG
型号：
W06G-E4/51
仓库库存编号：
W06G-E4/51GI-ND
别名：W06G-E4/51GI
W06G/1
W06G/1GI
W06G/1GI-ND
W06GE451
W06GGI
W06GGI-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE BRIDGE 2A 50V 1PH WOG
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 2A Through Hole WOG
型号：
2W005G-E4/51
仓库库存编号：
2W005G-E4/51GI-ND
别名：2W005G-E4/51-ND
2W005GE451
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 1.5A 200V WOG
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 1.5A Through Hole WOG
型号：
W02G-E4/51
仓库库存编号：
W02G-E4/51GI-ND
别名：W02G-E4/1
W02G-E4/1-ND
W02G-E4/1GI
W02G-E4/1GI-ND
W02G-E4/1TR
W02G-E4/1TR-ND
W02G-E4/51GI
W02GE451
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 2A 600V WOG
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 2A Through Hole WOG
型号：
2W06G-E4/51
仓库库存编号：
2W06G-E4/51GI-ND
别名：2W06G
2W06G-E4/1
2W06G-E4/1-ND
2W06G-E4/51-ND
2W06G-E4/51GI
2W06GE451
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 10A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 2.5W（Ta），40W（Tc） I-Pak
型号：
FQU13N10LTU
仓库库存编号：
FQU13N10LTU-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE BRIDGE 2A 200V 1PH WOG
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 2A Through Hole WOG
型号：
2W02G-E4/51
仓库库存编号：
2W02G-E4/51GI-ND
别名：2W02G-E4/51-ND
2W02G-E4/51GI
2W02GE451
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GPP 1A 1000V 4SMD
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 1A Surface Mount DFS
型号：
DF10S-E3/45
仓库库存编号：
DF10S-E3/45GI-ND
别名：DF10S-E3/45-ND
DF10S-E3/45GI
DF10SE345
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 1AMP 600V DFS
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 1A Surface Mount DFS
型号：
DF06S-E3/45
仓库库存编号：
DF06S-E3/45GI-ND
别名：DF06S-E3/45GI
DF06S-E3\45
DF06S-E3\45GI
DF06S-E3\45GI-ND
DF06SE345
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE BRIDGE 2A 100V 1PH WOG
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 2A Through Hole WOG
型号：
2W01G-E4/51
仓库库存编号：
2W01G-E4/51GI-ND
别名：2W01G-E4/51-ND
2W01GE451
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 18A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7842TRPBF
仓库库存编号：
IRF7842PBFCT-ND
别名：*IRF7842TRPBF
IRF7842PBFCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 8A 2W Surface Mount 8-SO
型号：
IRF7351TRPBF
仓库库存编号：
IRF7351TRPBFCT-ND
别名：IRF7351TRPBFCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 100A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 3.2W（Ta） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD17506Q5A
仓库库存编号：
296-28408-1-ND
别名：296-28408-1
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2P-CH 20V 8-MSOP
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1.04W Surface Mount 8-MSOP
型号：
ZXMD63P02XTA
仓库库存编号：
ZXMD63P02XTACT-ND
别名：ZXMD63P02X
ZXMD63P02XCT
ZXMD63P02XCT-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET 2P-CH 20V 8-MSOP
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1.04W Surface Mount 8-MSOP
型号：
ZXMD63P02XTA
仓库库存编号：
981-ZXMD63P02XTA-CHP
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 60V 160MA TO92-3
详细描述：通孔 P 沟道 160mA（Ta） 625mW（Ta） TO-92-3
型号：
ZVP3306A
仓库库存编号：
ZVP3306A-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS NPN 80V 8A IPAK
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 8A 85MHz 1.75W Through Hole I-Pak
型号：
MJD44H11-1G
仓库库存编号：
MJD44H11-1GOS-ND
别名：MJD44H11-1GOS
MJD44H111G
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
详细描述：IGBT NPT 1200V 5.3A 60W Surface Mount TO-252AA
型号：
HGTD1N120BNS9A
仓库库存编号：
HGTD1N120BNS9ACT-ND
别名：HGTD1N120BNS9ACT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 3.5A 8-MSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.5A（Ta） 1.1W（Ta） 8-MSOP
型号：
ZXM64P02XTA
仓库库存编号：
ZXM64P02XCT-ND
别名：ZXM64P02X
ZXM64P02XCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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